恩智浦半導(dǎo)體與臺積電于國際電子器件會議發(fā)表七項半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)
由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司恩智浦半導(dǎo)體 (NXP Semiconductors)與臺灣積體電路制造股份有限公司于美國華盛頓特區(qū)(Washington D.C.)舉行的國際電子器件會議(International Electron Devices Meeting，IEDM)上共同發(fā)表七篇技術(shù)文章，報告雙方通過恩智浦-臺積電研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作開發(fā)的半導(dǎo)體技術(shù)及制程方面的創(chuàng)新。
在會議中，恩智浦 –臺積電研究中心發(fā)表了創(chuàng)新的嵌入式存儲技術(shù)，這與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相較，速度最多可以快上1,000倍，同時也具備小尺寸及低功耗等優(yōu)勢，預(yù)估其功耗較目前的存儲器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存儲器節(jié)省百分之五到十。此外，在使用近距無線通信技術(shù)(NFC，Near Field Communication)進(jìn)行移動支付或數(shù)據(jù)傳輸時，此技術(shù)有助于避免數(shù)據(jù)干擾并可以增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩浴?/P>
另一個技術(shù)文章發(fā)表的是置換傳統(tǒng)石英諧振器的創(chuàng)新突破，此技術(shù)可以在芯片中內(nèi)建更小及更薄的定時器，而可以直接在智能卡或移動電話SIM卡芯片上內(nèi)建定時器，進(jìn)一步強化智能卡的加密保護功能。
此外，該研究中心也將發(fā)表在晶體管上的創(chuàng)新突破，報告新一代晶體管的效能以及其在多方面的應(yīng)用。
恩智浦 –臺積電研究中心于IEDM所發(fā)表的七篇技術(shù)文章其創(chuàng)新突破簡介如下：
*提高晶體管頻率 (High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial collector-base process
*簡化便攜產(chǎn)品應(yīng)用的低耗電量CMOS制程 (Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer
*新一代晶體管 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack
*展現(xiàn)高效能CMOS制程 (Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides, TaC-based Metals and Laser-only Anneal
*創(chuàng)新的電路設(shè)計，大幅降低功耗百分之八十 (Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of low operational power CMOS devices
*更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式存儲器 (Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells
*諧振器技術(shù)突破 (Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator
下載文檔據(jù)業(yè)內(nèi)消息，在剛剛過去的9月份，半導(dǎo)體行業(yè)的交貨期平均為26.3周，相比于上個月的27周縮短了4天，這是近年來交貨周期最大的降幅，充分表明了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)危機正在緩解。
關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對多個半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺積電等。
關(guān)鍵字： 專利侵權(quán) 三星 臺積電 高通公司 337調(diào)查 USITC縱觀中外泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的MES細(xì)分領(lǐng)域，國外巨頭產(chǎn)業(yè)玩家IBM，應(yīng)用材料仍然壟斷了12吋半導(dǎo)體量產(chǎn)廠；與EDA產(chǎn)業(yè)的國外廠商“三巨頭”的格局極為相似。 一方面，工業(yè)軟件前世今生的產(chǎn)業(yè)沿革歷史和源起造就、演化出當(dāng)前行業(yè)競爭局...
關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 應(yīng)用材料 工業(yè)軟件
