內(nèi)存市場(chǎng)包含NAND Flash、NOR及DRAM，從2016年底開(kāi)始到2017年第三季，受供給短缺，以及需求大幅增長(zhǎng)的影響，各種內(nèi)存的每季報(bào)價(jià)都有10%以上的成長(zhǎng)，可想而知三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)在2017年有多賺錢。明年，三星將投入大量的人力物力繼續(xù)耕耘內(nèi)存市場(chǎng)，減緩DRAM和NAND降價(jià)速度。

據(jù)外媒報(bào)道，經(jīng)過(guò)50年的發(fā)展，半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然顯得非常活躍，它在今年有望增長(zhǎng)20%。隨著高增長(zhǎng)而來(lái)的是供應(yīng)短缺，這就是DRAM和閃存價(jià)格為什么今年會(huì)上漲的原因。

三星在DRAM和閃存市場(chǎng)占有半壁江山。它計(jì)劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍，提高至260億美元。相對(duì)而言，英特爾在2017年的資本支出預(yù)算僅為120億美元，較2016年增長(zhǎng)了25%。事實(shí)上，三星的預(yù)算約為2017年三家大公司英特爾、臺(tái)積電和SK海力士的資本支出預(yù)算的總和。

三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手現(xiàn)在面臨著一個(gè)艱難的抉擇。它們要么提高資本支出預(yù)算，保障足夠的供應(yīng)量，從而保有自己的市場(chǎng)份額，要么干脆放棄競(jìng)爭(zhēng)，因?yàn)槿歉叩漠a(chǎn)能將會(huì)產(chǎn)生別人難以企及的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。

任何想要追趕三星的公司都面臨著整個(gè)行業(yè)供給過(guò)剩、價(jià)格下滑以及虧損擴(kuò)大的問(wèn)題。半導(dǎo)體工廠必須全負(fù)荷運(yùn)行，才能維持最低的成本，只要價(jià)格能夠支付各種可變開(kāi)支和固定成本，那就值得繼續(xù)維持工廠運(yùn)轉(zhuǎn)。

但是，如果它們不增加預(yù)算，提高產(chǎn)能，那么它們就可能面臨市場(chǎng)份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的后果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠?qū)谷?。英特爾幾十年前就退出了DRAM業(yè)務(wù)。

英特爾和鎂光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性閃存)可能能夠在DRAM和閃存市場(chǎng)上占有一席之地。但是，這一希望注定落空，因?yàn)樗鼈儧Q定將3D XPoint捆綁到英特爾CPU上。此外，三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購(gòu)買或獲得授權(quán)使用與NVRAM競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)。

對(duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，一個(gè)利好的消息是：在未來(lái)12-18個(gè)月內(nèi)，我們應(yīng)該會(huì)看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現(xiàn)。但是，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，我們可能會(huì)看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產(chǎn)，減緩價(jià)格下降速度以及遏制競(jìng)爭(zhēng)。