專(zhuān)注于MRAM(磁阻內(nèi)存)研究的Everspin最近宣布，繼去年底首次提供預(yù)產(chǎn)樣品之后，現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)第二代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)。

MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究，讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。

STT-MRAM則進(jìn)一步通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫(xiě)入，具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、損耗小、速度快等一系列優(yōu)點(diǎn)，但容量密度提升困難。

早在2012年的時(shí)候，Everspin就發(fā)布了第一代STT-MRAM，40nm工藝制造，封裝在一顆DDR3標(biāo)準(zhǔn)模塊中，兼容JEDEC DDR3-800，但容量只有256Mb(32MB)，使其主要只能用于嵌入式領(lǐng)域。

最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工藝，封裝于DDR4，支持8-bit或者16-bit界面，傳輸率1333MT/s(667MHz)，容量增大到了1Gb(128MB)，翻了兩番。

這或許能讓MRAM走進(jìn)更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，但要想追上DRAM內(nèi)存的存儲(chǔ)密度還有很長(zhǎng)的路要走，更別說(shuō)媲美NAND閃存了。

因此，在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，都不太可能看到機(jī)遇STT-MRAM的內(nèi)存或存儲(chǔ)產(chǎn)品，但或許能實(shí)現(xiàn)混合式SSD，比如講部分或全部DRAM緩存更換成MRAM，性能更強(qiáng)，還不怕掉電變磚。

事實(shí)上，IBM、希捷都在這么做了，近兩年還都展示了一些原型。

Everspin還有一個(gè)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，那就是唯一一個(gè)能提供獨(dú)立MRAM芯片的廠(chǎng)商，而在未來(lái)路線(xiàn)圖上，他們計(jì)劃下一步應(yīng)用GlobalFoundries 22nm FD-SOI工藝，進(jìn)一步提升STT-MRAM的性能和容量。