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[導讀]【2025年7月1日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應用的系統(tǒng)效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產(chǎn)品組合,在25°C時R?DS(on)?值為4至60 mΩ,廣泛適用于車載充電器(OBC)、 DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車(xEV)輔助設備等應用,以及電動汽車充電、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、通訊和開關電源(SMPS)等工業(yè)應用。

【2025年7月1日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應用的系統(tǒng)效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產(chǎn)品組合,在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ,廣泛適用于車載充電器(OBC)、 DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車(xEV)輔助設備等應用,以及電動汽車充電、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、通訊和開關電源(SMPS)等工業(yè)應用。

英飛凌CoolSiC? MOSFET 750 V G2

憑借4mΩ和7 mΩ的超低導通電阻,MOSFET在靜態(tài)開關應用中擁有出色的表現(xiàn),并成為eFuse、高壓電池關斷開關、固態(tài)斷路器和固態(tài)繼電器等應用的理想選擇。英飛凌創(chuàng)新的Q-DPAK頂部散熱式封裝專為提供領先的熱性能和可靠性設計,R DS(on) 值低至4 mΩ,實現(xiàn)行業(yè)內(nèi)最佳規(guī)格。

該技術還具有領先的R DS(on) x Q OSS 和更佳的R DS(on) x Q fr,可減少硬開關和軟開關拓撲結構中的開關損耗,在硬開關應用場景中效率尤為出色。由于柵極電荷減少,該技術可實現(xiàn)更快的開關速度并降低柵極驅(qū)動損耗,提高了在高頻率應用中的效率。

此外,CoolSiC? MOSFET 750 V G2在25°C時具有高電壓閾值(V GS(th),typ 為4.5 V)和超低Q GD/Q GS 比,進一步提高了對寄生導通(PTO)的抗擾性。該技術還支持柵極驅(qū)動能力擴展,可承受最高-7 V的靜態(tài)柵極電壓及最高-11 V的瞬態(tài)柵極電壓。這一更高的電壓耐受性為工程師提供了更大的設計余量,保證了與市場上其他產(chǎn)品更高的兼容性。

CoolSiC? 750 V G2具有出色的開關性能、極佳的易用性和優(yōu)異的可靠性,并且完全符合AEC Q101車規(guī)級部件標準和JEDEC工業(yè)級部件標準。該技術通過實現(xiàn)更加高效、緊湊和經(jīng)濟的設計,滿足了日益增長的市場需求,展現(xiàn)了英飛凌在安全關鍵型汽車應用可靠性和耐用性上的投入。

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