MOSFET
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最佳電源模塊選擇標(biāo)準(zhǔn)
目前，許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理，特別是無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)采用分布式電源架構(gòu)供電。這些復(fù)雜的系統(tǒng)要求電源管理解決方案能夠監(jiān)控電源，直至每個精確的參數(shù)。為達(dá)到這種性能水平，大部分設(shè)計采用FPGA、微處理器、
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理解功率 MOSFET 的電流
通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設(shè)計過程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
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晶片設(shè)計/封裝別出心裁 電源供應(yīng)系統(tǒng)加速“綠”化
隨著各國法規(guī)對電子產(chǎn)品耗電量的要求日益嚴(yán)苛，消費者也開始將節(jié)能效果的良窳，做為采購時的重要參考指標(biāo)。為符合市場需求，電源晶片商正全力開發(fā)更高轉(zhuǎn)換效率的解決方案，以因應(yīng)電源供應(yīng)器朝向更高節(jié)能效率發(fā)展的風(fēng)
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Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎
2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。 《今
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Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于
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一種高效率AC/DC電源的設(shè)計
由于功率密度的增加，能量損耗的密度也更為集中。更高的效率就意味著更低的熱損耗。提高電源效率正在迅速成為提高功率密度時唯一可行的措施。本文討論的AC/DC電源，80%以上的效率就可以被視為高效率?，F(xiàn)在，市場上可
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兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計
由分立器件組成的驅(qū)動電路((如圖所示)，驅(qū)動電路工作原理如下： A.當(dāng)HS為高電平時，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
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低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較
新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計人員設(shè)計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！ ”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、
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電動自行車控制器MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計
電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當(dāng)今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
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高精度MOSFET設(shè)計技巧
隨著個人計算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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Blade封裝技術(shù)助力 低壓MOSFET效能升級
在綠色節(jié)能熱潮持續(xù)發(fā)燒與能源規(guī)范日趨嚴(yán)格等因素驅(qū)使下，市場對電源供應(yīng)系統(tǒng)的效率和功率密度的要求也不斷提升。為因應(yīng)此一發(fā)展趨勢，英飛凌(Infineon)已研發(fā)出采用新一代Blade封裝技術(shù)的低壓金屬氧化物場效電晶體(
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM
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低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較
新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計人員設(shè)計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品。 便攜式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、
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高精度MOSFET設(shè)計技巧
隨著個人計算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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高精度MOSFET設(shè)計技巧
隨著個人計算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)
