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[導讀]化學機械研磨墊(CMP)將大幅擢升先進制程良率。隨著半導體制程技術節(jié)點持續(xù)進化至28、20奈米(nm),晶圓制造業(yè)者對于研磨墊的缺陷率、移除率等要求亦更加嚴苛,并相關材料業(yè)者加速高階研磨墊研發(fā)時程,以滿足市場需求。

化學機械研磨墊(CMP)將大幅擢升先進制程良率。隨著半導體制程技術節(jié)點持續(xù)進化至28、20奈米(nm),晶圓制造業(yè)者對于研磨墊的缺陷率、移除率等要求亦更加嚴苛,并相關材料業(yè)者加速高階研磨墊研發(fā)時程,以滿足市場需求。

陶氏化學電子材料半導體技術部門大中華地區(qū)暨東南亞總經理陳俊達指出,為更貼近主要客戶的需求,陶氏化學電子材料主要的生產基地與研發(fā)單位皆設立于臺灣。
陶氏化學電子材料半導體技術部門大中華地區(qū)暨東南亞總經理陳俊達表示,盡管摩爾定律(Moore's Law)使半導體技術飛快進步,卻也因制程不斷精進而造成晶圓制造業(yè)者在良率提升方面日益艱辛。尤其是現今半導體設備支出隨著新的技術節(jié)點發(fā)展,其投資金額也越來越龐大,如何協(xié)助晶圓制造業(yè)者提升制程良率,并降低生產成本已成為材料供應商勝出市場的關鍵因素。

陳俊達進一步指出,透過材料與半導體制程技術搭配與結合,已是產業(yè)持續(xù)精進的主要動力,例如藉由先進化學機械研磨墊與研磨液為晶圓進行高效率拋光,將有助提升制造良率,且花費金額亦比造價不菲的半導體設備便宜許多,可顯著降低生產成本。

為因應此一市場需求,陶氏化學運用高分子聚合物領域的專業(yè),開發(fā)出全新研磨墊產品--IKONIC,可降低晶圓瑕疵率、并提升研磨墊與設備使用壽命。此一研磨墊亦支援包括銅(Cu)、鎢(W)、介電質層(ILD)、淺溝渠隔離(STI)等多項半導體制程,其材質結合獨特的化學特性與特定范圍的硬度和孔隙率,可提升研磨墊的使用效益。

此外,IKONIC研磨墊的設計還能大幅降低瑕疵率,以達到更高的晶圓良率,并透過上述特性延長研磨墊與設備的使用壽命,同時滿足化學機械研磨墊在制程上的移除率要求,進而提高晶圓產能效率。

事實上,陶氏化學研磨墊產品針對客戶需求,迄今已經歷IC1000、V??ISIONPAD與IKONIC等三個階段;而IKONIC除了是專門針對28、20奈米所研發(fā)的產品外,不同于之前系列的研磨墊,IKONIC為可調試的平臺,能針對每間晶圓制造業(yè)者對先進制程的不同需求,提供客制化的技術和服務,進而提升生產良率。

據悉,目前IKONIC正處于測試階段,預計2013年第一季開始量產。未來包括臺積電、聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)等業(yè)者,皆可望借此新產品提升28奈米良率,而陶氏化學亦將持續(xù)提撥每年10%營收做為持續(xù)研發(fā)下一代產品的資金,以瞄準明年底20奈米量產后的市場商機。

根據SEMI協(xié)會統(tǒng)計,臺灣已成為全球半導體制造材料最大支出市場。截至現今,包含矽晶圓、光罩(Photomask)、濕制程化學藥品、化學機械研磨墊、研磨液、各類氣體與新興材料的總產值支出約為490億美元,至2013年可望成長至510億美元,其中,2012年支出估計便已高達102.7億美元,顯見晶圓代工產業(yè)對先進材料的需求日漸高漲,而研磨墊市場規(guī)模也將持續(xù)擴大。



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