2月20日，JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps)，直接翻番。

如果匹配高端智能機(jī)常見的64bit bus，ÿ秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù);要是PC的128bit BUS，ÿ秒破100GB無壓力。

固態(tài)協(xié)會(huì)認(rèn)為，LPDDR5有望對(duì)下一代便攜電子設(shè)備(手機(jī)、平板)的性能產(chǎn)生巨大提升，為了實(shí)現(xiàn)這一改進(jìn)，標(biāo)準(zhǔn)對(duì)LPDDR5體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)向最高16 Bank可編程和多時(shí)鐘體系結(jié)構(gòu)。

同時(shí)，還引入了數(shù)據(jù)復(fù)制(Data-Copy)和寫X(Write-X)兩個(gè)減少數(shù)據(jù)傳輸操作的命令來降低整體系統(tǒng)功耗，前者可以將單個(gè)陣腳的數(shù)據(jù)直接復(fù)制到其它針腳，后者則減少了SoC和RAM傳遞數(shù)據(jù)時(shí)的耗電。

另外，LPDDR5還引入了鏈·ECC糾錯(cuò)，信號(hào)電壓250mV，Vddq/Vdd2電壓還是1.1V。

事實(shí)上，去年7月，三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)工藝，單顆容量8Gb(1GB)，去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會(huì)上，三星人士透¶，LPDDR5內(nèi)存計(jì)劃2020年商用。