去年10月，ST宣布推出高性能M7內核STM32H7，筆者曾用“STM32H7榨干了Cortex-M7的最后一滴血”作為標題來形容當時這款業(yè)界最強微控制器。然而現(xiàn)在，NXP推出了全新的微控制器產品i.MX RT，將M7架構下主頻飆升到600MHz…還未量產出貨的STM32H7就這樣被超越了，而更具破壞力的是——i.MX RT的起價僅為3美元。

近日NXP在京舉辦了新產品的發(fā)布會，NXP的高級副總裁Geoff Lees和全球產品高級經理曾勁濤出席并進行了精彩的分享。

拋開NXP宣稱的“跨界”定位，先讓我們來看看i.MX RT是如何實現(xiàn)如此超高性能的

眾所周知，i.MX系列通常會常用A+M的多核設計，也有單A核的設計。此次推出的i.MX RT是基于i.MX 6ULL修改而來，精簡了外圍以提高了易用性。

從上圖中兩者架構框圖我們可以看出，相似度很高。

與市面上常見的MCU不同的是，i.MX RT內部集成片內閃存僅為96KB，不過使用了更大的SRAM/TCM。反觀典型的高性能MCU STM32H7系列，內部集成ROM高達2M，集成1M SRAM，64Kb的ITCM。

僅僅從這些表面數(shù)據(jù)來看，貌似H7會比i.MX RT優(yōu)勢一些。但是為什么實際的表現(xiàn)RT要遠遠勝出呢?

大家都知道在嵌入式存儲器中，SRAM的讀取速度最快，如果內核直接從SRAM中的執(zhí)行指令代碼則表現(xiàn)最佳。而在普遍的MCU中， 因為TCM和SRAM較小，因此需要CPU不斷從其它存儲單元中讀取，TCM和SRAM內的指令也需要不斷地刷新重寫入最近指令，這樣就會導致數(shù)據(jù)讀取延時，緩存未命中率也會變大。i.MX的SRAM相對較大，達到了512KB，而且這512KB可以根據(jù)需求來全部或部分轉換為TCM，因此在指令執(zhí)行方面效率更高。

當然片內96kb的閃存是不夠用的，用戶可以選擇使用外部串行閃存來run一些較大的實施操作系統(tǒng)。而i.MX RT的低價秘訣一部分因素也得益于其閃存的削減。

在能耗方面，i.MX RT內部集成了DC-DC轉換器，通過門控電源技術來優(yōu)化能效。官方宣傳稱因為內部集成SRAM較大，所以可以減少通過IO來訪問外部閃存的頻率。不過我們可以想象一種應用場景，如果這一應用的實時操作系統(tǒng)大于512kb并且小于2M的話，那么i.MX相比其它高性能MCU的這一優(yōu)勢就不存在了。

未來80%產品將使用FD-SOI工藝

除了i.MX RT新品外， Geoff還重點介紹了NXP的FD-SOI工藝。據(jù)他介紹，目前在微控制器和物聯(lián)網方面投資的一半都是基于FD-SOI的。

關于FD-SOI相比FIinFET的好處自然已不必多說，低功耗低成本高可靠性。下圖是Geoff分享的一張工藝節(jié)點圖，可以看到FD-SOI相比傳統(tǒng)BULK技術，可以給客戶提供更多設計節(jié)點。如果使用傳統(tǒng)BULK技術，當客戶對于性能功耗比有更高需求時，需要跳到另外節(jié)點選擇另外設計技術(如下圖中從橙色跳到藍色)，而FD-SOI則節(jié)點寬度優(yōu)勢明顯。

i.MX RT因為使用了應用處理器的架構，所以可以在40nm乃至更高節(jié)點工藝下進行制造。Geoff宣稱，未來3~5年內，NXP百分之80的新產品都會使用FD-SOI工藝。

用應用處理器的架構來設計MCU，這對于NXP本身而言確實是跨界的一種設計思路;而從產品角度來看，跨界的意義似乎并不明顯，這就是一款高性能的MCU產品，設計者仍然可以沿用MCU的工具鏈來對其進行開發(fā)，此乃一大利好。此外，i.MX RT延續(xù)i.MX 6的傳統(tǒng)，仍然是由上海研發(fā)中心的中國團隊完全設計而來，百分百的中國定義，中國制造，中國生產。Geoff表示未來i.MX RT產品線會不斷豐富，推出更高頻和低頻不同產品型號。