【賽迪網(wǎng)訊】AMOLED背板技術(shù)重點(diǎn)是要解決大尺寸化問(wèn)題以及降低成本。

OLED顯示依據(jù)驅(qū)動(dòng)方式不同，分為無(wú)源驅(qū)動(dòng)OLED(PMOLED)和有源驅(qū)動(dòng)OLED(AMOLED)兩類(lèi)。與PMOLED相比，AMOLED具有更大的優(yōu)勢(shì)和更廣的應(yīng)用領(lǐng)域。近年來(lái)的市場(chǎng)調(diào)查顯示，雖然OLED顯示市場(chǎng)在快速增長(zhǎng)，但PMOLED的市場(chǎng)卻在縮小。而OLED顯示越來(lái)越頻繁地出現(xiàn)在人們視野中，OLED顯示技術(shù)越來(lái)越被接納作為新一代平板顯示技術(shù)。

積極開(kāi)發(fā)非硅基TFT背板技術(shù)

與TFT-LCD的原理近似，AMOLED顯示是利用對(duì)應(yīng)每一個(gè)像素的薄膜晶體管(TFT)電路來(lái)控制作為像素的OLED單元發(fā)光，不同的是，AMOLED是通過(guò)控制流過(guò)OLED單元的電流發(fā)光的，因而對(duì)驅(qū)動(dòng)像素的背板有著不同要求。對(duì)于AMOLED顯示來(lái)說(shuō)，其驅(qū)動(dòng)背板首先要求其上的TFT電路具有較大的電流通過(guò)能力，即要求TFT的溝道具有較高的載流子遷移率，通常認(rèn)為需要達(dá)到5cm 2/Vs以上，而且為保證對(duì)顯示效果的控制，還要求在背板上不同區(qū)域內(nèi)像素的TFT特性具有一致性和穩(wěn)定性。此外從生產(chǎn)制造、成本等來(lái)看，對(duì)TFT背板的制程工藝有著不同的要求。也正因?yàn)檫@些原因，使得AMOLED的驅(qū)動(dòng)背板技術(shù)成為OLED器件技術(shù)外的另一大難點(diǎn)，其難度遠(yuǎn)超過(guò)TFT-LCD的非晶硅TFT背板技術(shù)。AMOLED驅(qū)動(dòng)背板技術(shù)的研發(fā)已是當(dāng)前AMOLED技術(shù)研發(fā)中最重要的方向。

可滿足AMOLED顯示的TFT背板技術(shù)包括硅基TFT和非硅基的新TFT技術(shù)，其中硅基TFT中的低溫多晶硅(LTPS)技術(shù)是目前最為成熟的、唯一用于量產(chǎn)的AMOLED用TFT背板技術(shù)。低溫多晶硅技術(shù)顯著的特點(diǎn)是其結(jié)晶化工藝的溫度低于600℃，按照引發(fā)硅結(jié)晶的方法或設(shè)備，主要分為固相晶化、激光晶化和金屬誘導(dǎo)晶化三類(lèi)技術(shù)，此外還有熱等離子噴射晶化等一些更實(shí)驗(yàn)室化的以及混合采用上述三種技術(shù)的多晶硅TFT技術(shù)。

硅作為使用最廣泛的半導(dǎo)體材料，已經(jīng)成功地應(yīng)用在AMOLED顯示中，但即使是成功量產(chǎn)的LTPS背板技術(shù)仍有其局限，如大尺寸化、設(shè)備成本、產(chǎn)率、材料成本等，因此產(chǎn)業(yè)界在學(xué)術(shù)界研究的基礎(chǔ)上積極開(kāi)發(fā)性能更好的非硅基TFT背板技術(shù)。 來(lái)源賽迪網(wǎng)-中國(guó)電子報(bào))