滿足先進(jìn)汽車(chē)系統(tǒng)需求！西數(shù)3D NAND進(jìn)入車(chē)用市場(chǎng)！

Western Digital(西部數(shù)據(jù))公司近日推出了全球首款名為“i-NAND AT EU312 EFD”的3D TLC NAND車(chē)用嵌入式快閃存儲(chǔ)器，以滿足高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)等先進(jìn)汽車(chē)系統(tǒng)的需求。

STM32 USB SD卡讀卡器和NAND FLASH模擬U盤(pán)

本次工程是要同時(shí)實(shí)現(xiàn)SD卡讀卡器和NAND Flash模擬U盤(pán)的功能。結(jié)合之前的兩個(gè)工程，稍稍修改下就可以了。既然要實(shí)現(xiàn)兩個(gè)盤(pán)，當(dāng)然在usb_prop.c中的Max_Lun變量賦值為1，在USB_User組中同時(shí)添加fsmc_nand.c和sdio_sdcar

u-boot-2009.08在mini2440上的移植（三）---增加nand flash功能

移植環(huán)境1，主機(jī)環(huán)境：VMare下CentOS 5.5 ，1G內(nèi)存。2，集成開(kāi)發(fā)環(huán)境：Elipse IDE3，編譯編譯環(huán)境：arm-linux-gcc v4.4.3，arm-none-eabi-gcc v4.5.1。4，開(kāi)發(fā)板：mini2440，2M nor flash，128M nand flash。5，u-bo

西部數(shù)據(jù)公司發(fā)布面向高端智能手機(jī)的96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤(pán)

西部數(shù)據(jù)公司近日推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤(pán)(EFD)-西部數(shù)據(jù)iNAND?MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。

大容量存儲(chǔ)需求強(qiáng)勁！西部數(shù)據(jù)發(fā)布96層3D NAND UFS 2.1嵌入式存儲(chǔ)

西數(shù)發(fā)布的96層3D NAND UFS 2.1存儲(chǔ)就是針對(duì)這一情況發(fā)布的產(chǎn)品，具備iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，針對(duì)目前熱門(mén)的AI、AR和多攝像頭支持、高分辨率拍攝等領(lǐng)域有所優(yōu)化。

基于ARM和NAND Flash的FPGA加載配置在TD-LTE中的實(shí)現(xiàn)

三星明年對(duì)存儲(chǔ)器投資整體下降：DRAM投資大降20%，NAND Flash投資將增加

報(bào)道進(jìn)一步指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。

為減少對(duì)DRAM的依賴，SK加碼投資NAND！

日前有韓國(guó)媒體《Business Korea》分析，SK海力士這間M15工廠落成后，可借由擴(kuò)大生產(chǎn)來(lái)縮小市場(chǎng)差距。另外根據(jù)SK海力士在第2季的財(cái)報(bào)中顯示，DRAM占80%的銷(xiāo)量，NAND Flash則僅占18%，和三星電子60：40的比重來(lái)比，SK海力士對(duì)DRAM的依賴偏高。SK海力士打算借由此次加碼投資NAND Flash來(lái)減少對(duì)DRAM的依賴。

ARM 系列 -- FS2410 開(kāi)發(fā)板上 Nand Flash 到內(nèi)存的代碼搬移

一、目的 通過(guò)將 Nand Flash 前 4K 代碼搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的內(nèi)存， 為編寫(xiě) ARM bootloader 和搬移內(nèi)核到內(nèi)存作準(zhǔn)備。二、代碼 關(guān)于如何建立開(kāi)發(fā)環(huán)境，在我的前一篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循

長(zhǎng)江存儲(chǔ)高啟全：未來(lái)10年閃存 20%的市占率才能存活

對(duì)于一個(gè)多月前在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受中國(guó)證券報(bào)記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入。

STM32 USB NAND Flash模擬U盤(pán)無(wú)法格式化問(wèn)題的解決

前幾天，一直在尋找NAND Flash模擬U盤(pán)程序無(wú)法格式化的問(wèn)題。在中秋月圓之夜，還苦逼地在實(shí)驗(yàn)室調(diào)代碼，也許是杭州大圓月的原因，今晚感覺(jué)整人特別亢奮，效率也特別高，靈感也多。終于，在不懈的努力下，找到代碼中的

U-Boot中SMDK2410的NAND Flash驅(qū)動(dòng)

