[導讀]單結(jié)晶體管的移相觸發(fā)電路b
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051芯片內(nèi)部有一高增益反相放大器,用于構(gòu)成振蕩器,反向放大器輸入端為XTAL1,輸出端XTAL2。在XTAL1和XTAL2兩端跨接一個石英晶體及兩個電容就構(gòu)成了穩(wěn)定自激振蕩器,電容器C1和C2通常都取30pF左右,對振...
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51單片機
振蕩器
觸發(fā)電路
雙向晶閘管觸發(fā)電路工作原理圖調(diào)壓器電路主要由阻容移相電路和雙向晶閘管兩部分組成。單獨畫出這兩部分電路(上圖),R5、RP和C5構(gòu)成阻容移相電路。合上電源開關(guān)S,交流電 源電壓通過R5、RP向電容器C5充電,當電容器C
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晶閘管
模擬電路
觸發(fā)電路
觸發(fā)電路判斷可控硅好壞的方法雙向可控硅用途較廣,但其電氣特性較特殊,用萬用表有時很難準確測量出其好壞,現(xiàn)用一個簡單的觸發(fā)電路,通過燈泡的亮滅可準確判斷出可控硅的好壞。 方法說明:1、如圖,第1腳是T1腳,第
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模擬電路
觸發(fā)器
觸發(fā)電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測試電路圖。如下圖所示,被測單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導通時,三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此時S1
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晶體管
測試電路
三極管
單結(jié)晶體管
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測試電路圖。如下圖所示,被測單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導通時,三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此時S1
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晶體管
測試電路
三極管
單結(jié)晶體管
電路原理:過零同步脈沖是一種50Hz交流電壓過零時刻的脈沖,可使可控硅在交流電壓正弦波過零時觸發(fā)通導。過零同步脈沖由過零觸發(fā)電路產(chǎn)生,更詳細的電路圖如圖所示。在該圖
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可控硅
電路設(shè)計
觸發(fā)電路
交流電壓
電路原理:過零同步脈沖是一種50Hz交流電壓過零時刻的脈沖,可使可控硅在交流電壓正弦波過零時觸發(fā)通導。過零同步脈沖由過零觸發(fā)電路產(chǎn)生,更詳細的電路圖如圖所示。在該圖
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可控硅
電路設(shè)計
觸發(fā)電路
交流電壓
電路原理:過零同步脈沖是一種50Hz交流電壓過零時刻的脈沖,可使可控硅在交流電壓正弦波過零時觸發(fā)通導。過零同步脈沖由過零觸發(fā)電路產(chǎn)生,更詳細的電路圖如圖所示。在該圖
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可控硅
電路設(shè)計
觸發(fā)電路
交流電壓
電路原理:在該圖中,電壓比較器LM311用于把50Hz的正弦交流電壓變成方波。方波的正邊沿和負邊沿分別作為兩個單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的輸入觸發(fā)信號,單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器輸出的兩個窄脈沖經(jīng)二
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單片機
單穩(wěn)態(tài)
電源其他電源電路
觸發(fā)電路
電路原理:過零同步脈沖是一種50Hz交流電壓過零時刻的脈沖,可使可控硅在交流電壓正弦波過零時觸發(fā)通導。過零同步脈沖由過零觸發(fā)電路產(chǎn)生,更詳細的電路圖如圖所示。在
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可控硅
電路設(shè)計
觸發(fā)電路
交流電壓
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測試電路圖。如下圖所示,被測單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導通時,三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此
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晶體管
測試電路
三極管
單結(jié)晶體管
過零同步脈沖是一種50Hz交流電壓過零時刻的脈沖,可使可控硅在交流電壓正弦波過零時觸發(fā)通導。過零同步脈沖由過零觸發(fā)電路產(chǎn)生,更詳細的電路圖如圖所示。在該圖中,電
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可控硅
電路圖
觸發(fā)電路
交流電壓
本文介紹的充電器直接使用220V交流市電,通過觸發(fā)電路的控制,實現(xiàn)其輸出電壓從0V起調(diào),適合于對 12V-220V的蓄電池(組)充電。工作原理 電路工作原理見圖1(點擊下載原理圖
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充電器
可控硅
觸發(fā)電路
穩(wěn)壓電源