作為一種最重要、最成熟的化合物半
導體材料，砷化鎵是當前國際上熱門的科技前沿技術材料，我國目前已進入該技術領域的世界前
列。



記者今天從北京有色金屬研究總院獲悉，由該院承擔的“九五”
國家重點科技攻關項目“蒸汽壓控制直拉法（VCZ法）生長半絕緣砷化鎵單晶新技術研究”日前通
過國家驗收，利用該技術，北京有色金屬研究總院成功拉制出國內(nèi)第一根直徑4英寸VCZ半絕緣砷
化鎵單晶，使我國成為繼日本、德國之后第三個掌握該技術的國家。（摘自《中國經(jīng)濟時報》）