傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日，國(guó)內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過(guò)項(xiàng)目評(píng)審和論證，在開(kāi)放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(huì)（OCTC）獲批立項(xiàng)。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位，將牽頭圍繞冷板、連...

（全球TMT2022年9月20日訊）9月16日至18日，借第19屆中國(guó)—東盟博覽會(huì)開(kāi)展之機(jī)，首屆中國(guó)—東盟和平利用核技術(shù)論壇在廣西南寧召開(kāi)。中核集團(tuán)同方股份有限公司出席活動(dòng)，并聯(lián)合核安保技術(shù)中心、中國(guó)原子能工業(yè)有限公司...

為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來(lái)更多的工程洞見(jiàn)。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

北京, 2022年9月20日 /美通社/ -- 9月16日至18日，借第19屆中國(guó)—東盟博覽會(huì)開(kāi)展之機(jī)，首屆中國(guó)—東盟和平利用核技術(shù)論壇在廣西南寧召開(kāi)。中核集團(tuán)同方股份有限公司出席活動(dòng)，并聯(lián)合核安保技術(shù)中心、中...

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...

2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制，使其成為...

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間太長(zhǎng)，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開(kāi)關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開(kāi)關(guān)器件，這個(gè)問(wèn)題...

（全球TMT2022年8月18日訊）近日，TUV南德意志集團(tuán)（簡(jiǎn)稱"TUV南德"）授予深圳光峰科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱"光峰科技"）目擊測(cè)試實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)。 TUV南德授予光峰科技目擊測(cè)試實(shí)驗(yàn)室資質(zhì) 作為全球領(lǐng)先...

碳化硅 (SiC) 因其更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外，在過(guò)去五年中，汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場(chǎng)。事實(shí)證明，通過(guò) SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 A...

（全球TMT2022年7月20日訊）2019年7月22日，安集科技作為首批25家企業(yè)之一，正式登陸科創(chuàng)板。對(duì)于安集科技而言，這是變化巨大的三年。公司在上市后業(yè)務(wù)規(guī)模迅速實(shí)現(xiàn)翻番，研發(fā)能力得到快速提升。安集在對(duì)化學(xué)機(jī)械拋...

上海2022年7月20日 /美通社/ -- 2019年7月22日，安集科技（688019.SH）作為首批25家企業(yè)之一，正式登陸科創(chuàng)板。三年倏忽而過(guò)，安集科技耕行不輟，創(chuàng)新助力"中國(guó)芯"，在國(guó)內(nèi)集成電...

工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)，可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見(jiàn)的電動(dòng)機(jī)類型，它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。它可以吸收一個(gè)行業(yè)高達(dá) 60% 的全部電力需求，因此對(duì)于驅(qū)動(dòng)器提供高...

本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的電子負(fù)載時(shí)。讓我們通過(guò)描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的，因?yàn)樾碌?SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開(kāi)...

與低功率同類產(chǎn)品不同，MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會(huì)產(chǎn)生大量熱量。因此，有效的熱管理對(duì)于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要，包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)...

今天的汽車配備了種類繁多的電子配件和電子安全輔助裝置，使車輛更具吸引力、更安全和更易于使用。此外，傳統(tǒng)的液壓系統(tǒng)(如動(dòng)力轉(zhuǎn)向和自動(dòng)變速箱)正在被電動(dòng)等效系統(tǒng)取代，以幫助減輕整體重量并提高燃油經(jīng)濟(jì)性。

電力設(shè)計(jì)是由市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)的，以提高效率和生產(chǎn)力，同時(shí)符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng)，這得益于功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長(zhǎng)期以來(lái)一直在功率半導(dǎo)體中占據(jù)主...

2022年3月24日，世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)與成都方舟微電子有限公司(下稱“方舟微“)簽署合作協(xié)議，方舟微授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)代理旗下耗盡型MOSFET、增強(qiáng)型MOSFET和保護(hù)器件等全線產(chǎn)品。

在幾家造車新勢(shì)力高調(diào)推出搭載碳化硅芯片模組的主驅(qū)逆變器大功率平臺(tái)電動(dòng)汽車后，中國(guó)功率半導(dǎo)體上車進(jìn)程開(kāi)始進(jìn)入白熱化，電車廠紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。