標(biāo)準(zhǔn)的SMDK2410板不支持NAND Flash，啟動(dòng)的時(shí)候是這樣的：U-Boot 1.1.2 (May 28 2006 - 08:20:50)U-Boot code: 33F80000 -> 33F99A14 BSS: -> 33F9DB0CRAM Configuration:Bank #0: 30000000 64 MBFlash: 1 MB*** War

新款iPhone 存儲(chǔ)器是定價(jià)的關(guān)鍵

根據(jù)《彭博社》24日?qǐng)?bào)導(dǎo)，蘋(píng)果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手機(jī)，不同儲(chǔ)存容量版本，定價(jià)策略都有特別考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版為準(zhǔn)，蘋(píng)果預(yù)計(jì)512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多賺取約134美元獲利。

東芝、西數(shù)宣布Fab 6工廠正式啟用！重點(diǎn)生產(chǎn)96層堆棧3D NAND閃存

今天東芝、西數(shù)一起宣布他們位于日本四日市三重縣的Fab 6工廠正式啟用，配套的閃存研發(fā)中心今年3月份已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)了，新的研發(fā)及生產(chǎn)中心重點(diǎn)就是96層堆棧3D NAND閃存，QLC閃存也將是重點(diǎn)，該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進(jìn)一步提速。

從Nand Flash啟動(dòng)U-BOOT的基本原理

前4K的問(wèn)題如果S3C2410被配置成從Nand Flash啟動(dòng)(配置由硬件工程師在電路板設(shè)置), S3C2410的Nand Flash控制器有一個(gè)特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand Flash控制器會(huì)自動(dòng)的把Nand Flash上的前4K數(shù)據(jù)搬移到4K內(nèi)部RAM中

中韓大力興建晶圓廠，兩國(guó)投資占全球一半

近年來(lái)中國(guó)對(duì)半導(dǎo)體愈加重視，并大力投資興建晶圓廠，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相對(duì)發(fā)達(dá)的韓國(guó)也對(duì)建設(shè)晶圓廠非常重視，投資金額超過(guò)中國(guó)成為世界投資晶圓廠最多的國(guó)家。

中韓近年來(lái)大手筆興建晶圓廠，投資遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其他地區(qū)

其中韓國(guó)將以630億美元的投資領(lǐng)于其它地區(qū)，僅比排名第二的中國(guó)多10億美元。日本和美洲在晶圓廠方面的投資分別為220億美元和150億美元。而歐洲和東南亞投資總額均為80億美元。其中大約60%的晶圓廠將服務(wù)于內(nèi)存領(lǐng)域(占比最大的將是3D NAND閃存，用于智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)產(chǎn)品)，而三分之一的晶圓廠將用于代工芯片制造。

迎接SSD低價(jià)大容量時(shí)代，群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash SSD控制芯片正式出貨

群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成表示，QLC規(guī)格的單顆Flash晶粒儲(chǔ)存空間較上一代TLC規(guī)格多出1倍，容量升級(jí)、價(jià)格親民，這象征著SSD(固態(tài)硬盤(pán))正式迎接低價(jià)大容量的時(shí)代!

STM32使用FSMC控制NAND flash 例程

近幾天開(kāi)發(fā)項(xiàng)目需要用到STM32驅(qū)動(dòng)NAND FLASH，但由于開(kāi)發(fā)板例程以及固件庫(kù)是用于小頁(yè)（512B），我要用到的FLASH為1G bit的大頁(yè)（2K），多走了兩天彎路。以下筆記將說(shuō)明如何將默認(rèn)固件庫(kù)修改為大頁(yè)模式以驅(qū)動(dòng)大容量NA

NAND閃存架構(gòu)還要再跌11-13%，希捷、西數(shù)股價(jià)遭殃

與內(nèi)存相比，NAND閃存價(jià)格在今年初就開(kāi)始由漲轉(zhuǎn)跌，上半年跌幅至少50%。對(duì)于未來(lái)的NAND價(jià)格走勢(shì)，市場(chǎng)及分析師普遍認(rèn)為還會(huì)繼續(xù)再跌11-13%。NAND閃存價(jià)格下跌，但是今天股價(jià)遭殃的反而是希捷、西數(shù)，其中希捷股價(jià)暴跌7%，Evercore分析師大幅下調(diào)了希捷的目標(biāo)股價(jià)。