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在NAND FLASH上建立YAFFS2文件系統(tǒng)
我們常說(shuō)的閃存其實(shí)只是一個(gè)籠統(tǒng)的稱呼，準(zhǔn)確地說(shuō)它是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM)的俗稱，特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說(shuō)的內(nèi)存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
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3D NAND將緩解SSD和移動(dòng)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求
根據(jù)英國(guó)分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)得出:全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來(lái)的最好成績(jī)，年收入比2016年增長(zhǎng)了22%，達(dá)到4291億美元。HIS認(rèn)為市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。
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美光科技宣布推出適用于旗艦級(jí)智能手機(jī)的尖端移動(dòng) 3D NAND 解決方案
美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動(dòng) 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。
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手機(jī)存儲(chǔ)容量需求大增，為3D NAND儲(chǔ)存鋪平道路
以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器的進(jìn)展鋪路…
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NAND Flash價(jià)格先降后升，DRAM則持續(xù)走高
2017 年，整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?
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NAND Flash價(jià)格崩盤前夕，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)面臨大考驗(yàn)！
據(jù)悉，在經(jīng)過(guò)為期一年半的價(jià)格暴漲之后，部分存儲(chǔ)芯片的價(jià)格突然急速下滑，之后三星電子發(fā)布了一份并不樂(lè)觀的2017年業(yè)績(jī)預(yù)期，這兩件事情讓那些押注芯片行業(yè)的投資人陷入了深深的不安，一些投資人曾經(jīng)認(rèn)為芯片行業(yè)的紅火至少還將持續(xù)一年半的時(shí)間。
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完成第三代3D-NAND Flash開發(fā)后，美光與英特爾合作結(jié)束
美光與英特爾在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴關(guān)系將于完成第三代3D-NAND Flash(96層)開發(fā)之后終止，各自研發(fā)未來(lái)的NAND Flash技術(shù)，以符合雙方品牌產(chǎn)品所需，并維持Lehi廠3D-XPoint的合作關(guān)系。
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NAND Flash成半導(dǎo)體行業(yè)2018年主戰(zhàn)場(chǎng)
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)3日提出，繼移動(dòng)裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動(dòng)通訊(5G )擴(kuò)增實(shí)境(AR)/虛擬實(shí)境(VR)及人工智慧(AI)將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長(zhǎng)期發(fā)展五大驅(qū)動(dòng)力。為迎相關(guān)應(yīng)用，存儲(chǔ)器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，并以儲(chǔ)存型(NAND Flash)為主要爭(zhēng)戰(zhàn)焦點(diǎn)。
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3D NAND擴(kuò)產(chǎn)在即，NAND Flash恐供過(guò)于求
受到部份零組件缺貨影響，ODM/OEM廠2017年第四季PC出貨不如預(yù)期，導(dǎo)致固態(tài)硬碟(SSD)需求急降，價(jià)格也一路走跌，2018年上半年NAND Flash市場(chǎng)供過(guò)于求已難避免。市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)期，三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，新產(chǎn)能將在2019年后開出，屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)將供過(guò)于求。
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東芝將投資擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash
2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠商的營(yíng)收，同時(shí)還對(duì)獲利有了巨大貢獻(xiàn)。 所以，當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo)，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日?qǐng)A的金額，準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。
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NAND Flash價(jià)格到頂了？美光說(shuō)并沒(méi)有
多位分析師近來(lái)發(fā)表NAND Flash價(jià)格觸頂言論，引發(fā)市場(chǎng)憂慮，美國(guó)內(nèi)存芯片大廠美光(Micron)周二以優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的上季業(yè)績(jī)，和亮眼的本季財(cái)測(cè)，打臉?lè)治鰩?，?yīng)能讓緊張的投資人安心享受年終假期。
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DRAM為什么將長(zhǎng)期供不應(yīng)求
DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。
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2018年第一季NAND Flash價(jià)格將翻轉(zhuǎn)走跌
據(jù)報(bào)道，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究指出，2018年第一季在需求端面臨到傳統(tǒng)淡季的沖擊，包含平板電腦、筆記本電腦以及以中國(guó)品牌為主的智能手機(jī)裝置量需求將較2017年第四季下跌逾15%，而服務(wù)器需求相對(duì)持平，整體位元需求量較2017年第四季呈現(xiàn)0-5%下跌。另一方面，NAND Flash供貨商仍持續(xù)提升3D-NAND Flash的產(chǎn)能及良率，位元產(chǎn)出成長(zhǎng)亦較第四季高于5%，預(yù)期NAND Flash市場(chǎng)將進(jìn)入供過(guò)于求態(tài)勢(shì)，2018年第一季固態(tài)硬盤、NAND Flash顆粒及waf
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三星豪賭260億美元,想壟斷DRAM和NAND市場(chǎng)?
內(nèi)存市場(chǎng)包含NAND Flash、NOR及DRAM，從2016年底開始到2017年第三季，受供給短缺，以及需求大幅增長(zhǎng)的影響，各種內(nèi)存的每季報(bào)價(jià)都有10%以上的成長(zhǎng)，可想而知三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)在2017年有多賺錢。
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SSD高價(jià)有望走低，或供過(guò)于求
據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告，今年過(guò)去的第三季度，由于手機(jī)和服務(wù)器供求缺口增大，NANDFlash閃存的整體營(yíng)收增加了14%。
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東芝談判案或?qū)⒂绊懳鞑繑?shù)據(jù)NAND供應(yīng)
西部數(shù)據(jù)的收入和利潤(rùn)在2018財(cái)年第一季度都有所增長(zhǎng)，但對(duì)東芝談判的失敗可能會(huì)在法庭上敗訴，影響對(duì)96層3D NAND業(yè)務(wù)。
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影馳發(fā)布全新ONE SSD：首用東芝64層3D閃存
作為傳統(tǒng)顯卡廠商的影馳正在向存儲(chǔ)廠商轉(zhuǎn)型，名人堂、GAMER、將三大系列產(chǎn)品完備，今天又通過(guò)特殊的線上發(fā)布會(huì)，帶來(lái)了全新的ONE系列，號(hào)稱“萬(wàn)里挑一”。
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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析
Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)
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NAND Flash市場(chǎng)格局：SK和東芝聯(lián)合對(duì)抗三星？
SK海力士(SK Hynix)日前終于如愿以美日韓聯(lián)盟成員身分與東芝(Toshiba)簽約，也為延宕許久的東芝半導(dǎo)體出售一案，暫時(shí)劃下句點(diǎn)。盡管SK海力士強(qiáng)調(diào)僅是投資者，但SK海力士與東芝在NAND Flash市場(chǎng)上，其實(shí)有許多復(fù)雜的競(jìng)爭(zhēng)及利害，因此未來(lái)SK海力士NAND Flash事業(yè)發(fā)展動(dòng)向，格外引起業(yè)界高度關(guān)注。
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2017年的內(nèi)存市場(chǎng)：一直在“缺貨”
內(nèi)存市場(chǎng)包含NAND Flash、NOR及DRAM，分別都受到供給短缺，以及需求大幅成長(zhǎng)的影響，導(dǎo)致內(nèi)存顆粒等料件價(jià)格暴漲。 不同內(nèi)存背后的市場(chǎng)供需變化，以及技術(shù)發(fā)展近況都是影響要素，同時(shí)，也影響著未來(lái)的價(jià)格走向。
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