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卡位16/14納米市場商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機(jī)，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市
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爭搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機(jī)，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市
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爭搶1xnm代工商機(jī),晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14奈米市場商機(jī)，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市
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東芝3D NAND晶圓廠破土動工帶動NAND Flash業(yè)復(fù)蘇
據(jù)外媒electronicsweekly報道，東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工，應(yīng)對未來NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)需求；該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。東芝公司表示：“公司將擴(kuò)大五號半導(dǎo)體制造工廠（Fa
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挑戰(zhàn)英特爾 臺積電的三大優(yōu)勢
由數(shù)據(jù)顯示，目前全球有8 寸晶圓廠的半導(dǎo)體公司約有76家，12寸廠有27家，升級的家數(shù)越來越少，會有這樣的現(xiàn)象，原因在于資金墊高了產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門檻。由早期投資一座月產(chǎn)能2 萬片的八寸廠需花費(fèi)8~10 億美元，到了現(xiàn)在1
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大陸太陽能多晶硅攀升 臺硅晶圓廠醞釀漲價
大陸太陽能廠獲喘息，推升太陽能多晶硅價格上揚(yáng)，硅晶圓報價也同步攀升，臺灣太陽能硅晶圓也決定跟進(jìn)調(diào)漲，預(yù)料有助第4季虧損減輕，甚至力拚轉(zhuǎn)盈。全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）旗下綠能研究部門EnergyTre
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挑戰(zhàn)英特爾 臺積電的三大優(yōu)勢
由數(shù)據(jù)顯示，目前全球有8 寸晶圓廠的半導(dǎo)體公司約有76家，12寸廠有27家，升級的家數(shù)越來越少，會有這樣的現(xiàn)象，原因在于資金墊高了產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門檻。由早期投資一座月產(chǎn)能2 萬片的八寸廠需花費(fèi)8~10 億美元，到了現(xiàn)在1
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東芝開發(fā)半導(dǎo)體設(shè)備自動中止與關(guān)閉系統(tǒng)
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)和Nippon Denno Co., Ltd.開發(fā)出一種自動中止與關(guān)閉系統(tǒng)，可在發(fā)生地震時，關(guān)閉半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。該系統(tǒng)已從2013年2月起在東芝旗下子公司—東芝巖手電子公司(Iwate Toshi
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中芯國際公布二零一三中期業(yè)績
上海2013年8月27日電 /美通社/ -- 國際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司（紐約交易所：SMI；香港聯(lián)交所：981）（"中芯"或"本公司"）公布截至二零一三年六月三十日止六個月未經(jīng)審核中期業(yè)績。 摘
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半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計劃
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠；該
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
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半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計劃
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠；該
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英特爾一馬當(dāng)先 首座450mm晶圓廠已動工
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18吋(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18吋晶圓IC的研發(fā)晶圓廠；
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英特爾低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計劃
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起"順利展開"，該座代號為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該
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半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計劃
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠；該
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半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計劃
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為D1X第二期(module2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠；該
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
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領(lǐng)跑先進(jìn)制程，英特爾450mm晶圓廠已于1月動工
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18吋(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18吋晶圓IC的研發(fā)晶圓廠；
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半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計劃
英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
