6月5日，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式，宣布英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。該項(xiàng)目位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，一期投資80億元，用地213畝，按當(dāng)前計劃，到2021年底，產(chǎn)能可達(dá)6000片每月。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓，年產(chǎn)值120億元，利稅15億元以上。

在量產(chǎn)儀式上，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理孫在亨表示，蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地正式量產(chǎn)是英諾賽科的一個里程碑。自項(xiàng)目從2018年6月正式啟動以來，過去三年英諾賽科爭分奪秒，奮力推進(jìn)項(xiàng)目建設(shè)，在2019年8月主廠房封頂，于2020年9月開始設(shè)備搬入，到2021年6月就實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，從設(shè)備搬入到開始量產(chǎn)僅用了8個半月時間，這是每一位英諾賽科人與合作伙伴的榮耀，也必將寫入第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史。

孫在亨指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展70多年后，硅材料在功率和射頻方面的應(yīng)用潛能已經(jīng)被充分挖掘，難以大幅提高，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料適逢其會，將引領(lǐng)未來十年半導(dǎo)體市場增長趨勢。該基地進(jìn)入量產(chǎn)，標(biāo)志著這家全球氮化鎵產(chǎn)能規(guī)劃最大的企業(yè)為氮化鎵應(yīng)用時代的到來做好了準(zhǔn)備。

與硅材料相比，氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體材料也被稱為第三代半導(dǎo)體技術(shù)。與硅材料相比，寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速度高、擊穿場強(qiáng)高等優(yōu)勢。因此，用寬禁帶半導(dǎo)體材料制作的器件具有耐高溫、耐高壓、損耗低、高頻特性好等特點(diǎn)， 在功率與射頻應(yīng)用中具有極高潛力。

在量產(chǎn)儀式上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金總裁丁文武等先后發(fā)言，對英諾賽科在我國化合物半導(dǎo)體（即第三代半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)發(fā)展中做出的成績予以肯定，也期許英諾賽科為我國氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展開創(chuàng)新局面，做出更大貢獻(xiàn)。

在此前一天舉行的硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會上，英諾賽科市場與銷售副總裁顧怡祥在演進(jìn)中指出，英諾賽科是全球僅有的從低壓到高壓（30V-650V）全覆蓋的氮化鎵整合元件制造商。在快充適配器市場，已經(jīng)有超過60家客戶的量產(chǎn)產(chǎn)品采用英諾賽科器件，出貨量達(dá)到千萬級；在激光雷達(dá)市場，超過5家廠商采用英諾賽科方案，出貨量達(dá)到百萬；在數(shù)據(jù)中心和手機(jī)應(yīng)用上，英諾賽科產(chǎn)品也進(jìn)入多家核心客戶方案中。

氮化鎵市場正處于早期發(fā)展階段向大規(guī)模應(yīng)用跨越的關(guān)鍵期，英諾賽科的使命就是打通當(dāng)前技術(shù)普及面臨的種種障礙，跨越鴻溝，讓氮化鎵技術(shù)真正惠及社會民生。

在量產(chǎn)儀式同期，英諾賽科還舉辦了研發(fā)樓奠基儀式。據(jù)公開信息，作為被國家四部委(發(fā)改委、工信部、財政部、海關(guān)總署)列入重點(diǎn)支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè)，英諾賽科是國內(nèi)第一個通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目；同時，作為蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)，英諾賽科承擔(dān)了多個國家部委及省相關(guān)部門的重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目。該研發(fā)樓建筑面積3.5萬平方米，共十層，高50米，將辦公、研發(fā)、餐廳三大功能融合在一起，研發(fā)樓建成投入使用以后，將為英諾賽科長期發(fā)展奠定良好基礎(chǔ)。