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[導(dǎo)讀]本文描述了一種通用的集成電路RF噪聲抑制能力測(cè)量技術(shù)。RF抑制能力測(cè)試將電路板置于可控制的RF信號(hào)電平下,該RF電平代表電路工作時(shí)可能受到的干擾強(qiáng)度。這樣就產(chǎn)生了一個(gè)標(biāo)

本文描述了一種通用的集成電路RF噪聲抑制能力測(cè)量技術(shù)。RF抑制能力測(cè)試將電路板置于可控制的RF信號(hào)電平下,該RF電平代表電路工作時(shí)可能受到的干擾強(qiáng)度。這樣就產(chǎn)生了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化、結(jié)構(gòu)化的測(cè)試方法,使用這種方法能夠得到在質(zhì)量分析中可重復(fù)的有用結(jié)果。這樣的測(cè)試結(jié)果有助于IC選型,從而獲得最能夠抵抗RF噪聲的電路。

可以將被測(cè)件(DUT)靠近正在工作的蜂窩電話,以測(cè)試其RF敏感度,但是,為了得到一個(gè)精確的、具有可重復(fù)性的試驗(yàn)結(jié)果,需要采用一個(gè)固定的測(cè)量方法,在可重復(fù)的RF場(chǎng)內(nèi)測(cè)試DUT。解決方案是采用RF測(cè)試電波暗室,提供一個(gè)可精確控制的RF場(chǎng),其相當(dāng)于典型移動(dòng)電話所產(chǎn)生的RF場(chǎng)。

下面,我們對(duì)Maxim的一款雙運(yùn)放(MAX4232)和一款競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品(X)進(jìn)行RF抑制能力比較測(cè)試。

圖1:雙運(yùn)放的RF噪聲抑制能力測(cè)量電路(online)

RF抑制測(cè)試電路(圖1)給出了連到待測(cè)雙運(yùn)放的電路板連接,每個(gè)運(yùn)算放大器被配置成交流放大器,沒(méi)有交流輸入時(shí),輸出設(shè)置在1.5V直流電平(VCC = 3V)。反相輸入通過(guò)1.5"環(huán)線(模擬輸入端的PC引線)短路至地,該環(huán)路用來(lái)模擬實(shí)際引線的的效應(yīng),實(shí)際引線在工作頻率下會(huì)作為天線,收集和解調(diào)RF信號(hào)。通過(guò)在輸出端連接一個(gè)電壓表,測(cè)量和量化運(yùn)算放大器的RF噪聲抑制能力。

圖2:RF噪聲抑制能力測(cè)量裝置

Maxim的RF測(cè)試裝置(圖2)產(chǎn)生RF抑制能力測(cè)試所需的RF場(chǎng),測(cè)試電波暗室具有一個(gè)屏蔽室,作用與法拉第腔的屏蔽室類(lèi)似,它具有連接電源和輸出監(jiān)視器的端口。把下面列舉的設(shè)備連接起來(lái)就可以組成測(cè)試裝置:

1. 信號(hào)發(fā)生器:9kHz至3.3GHz(羅德與施瓦茨公司SML-03)

2. RF功率放大器(PA):800MHz至1GHz, 20W(OPHIR 5124)

3. 功率計(jì):25MHz至1GHz(羅德與施瓦茨公司)

4. 平行線單元(電波暗室)

5. 場(chǎng)強(qiáng)檢測(cè)儀

6. 計(jì)算機(jī)

7. 電壓表

信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生所需要頻率的RF調(diào)制信號(hào),并將其饋送到功率放大器,通過(guò)一個(gè)與功率計(jì)連接的定向耦合器測(cè)量并監(jiān)視PA輸出。計(jì)算機(jī)通過(guò)控制信號(hào)發(fā)生器輸出的頻率范圍、調(diào)制類(lèi)型、調(diào)制百分比、功放的功率輸出,建立所需要的RF場(chǎng)。電場(chǎng)通過(guò)天線(平面型)在屏蔽電波暗室內(nèi)輻射,經(jīng)過(guò)精確校準(zhǔn),產(chǎn)生均勻的、一致的、可重復(fù)的電場(chǎng)。

典型蜂窩電話附近的RF場(chǎng)強(qiáng)近似為60V/m(距離手機(jī)天線4cm處),遠(yuǎn)離手機(jī)后場(chǎng)強(qiáng)降低。在距離手機(jī)10cm處,場(chǎng)強(qiáng)降至25V/m。因此在電波暗室內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)均勻的60V/m場(chǎng)強(qiáng),以模擬DUT所處的RF環(huán)境(60V/m的輻射強(qiáng)度可以保證被測(cè)器件不至于發(fā)生電平鉗位,避免測(cè)量誤差)。所采用的射頻信號(hào)是在800MHz至1GHz蜂窩電話頻率范圍內(nèi)變化的RF正弦波,使用1kHz的音頻頻率進(jìn)行調(diào)制,調(diào)制深度為100%。用217Hz頻率調(diào)制時(shí)可以得到相似的結(jié)果,但1kHz是更常用的音頻頻率,為便于*估,這里選擇了1kHz。通過(guò)電波暗室的接入端口為DUT提供電源,并通過(guò)接入端口連接電壓表,讀取dBV值(相對(duì)于1V的dB)。通過(guò)調(diào)整DUT在電波暗室內(nèi)的位置,并使用場(chǎng)強(qiáng)檢測(cè)儀可以精確校準(zhǔn)RF場(chǎng)。

圖3.使用圖2測(cè)量裝置得到的兩個(gè)雙運(yùn)放的 RF噪聲抑制測(cè)試結(jié)果

兩個(gè)雙運(yùn)放(MAX4232和X)的測(cè)試結(jié)果如圖3所示,測(cè)量值為輸出的平均dBV。RF頻率在800MHz至1GHz范圍內(nèi)變化時(shí),在均勻的60V/m電場(chǎng)中,MAX4232的平均輸出大約為-66dBV(500(V RMS相對(duì)于1V);器件X的平均輸出大約為(18dBV(125mV RMS相對(duì)于1V)。沒(méi)有RF信號(hào)時(shí),電壓表的讀數(shù)為-86dBV。

因此MAX4232輸出的變化量只有-20dB(-86dBV 到(66dBV),即RF干擾導(dǎo)致MAX4232輸出從50(V RMS變化到500(V RMS,在RF干擾環(huán)境下,MAX4232的變化因子是10。因此可以推斷出MAX4232具有出色的RF抑制能力(-66dBV),不會(huì)產(chǎn)生明顯的輸出失真。而器件X的噪聲抑制平均讀數(shù)僅有-18dBV,這意味著在RF影響下輸出變化為125mV RMS(相對(duì)于1V)。這個(gè)增加值很大,是正常值50(V RMS的2500倍。因此,器件X的RF噪聲抑制能力很差(-18dBV),當(dāng)靠近手機(jī)或其它RF源時(shí)可能無(wú)法正常工作。顯然,對(duì)于音頻處理應(yīng)用(如耳機(jī)放大器和話筒放大器),MAX4232是一個(gè)更好的選擇。

為了保證產(chǎn)品在RF環(huán)境下的工作質(zhì)量,RF噪聲抑制能力的測(cè)量是電路板和IC制造商必須考慮的步驟。RF電波暗室測(cè)量裝置提供了一個(gè)既經(jīng)濟(jì)、靈活,又精確的RF抑制能力測(cè)量方法。

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