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[導(dǎo)讀]如我們所知,目前增長(zhǎng)最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強(qiáng)調(diào)了一些為電動(dòng)汽車(chē)提供模塊的長(zhǎng)期合同。

如我們所知,目前增長(zhǎng)最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強(qiáng)調(diào)了一些為電動(dòng)汽車(chē)提供模塊的長(zhǎng)期合同。

那么,我們能否概述一下碳化硅供應(yīng)鏈與硅相比的差異?主要挑戰(zhàn)是什么?因此,我們談到了碳化硅晶圓工藝。所以,這不僅是電氣工程,也是化學(xué)。

這是一個(gè)很好的問(wèn)題,我被問(wèn)了很多問(wèn)題,也就是說(shuō),你知道,我們有這些今天廣泛使用的硅器件,碳化硅與它有什么不同?我認(rèn)為我們應(yīng)該從根本上從相似之處開(kāi)始。因?yàn)槲覀兛梢哉務(wù)摵芏嗖町?,但?shí)際上,碳化硅是 50% 的硅。你并沒(méi)有偏離第四組元素,它是 50% 的硅和 50% 的碳,這兩種材料之間和周?chē)泻芏嘞嗨浦帲@對(duì)碳化硅有好處。

首先,它是一種可以在非常大的區(qū)域大面積生產(chǎn)的材料。因此,我們可以生產(chǎn)完全獨(dú)立的碳化硅基板。這意味著我們不必在另一種材料上生長(zhǎng)碳化硅。GaN(例如氮化鎵)必須在硅頂部外延生長(zhǎng),這會(huì)導(dǎo)致一些問(wèn)題,即必須克服的制造問(wèn)題。

因此,我們正在研究與硅類(lèi)似的開(kāi)發(fā)過(guò)程,我們有一個(gè)碳化硅襯底,我們將類(lèi)似地在表面上生長(zhǎng)一個(gè)外延層,并且它將經(jīng)歷類(lèi)似的制造過(guò)程。但它們都有其復(fù)雜性。不過(guò),從根本上說(shuō),我們正試圖用碳化硅生產(chǎn)與我們?cè)诠柚猩a(chǎn)了 50 年、60 年的功率器件相同的功率器件。我們正在嘗試生產(chǎn)肖特基二極管,我們正在嘗試生產(chǎn) MOSFET。希望在未來(lái)的某一天,如果我的工作做得好,我們也可以使用 IGBT 和晶閘管。

所以,打開(kāi)那個(gè)盒子,看看有什么區(qū)別:主要的根本區(qū)別在于基板制造商。這是關(guān)鍵的根本區(qū)別。這就是影響我們稍后要研究的所有成本和價(jià)格的原因。

硅很好也很容易,相對(duì)而言,你可以在相對(duì)較低的溫度下加工硅,你可以將它熔化,你會(huì)得到一種液態(tài)的硅,然后拉出這些非常大的硅晶塊,它們長(zhǎng)幾米,寬你需要它,對(duì)于電力行業(yè)來(lái)說(shuō),它通常是 8 英寸,在某些地方,它是 12 英寸,你知道,在許多制造商中,他們有 12 英寸的硅能力.

因此,我們擁有在一個(gè)過(guò)程中生產(chǎn)的這些大晶錠,可以將其切割成大量的大面積基板。相比之下,碳化硅要進(jìn)入液相,碳化硅只是需要太多能量才能達(dá)到更高的溫度,而我們不能僅僅工業(yè)化生產(chǎn)這種程度的碳化硅晶片。因此,我們必須使用另一種工藝,稱(chēng)為晶種升華工藝,這意味著我們實(shí)際上是從晶種非常非常緩慢地生長(zhǎng)碳化硅,需要大量的能量。我不會(huì)對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)介紹,我認(rèn)為我們已經(jīng)獲得了有關(guān)生長(zhǎng)碳化硅襯底的詳細(xì)信息的好文章。

但可以說(shuō),這是一個(gè)耗能高、成本高的過(guò)程,最終生產(chǎn)出 25 到 40 毫米長(zhǎng)的短晶錠。而目前,目前,今天,我只能出去在市場(chǎng)上購(gòu)買(mǎi)150毫米直徑的基板。

現(xiàn)在在未來(lái)幾年的某一天,也許這個(gè)行業(yè)會(huì)移動(dòng)到 200 毫米,當(dāng)然部分行業(yè)會(huì)移動(dòng)到 200 毫米。并且因此而產(chǎn)生的成本差異將會(huì)下降。但沒(méi)有快速解決辦法。我們將在一分鐘內(nèi)討論這個(gè)問(wèn)題。但是沒(méi)有快速解決辦法,而且碳化硅襯底制造中嵌入的能源成本很高。

看,進(jìn)入其他關(guān)鍵差異,我的意思是,其他的更微妙,也許,其他差異......外延成本,制造成本,它們都將在碳化硅中稍微多一些。同樣,因?yàn)樘蓟璞仨氃诟叩臏囟认录庸?,它需要更多的能量。因此,我們需要定制的外延設(shè)備,并且我們需要通??梢赃_(dá)到更高溫度的制造設(shè)備。

現(xiàn)在有些……通常情況下,硅……傳統(tǒng)的硅工廠可能無(wú)法立即采用碳化硅,但對(duì)碳化硅基礎(chǔ)設(shè)施的投資應(yīng)該是向后兼容的。因此,我們只需要該工藝,該制造能力即可達(dá)到更高的溫度,更高的工藝溫度。碳化硅還需要一兩個(gè)定制制造步驟。

特別是制造門(mén)以嘗試獲得該門(mén),通道遷移率盡可能高,但這是我們?cè)谥暗牟タ椭刑岬降膬?nèi)容。但是,是的,碳化硅有一些獨(dú)特之處。但我認(rèn)為總而言之,你有這些使成本高得多的小因素,但它確實(shí)產(chǎn)生了一種從根本上看起來(lái)與硅設(shè)備非常相似的設(shè)備。


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