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[導(dǎo)讀]繼第一至第九階段可靠性測(cè)試報(bào)告后,EPC公司的第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告進(jìn)一步豐富知識(shí)庫(kù)。此報(bào)告對(duì)超過(guò)30,000個(gè)元件進(jìn)行了超過(guò)1,800萬(wàn)小時(shí)的應(yīng)力測(cè)試后,沒(méi)有器件發(fā)生故障。在過(guò)去的兩年間,我們所付運(yùn)的數(shù)百萬(wàn)個(gè)元件沒(méi)有發(fā)生現(xiàn)場(chǎng)失效的情況。

繼第一至第九階段可靠性測(cè)試報(bào)告后,EPC公司的第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告進(jìn)一步豐富知識(shí)庫(kù)。此報(bào)告對(duì)超過(guò)30,000個(gè)元件進(jìn)行了超過(guò)1,800萬(wàn)小時(shí)的應(yīng)力測(cè)試后,沒(méi)有器件發(fā)生故障。在過(guò)去的兩年間,我們所付運(yùn)的數(shù)百萬(wàn)個(gè)元件沒(méi)有發(fā)生現(xiàn)場(chǎng)失效的情況。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告,成功通過(guò)車規(guī)級(jí)AEC-Q101應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證。AEC-Q101認(rèn)證要求功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管符合最高的可靠性標(biāo)準(zhǔn),不僅僅要求器件符合數(shù)據(jù)表內(nèi)所載的條件而沒(méi)有發(fā)生故障,也同時(shí)要求在應(yīng)力測(cè)試中,具有低漂移。請(qǐng)注意,EPC所采用的晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝(WLCSP)也符合所有針對(duì)傳統(tǒng)封裝的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),展示出該封裝具備卓越性能之同時(shí)沒(méi)有影響到器件的穩(wěn)固性或可靠性。

第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告探討了超越AEC-Q101認(rèn)證要求的可靠性測(cè)試,從而深入了解可導(dǎo)致器件發(fā)生故障的各種獨(dú)特機(jī)理。報(bào)告內(nèi)的一個(gè)章節(jié)闡析在硬開關(guān)時(shí),測(cè)試極端的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通阻抗。測(cè)試結(jié)果顯示,氮化鎵(eGaN)器件在長(zhǎng)期、不間斷的開關(guān)情況下,仍然可以穩(wěn)定地工作。

第三個(gè)章節(jié)進(jìn)一步探討第六階段可靠性測(cè)試報(bào)告中的加速應(yīng)力測(cè)試。除了繼續(xù)監(jiān)測(cè)柵極漏電流外,在每個(gè)間距限定其它器件的參數(shù)((VTH 及 IDSS)。在高柵極應(yīng)力的情況下,這些數(shù)據(jù)可以看到更全面的器件衰減情況,從而看到多個(gè)獨(dú)立物理故障機(jī)理。測(cè)試結(jié)果表明,氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)的柵極是非常穩(wěn)固及可靠的。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow博士說(shuō):“氮化鎵(eGaN)器件投入量產(chǎn)超過(guò)9年,以及在實(shí)驗(yàn)室和客戶的應(yīng)用中的測(cè)試結(jié)果都顯示eGaN器件是非??煽康摹?蛻舻膽?yīng)用廣泛,例如面向全自動(dòng)駕駛車輛的激光雷達(dá)、4G通信基站及衛(wèi)星等應(yīng)用。”

Lidow博士繼續(xù)說(shuō):“我們發(fā)布這份可靠性測(cè)試報(bào)告,旨在繼續(xù)實(shí)踐我們的承諾 - 監(jiān)測(cè)氮化鎵器件以符合業(yè)界嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn),以及與功率轉(zhuǎn)換工程師分享報(bào)告結(jié)果-我們確定超過(guò)30,000個(gè)EPC元件在經(jīng)過(guò)1,800萬(wàn)小時(shí)以上的應(yīng)力測(cè)試后,沒(méi)有任何元件發(fā)生故障。”

EPC公司的第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告豐富了之前的九份可靠性測(cè)試報(bào)告所構(gòu)建的知識(shí)庫(kù),并代表我們繼續(xù)承諾持續(xù)對(duì)氮化鎵技術(shù)進(jìn)行研究、學(xué)習(xí)及分享氮化鎵技術(shù)可靠性的的信息。

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