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Veeco與ALLOS共同展示200mm硅基氮化鎵外延片產品
Veeco Instruments Inc． 與 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為microLED生產應用提供業(yè)內領先的
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碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路
電信行業(yè)連接著全球數十億人和數百萬家企業(yè)。電信行業(yè)的增長是以新技術為基礎的。這些新技術使互聯(lián)互通成為可能，為用戶提供頗具吸引力的新功能，并證明升級和擴大蜂窩網絡基礎設施的投資是合理的。伴隨著早期 4G LTE 技術支持的數據通信的出現，通信服務呈爆
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寬帶多級硅基氮化鎵功率放大器模塊，你知道嗎？
什么是寬帶多級硅基氮化鎵功率放大器模塊?它有什么作用?2019年2月14日，美國馬薩諸塞州洛厄爾 – 全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產品組合。
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半導體材料風靡來襲，我國對此很是重視
化合物半導體以不同于硅材料等傳統(tǒng)半導體的物理特性，擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點，特別適合于制造射頻通信器件、光電子器件、電力電子器件等，在現今最火熱的5G通信、新能源等市場中具有明確而可觀的前景，是半導體產業(yè)重要的發(fā)展方向。
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世強再添產品線 與擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵量產線的英諾賽科簽約
近日，世強與國產品牌英諾賽科(Innoscience)簽約，代理其全線產品。本次簽約，不僅意味著世強進一步拓展了功率和射頻器件的產品線，還意味著英諾賽科的產品采購、資料下載、技術支持等服務內容均可由世強元件電商支持。
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國產GaN研發(fā)取得突破進展，本月底試產，明年正式量產！
陳鈺林透露，國產GaN研發(fā)取得突破進展，100V、150V、650V三個GaN新品將于2018年12月底試產，2019年正式量產。目前，英諾賽科已有5個產品(40V、60V、100V等)實現小批量生產并有接到訂單，這些產品均采用了目前行業(yè)領先的8寸Fab產線制造。
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氮化鎵的卓越表現：推動主流射頻應用實現規(guī)模化、供應安全和快速應對能力
數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
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VEECO和ALLOS展示行業(yè)領先的200MM硅基氮化鎵性能，推動micro-LED的應用
Veeco 公司 (Nasdaq: VECO)今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)達成了一項戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍/綠光microLED的生產。維易科和ALLOS合作將其專有外延技術轉移到Propel® 單晶圓MOCVD系統(tǒng)，從而在現有的硅生產線上實現生產micro-LED。
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東芝計劃退出白光LED市場
近日，日本東芝(Toshiba)宣布將于2015年度末(2016年3月底)退出白光LED領域。而去年7月，東芝宣布計劃在2014~2016年度期間投資500億日元引進新設備，旨在于2016年結束前將白光LED的月產能擴增至15億件，占據全球白光L
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東芝宣布將退出白光LED市場 誰將受益？
近日，日本東芝(Toshiba)宣布將于2015年度末(2016年3月底)退出白光LED領域。而去年7月，東芝宣布計劃在2014~2016年度期間投資500億日元引進新設備，旨在于2016年結束前將白
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住友電氣SEDI 借助AIXTRON 愛思強系統(tǒng)推動碳化硅基氮化鎵設備生產
核心提示：日本住友電氣工業(yè)株式會社所屬Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI)已訂購一套4 英寸晶圓規(guī)格AIXTRON 愛思強CRIUS? MOCVD 系統(tǒng)，以推動用于高頻數據傳輸應用的碳化硅基氮化鎵器件產品的生產
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HIS：硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額
據外媒EETasia報道，統(tǒng)計機構HIS預測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達到40%，目前該種LED市場占有率僅為1%據HIS的統(tǒng)計數據，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶片在LED市場2013-2020年間復合年滲透增長率將會達到69%，屆
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HIS：硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額
據外媒EETasia報道，統(tǒng)計機構HIS預測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達到40%，目前該種LED市場占有率僅為1%據HIS的統(tǒng)計數據，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2
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Plessey推新一代硅基氮化鎵LED 光效翻倍[譯]
LEDinside譯 英國普萊思半導體（Plessey）宣布推出新一代硅基氮化鎵LED。型號為PLW114050，目前正在出樣，這是Plessey該系列中首款入門級LED照明產品。Plessey提供被鋸成晶圓裸片形式的藍光PLB010050。
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Plessey推新一代硅基氮化鎵LED 光效翻倍
英國普萊思半導體（Plessey）宣布推出新一代硅基氮化鎵LED。型號為PLW114050，目前正在出樣，這是Plessey該系列中首款入門級LED照明產品。Plessey提供被鋸成晶圓裸片形式的藍光PLB010050。該0.2W器件的光通量最高可達
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德國Azzurro推出“1 Bin”波長硅基氮化鎵LED晶圓
據報道，德國半導體制造商Azzurro展示了‘1-bin’波長的LED晶圓，該技術可以做到少于3nm波長一致性生產數值，并在開發(fā)中得到1nm的結果。該公司表示，該破紀錄的1nm成功表明AZZURRO的技術有能力做出‘
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東芝硅基氮化鎵白光LED封裝產品開賣
據外媒報道，東芝已經開始出售硅基氮化鎵白光LED封裝產品，期待利用成本競爭優(yōu)勢替代目前市面上的LED器件。LED芯片通常是在昂貴的藍寶石襯底上制作2英寸或4英寸的晶圓。東芝與普瑞公司已經開發(fā)出一種更低成本的制程—
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東芝推出第二代硅基氮化鎵白色LED產品
東芝公司（ToshibaCorporation）宣布推出第二代采用硅基氮化鎵（GaN-on-Si）工藝打造的白色LED產品。“TL1F2系列”是在200mm硅晶圓上使GaN結晶生長制造而成。新產品計劃于2013年11月投入量產。此前，東芝于2012年12月
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“火力全開” 東芝推二代硅基氮化鎵白光LED
東芝電子歐洲（TEE）近日推出采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程研發(fā)的第二代LETERASTM白光LED，相比當下的LED器件，1W TL1F2系列的LED是具有成本競爭優(yōu)勢的，可為通用和工業(yè)LED照明制造商降低成本。 高性能白光LED通常被
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LED封裝市場持續(xù)增長 2018年將達160億美元
2012通用照明成為最大的LED封裝應用領域，LED這種取代性技術將是增長趨勢延續(xù)到2018年。除了照明領域，其他LED應用市場也在快速發(fā)展。當下，封裝LED市場為139億美元，未來五年增速平緩，并將在2018年達到峰值——160
