[導(dǎo)讀]固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器,未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠
固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器,未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。ReRAM基于憶阻器原理,致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。
基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出三個(gè)基本的被動(dòng)電路元件:電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁通量。任教于加州大學(xué)伯克利分校,并且是新竹交通大學(xué)電子工程系榮譽(yù)教授的蔡少堂(Leon Chua),37年前就預(yù)測有第四個(gè)元件的存在,即憶阻器(memristor),實(shí)際上就是一個(gè)有記憶功能的非線性電阻器。
惠普公司實(shí)驗(yàn)室的研究人員最近證明憶阻器的確存在,研究論文在5月1日的《自然》期刊上發(fā)表。加州大學(xué)伯克利分校電機(jī)工程和計(jì)算機(jī)科學(xué)系教授蔡少棠,1971年發(fā)表《憶阻器:下落不明的電路元件》論文,提供了憶阻器的原始理論架構(gòu),推測電路有天然的記憶能力,即使電力中斷亦然?;萜諏?shí)驗(yàn)室的論文則以《尋獲下落不明的憶阻器》為標(biāo)題,呼應(yīng)前人的主張。蔡少棠接受電話訪問時(shí)表示,當(dāng)年他提出論文后,數(shù)十年來不曾繼續(xù)鉆研,所以當(dāng)惠普實(shí)驗(yàn)室人員幾個(gè)月前和他聯(lián)系時(shí),他吃了一驚。
憶阻器可使手機(jī)將來使用數(shù)周或更久而不需充電;使個(gè)人電腦開機(jī)后立即啟動(dòng);筆記型電腦在電池耗盡之后很久仍記憶上次使用的信息。憶阻器也將挑戰(zhàn)掌上電子裝置目前普遍使用的閃存,因?yàn)樗哂嘘P(guān)閉電源后仍記憶數(shù)據(jù)的能力。利用惠普公司這項(xiàng)新發(fā)現(xiàn)制成的晶片,將比今日的閃存更快記憶信息,消耗更少電力,占用更少空間。憶阻器跟人腦運(yùn)作方式頗為類似,惠普說或許有天,電腦系統(tǒng)能利用憶阻器,像人類那樣將某種模式(patterns)記憶與關(guān)聯(lián)。
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根據(jù)IDC預(yù)測,中國在人工智能領(lǐng)域的投資預(yù)計(jì)到2027年將達(dá)到381億美元,占全球總投資的近9%。作為全球人工智能的重要參與者,中國正加速在汽車、通信、醫(yī)療、金融等多個(gè)行業(yè)應(yīng)用和發(fā)展生成式AI技術(shù),全面邁入“AI 2.0...
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AI
內(nèi)存
DDR5
8月17日消息,近日,超頻愛好者“saltycroissant”成功將海盜船(CORSAIR)DDR5內(nèi)存超頻至12886MT/s,創(chuàng)造了新的世界紀(jì)錄。
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DDR5
在高性能服務(wù)架構(gòu)設(shè)計(jì)中,緩存是不可或缺的環(huán)節(jié)。在實(shí)際項(xiàng)目中,我們通常會將一些熱點(diǎn)數(shù)據(jù)存儲在Redis或Memcached等緩存中間件中,只有在緩存訪問未命中時(shí)才查詢數(shù)據(jù)庫。
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緩存
內(nèi)存
各位工控圈的朋友們注意啦!威剛?cè)虏タ蜋谀俊豆た夭谎b觀察局》正式開播啦!作為深耕工控領(lǐng)域的內(nèi)存解決方案提供商,我們深知大家在產(chǎn)業(yè)升級、技術(shù)迭代中總會遇到各種難題,而這檔播客,就是為了和大家面對面拆解行業(yè)熱點(diǎn)、分享實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)...
