三星電子在內(nèi)存行業(yè)的地位實(shí)在不容小覷，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家開始了下代內(nèi)存DDR4的批量生產(chǎn)。

不過，當(dāng)然現(xiàn)在還不是針對消費(fèi)級市場的，得等待Intel Haswell-E、AMD Carrizo APU等下下代平臺(Broadwell還不確定但感覺可能性不大)。

三星表示，這次量產(chǎn)的DDR4內(nèi)存主要針對大型數(shù)據(jù)中心和其他企業(yè)級應(yīng)用，采用2xnm工藝制造，單顆容量4Gb(512MB)，單條容量16GB、32GB，工作頻率最高2667MHz，相比目前普遍使用的DDR3-2133提速了四分之一，而且還有很大潛力可挖：目前的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中最高為DDR4-3200。

三星還宣稱，這種2xnm DDR4也是世界上性能最高、面積最小的4Gb內(nèi)存顆粒。

不過三星并未宣布具體的出貨時(shí)間，基本上得今年底了。

五年前，三星也是第一家量產(chǎn)DDR3內(nèi)存的，當(dāng)時(shí)的工藝還是5xnm。2011年初，三星又搶先完成了史上第一條DDR4內(nèi)存。