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[導讀]以小體積著稱的模塊電源,正朝著低電壓輸入、大電流輸出,以及大的功率密度方向發(fā)展。但是,高集成度、高功率密度會使得其單位體積上的溫升越來越成為影響系統(tǒng)可靠工作、性能提升的最大障礙。統(tǒng)計資料表明,電子元器

以小體積著稱的模塊電源,正朝著低電壓輸入、大電流輸出,以及大的功率密度方向發(fā)展。但是,高集成度、高功率密度會使得其單位體積上的溫升越來越成為影響系統(tǒng)可靠工作、性能提升的最大障礙。統(tǒng)計資料表明,電子元器件溫度每升高2℃,其可靠性下降10%,溫升50℃時的壽命只有溫升25℃時的1/6。所以熱設(shè)計的目的就是要及時地排出熱量,并使產(chǎn)品的溫度處于一個合理的水平,保證元器件的熱應(yīng)力在最壞的環(huán)境溫度條件下依然不會超出規(guī)定值。對于非??粗乜煽啃缘哪K電源來說,熱處理在其設(shè)計中已經(jīng)是必不可少的一環(huán)。

熱量的產(chǎn)生

想要探討熱設(shè)計方法,首先要清楚模塊電源溫升是如何產(chǎn)生的。根據(jù)能量守恒定律,電源的輸入總功率應(yīng)該等于其輸出的總功率,也即能量轉(zhuǎn)換效率(η)恒為100%,但是實際的情況是轉(zhuǎn)換效率(η=1-Ploss/Ptotal)都是小于100%的,也就是說會有一部分能量(Ploss)損失掉。那么損失的這一部分能量消耗在哪里了?除了很小的一部分變成電磁波向空中散播外,其余的都變成了熱能,促使其溫度提升。過高的溫度會使電源設(shè)備內(nèi)部元器件失效,整個設(shè)備的可靠性降低。

聯(lián)系損失功率與熱量的參數(shù)是熱阻(thermal resistance),它被定義為發(fā)熱器件向周圍熱釋放的“阻力”,正是由于這種“阻力”的存在,使得熱點(hot points)和四周產(chǎn)生了一定的溫差,就像電流流過電阻會產(chǎn)生電壓降一樣。不同的材質(zhì)的熱阻是不一樣的,熱阻越小,散熱就越強,其單位為℃/W。

熱量產(chǎn)生的處理

1 建模分析法

從上面的分析我們可以得到計算溫升的第一種方法:分別建立各部分元器件的損失功率和熱阻的模型,然后根據(jù)下面的公式求出該功率器件的溫升值。

計算溫升的一個基本表達式:

ΔΤ=RthJ-X·Рloss (1)

其中,ΔΤ=溫度差值或者溫升;RthJ-X =功率器件從結(jié)點到X的熱阻。

可以看出:既然元器件的損耗功率是產(chǎn)生熱量的根本原因,那么找出各個功率器件的損耗就成了解決熱處理的關(guān)鍵。現(xiàn)在以金升陽公司的一個12W、效率為91%的產(chǎn)品來說明。

圖1 12W自驅(qū)同步整流正激變換器原理圖

對于基于PWM的自驅(qū)同步整流正激變換器,一般應(yīng)用電路原理如圖1所示。

各功率器件的損耗如圖2所示。在圖2中,Pt是原邊變壓器損耗;Pl是輸出濾波電感的損耗;Pmos是MosFET的損耗;Pd1是整流二極管的損耗;Pd2是續(xù)流二極管的損耗;Pother是其他器件的損耗和。

圖2 功率器件損耗

現(xiàn)在,一些半導體器件廠商都能給出比較詳細的有關(guān)損耗的參數(shù),而電源研發(fā)人員,也能在實際的工程中計算出功率器件實際的損耗,進而不斷地修正這些值,使得這些元器件的損耗能非常接近真實值。所以說要求出各功率器件在消耗一定功率產(chǎn)生的實際溫升,現(xiàn)在的關(guān)鍵就要考慮熱阻了。但是熱阻的值一般會受到以下因數(shù)的影響很大,如功率元器件的損耗,空氣流動的速度、方向、擾動的等級,鄰近功率元器件的影響,PCB板的方向等。所以一般熱測量的條件是很嚴格的?,F(xiàn)在先看看對于一個是用于自然風冷,但四周密封且不用風機的功率元器件的熱測試方法。功率元器件熱測試中的剖面圖如圖3所示。

圖3 熱測試中的功率器件結(jié)構(gòu)圖

圖4 2R 模型

這樣就可以根據(jù)公式RJX=(TJ-TX)/Ploss求出結(jié)點到環(huán)境的熱阻RthJA(RthJA=RthJS+RthSA)。有關(guān) RthJA的計算,這里只介紹一種簡單的熱模型(Compact thermal model)2R模型,即Two-Resistor Model。其理論依據(jù)如圖4所示。

(2)

但是對于模塊電源來說,我們一般把半成品封裝在外殼里,其簡要圖形如圖5所示。

圖5 產(chǎn)品中功率器件結(jié)構(gòu)圖

圖5中陰影部分為硅膠、樹脂等灌封料,其作用主要有兩個:一方面用于固定半成品;另一方面用于傳導功率器件表面的溫度(散熱)。所以從結(jié)點到環(huán)境的熱阻RthJA就可以表示為:

RthJA=[(RthJC1+RthC1E+RthEI+RthIC2+RthC2A)·(RthJT+RthTS+RthSB+RthBA)]/ [(RthJC1+RthC1E+RthEI+RthIC2+RthC2A)+

(RthJT+RthTS+RthSB+RthBA)] (3)



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