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DDR4
半導(dǎo)體
硬盤
7月25日消息,由于供應(yīng)短缺,最近一段時(shí)間DDR4內(nèi)存頻繁出現(xiàn)漲價(jià)、缺貨等現(xiàn)象。
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DDR4
內(nèi)存
7月10日消息,JEDEC今天正式發(fā)布了LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),規(guī)范編號JESD209-6,可顯著提升移動(dòng)設(shè)備、AI應(yīng)用的性能、能效、安全。
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LPDDR6
內(nèi)存
7月6日消息,由于供應(yīng)短缺,DDR4內(nèi)存價(jià)格在過去幾個(gè)月內(nèi)大幅上漲,甚至超過了DDR5內(nèi)存,這一現(xiàn)象促使一些廠商重新考慮延長DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)。
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DDR4
內(nèi)存
上海 2025年6月23日 /美通社/ -- 近期,黑芝麻智能分享了其如何通過零拷貝共享內(nèi)存技術(shù),解決車載多域間大數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t與資源消耗問題。核心技術(shù)包括全局內(nèi)存管理單元和dmabuf機(jī)制優(yōu)化,顯著降低CPU負(fù)載與D...
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內(nèi)存
數(shù)據(jù)傳輸
大數(shù)據(jù)
BUF
6月16日消息,“至少十年沒看過現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大”,一位從業(yè)者表示。
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DDR4
內(nèi)存
人工智能與物聯(lián)網(wǎng)深度融合,傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)的“內(nèi)存墻”問題日益凸顯:數(shù)據(jù)在處理器與存儲器間的頻繁搬運(yùn)導(dǎo)致能耗激增,而摩爾定律的放緩更使算力提升陷入瓶頸。憶阻器作為第四種基本電路元件,憑借其“存儲即計(jì)算”的獨(dú)特屬性,正在...
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憶阻器
人工智能
基于美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 存儲解決方案,合力打造 Motorola 功能強(qiáng)大的翻蓋手機(jī)
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LPDDR5X
內(nèi)存
AI
AIPC作為新興且高速增長的應(yīng)用領(lǐng)域,對內(nèi)存性能的推動(dòng)作用十分顯著。一方面,它直接驅(qū)動(dòng)了內(nèi)存技術(shù)規(guī)格的更新?lián)Q代和高帶寬、低延遲的內(nèi)存架構(gòu)的發(fā)展;另一方面,也間接推動(dòng)了內(nèi)存模塊的電源管理技術(shù)、信號完整性控制和可靠性設(shè)計(jì)的全...
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內(nèi)存
LPCAMM
Rambus
PMIC
PMIC5200
PMIC5120
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,智能交通系統(tǒng)正以前所未有的速度改變著人們的出行方式與交通管理模式。從城市的車水馬龍到高速公路的川流不息,智能交通如同一位無形卻強(qiáng)大的管理者,協(xié)調(diào)著交通的各個(gè)環(huán)節(jié)。而在這龐大復(fù)雜的智能交通體系中,車載...
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智能交通
車載無線網(wǎng)絡(luò)
硬盤
5月8日消息,NEO Semiconductor近日宣布推出兩項(xiàng)新的3D X-DRAM單元設(shè)計(jì)——1T1C和3T0C,有望徹底改變DRAM內(nèi)存的現(xiàn)狀。
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X-DRAM
內(nèi)存
存儲
經(jīng)優(yōu)化,Agilex?? 7 M系列 FPGA專為 AI與數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用設(shè)計(jì),有效緩解內(nèi)存瓶頸
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內(nèi)存
帶寬
FPGA
為增進(jìn)大家對CXL技術(shù)的認(rèn)識,本文將對CXL技術(shù)的優(yōu)勢以及CXL技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)予以介紹。
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CXL
指數(shù)
內(nèi)存
內(nèi)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中除了處理器以外最重要的資源,用于存儲當(dāng)前正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。內(nèi)存是相對于CPU來說的,CPU可以直接尋址的存儲空間叫做內(nèi)存,CPU需要通過驅(qū)動(dòng)才能訪問的叫做外存。
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內(nèi)存
CPU
有關(guān)開發(fā)人員如何通過在RAM中執(zhí)行時(shí)間敏感功能而不是從Flash中執(zhí)行時(shí)間敏感功能來加快其應(yīng)用程序代碼的文章。您可能想知道是否要進(jìn)行這樣的調(diào)整,表現(xiàn)會發(fā)生什么變化?答案會根據(jù)微控制器的制造技術(shù)而有所不同,但是開發(fā)人員可以...
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RAM
績效改進(jìn)