作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，Soitec于約兩月前以3000萬歐元的價格收購了氮化鎵(以下簡稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN。通過此次收購，Soitec在其不斷增長的硅基和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品系列中增加了GaN技術(shù)，也將借助GaN在5G中的優(yōu)勢，進(jìn)一步擴大功率放大器市場。

Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas Piliszczuk博士表示：“EpiGaN雖然是一家初創(chuàng)公司，但其產(chǎn)品技術(shù)十分成熟。相信在我們的支持下，其GaN材料相關(guān)的產(chǎn)品及技術(shù)將得到迅速的發(fā)展。”

收購EpiGaN——翹首以盼的機遇

盡管SOI產(chǎn)品占Soitec業(yè)務(wù)的95%左右，但Soitec一直在計劃將其業(yè)務(wù)擴展至SOI之外的相關(guān)領(lǐng)域。

正如Piliszczuk博士所指出的那樣：“SOI已不再是一個小眾市場，我們的業(yè)務(wù)范圍也在逐漸擴大中。因此，在過去的幾年內(nèi)，我們已經(jīng)初步展開了SOI之外的其他業(yè)務(wù)，例如使用壓電材料開發(fā)優(yōu)化襯底，在與所有主要射頻技術(shù)領(lǐng)域的公司合作的同時，逐步增加用于射頻濾波器的壓電絕緣體的產(chǎn)量。”

GaN材料將在高功率和射頻領(lǐng)域發(fā)揮重要作用

此外，Soitec也精心打磨了其Smart CutTM工藝。目前，它可被用于將一層薄薄的晶體材料從GaN或InP供體襯底轉(zhuǎn)移到另一個襯底，以生產(chǎn)出具有成本效益的化合物半導(dǎo)體晶圓。

Piliszczuk博士還談到：“我們與重要的微型LED制造商合作，為他們的設(shè)備提供這些襯底，這其中存在著很大的市場機遇。我們一直有關(guān)注GaN材料，如今，我們相信這項技術(shù)已經(jīng)逐漸發(fā)展成熟，可以帶來實際落地業(yè)務(wù)，尤其是在5G領(lǐng)域?！?/span>

與EpiGaN共創(chuàng)未來

EpiGaN將在Soitec發(fā)展中扮演關(guān)鍵角色。Soitec現(xiàn)有的SOI和POI產(chǎn)品滿足了5G基站和手機架構(gòu)中許多關(guān)鍵組件的需求，如收發(fā)器、低噪聲放大器、天線開關(guān)濾波器等。然而，利用EpiGaN的硅基氮化鎵(GaN-on-silicon)和碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片，Soitec如今可以在基站及手機的功率放大器市場上占有一席之地。

在EpiGaN完全整合入公司后，Soitec計劃在比利時哈瑟爾特的EpiGaN生產(chǎn)基地擴大生產(chǎn)規(guī)模。據(jù)Piliszczuk博士稱，除此之外，Soitec將在未來幾個月內(nèi)購買其他程序控制和清潔工具。他說：“我們有能力購買更多工具，并且我們有自信能夠充分使用這些資源。”

同時，Soitec將繼續(xù)把EpiGaN的外延片生產(chǎn)從六英寸轉(zhuǎn)為八英寸。Piliszczuk博士強調(diào)：“我們想確保這一項目迅速達(dá)到成熟。長遠(yuǎn)來看，我們可能還需要一個新的生產(chǎn)基地?！?/span>

持續(xù)擴大的業(yè)務(wù)

Soitec襯底產(chǎn)品

Soitec并未打算止步于氮化鎵材料。據(jù)Piliszczuk博士所稱，長時間以來，Soitec也在持續(xù)關(guān)注碳化硅的商業(yè)機會。

Piliszczuk博士說：“碳化硅是一個十分具有潛力的市場，我們也一直受到終端客戶的推動，他們相信Soitec可以為產(chǎn)業(yè)鏈帶來很多價值。碳化硅的供應(yīng)是一個巨大的挑戰(zhàn)，但是通過Smart CutTM工藝，我們可以將碳化硅晶體切割為薄層，并將其轉(zhuǎn)移到(受體)襯底上，從而產(chǎn)生更大的供給量。因此，Soitec十分重視碳化硅項目。”