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[導(dǎo)讀]三星電子一項(xiàng)一期投資多達(dá)70億美元的NAND型閃存工廠,將落戶西安。NAND閃存是主要用于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)終端的存儲(chǔ)介質(zhì)。據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,三星電子稱已就新一代閃存芯片生產(chǎn)與西安簽署諒解備忘錄,預(yù)計(jì)生產(chǎn)線將

三星電子一項(xiàng)一期投資多達(dá)70億美元的NAND型閃存工廠,將落戶西安。

NAND閃存是主要用于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)終端的存儲(chǔ)介質(zhì)。據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,三星電子稱已就新一代閃存芯片生產(chǎn)與西安簽署諒解備忘錄,預(yù)計(jì)生產(chǎn)線將在明年年末正式啟動(dòng),預(yù)計(jì)每月芯片產(chǎn)能將達(dá)到10萬(wàn)片。

這一新工廠將使用10納米級(jí)別的工藝。10納米級(jí)技術(shù)是三星計(jì)劃在今年投入使用的最新技術(shù),業(yè)界人士稱,如采用10納米級(jí)制造工藝,使用同等材料生產(chǎn)閃存芯片,產(chǎn)量比起20納米級(jí)技術(shù)增加約一倍以上。

對(duì)于三星來(lái)說(shuō),來(lái)華投資建廠是一次風(fēng)險(xiǎn)不小的嘗試。三星曾十分擔(dān)心在海外建設(shè)高科技生產(chǎn)線存在技術(shù)外泄的風(fēng)險(xiǎn),過(guò)去一直沒(méi)有在韓國(guó)和美國(guó)以外地區(qū)建立高科技生產(chǎn)廠。在此之前,三星僅在美國(guó)得克薩斯州奧斯丁市設(shè)立過(guò)一家芯片生產(chǎn)廠。

相比之下,三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手海力士早在2004年就投資20億美元落戶無(wú)錫,該廠12英寸芯片產(chǎn)能已從初期月產(chǎn)1.8萬(wàn)片提高到18萬(wàn)片。

iSuppli半導(dǎo)體首席分析師顧文軍認(rèn)為,在這個(gè)“快魚(yú)吃慢魚(yú)”的“比快”競(jìng)爭(zhēng)時(shí)代,在中國(guó)建廠成了貼近市場(chǎng)、快速反應(yīng),充分利用中國(guó)資源和市場(chǎng)的重要方式。

“三星之所以改變策略,很大程度上在于中國(guó)已經(jīng)是智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)終端最大的生產(chǎn)基地和消費(fèi)市場(chǎng),而加快在中國(guó)布局半導(dǎo)體制造,意在更加貼近中國(guó)市場(chǎng)并與蘋(píng)果展開(kāi)全方位的競(jìng)爭(zhēng)。而且,目前中國(guó)的芯片企業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力太弱,已基本放棄芯片產(chǎn)業(yè),沒(méi)必要擔(dān)心技術(shù)外泄。”顧文軍對(duì)《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》說(shuō)。

三星電子方面也稱,在華建廠的原因主要在于“對(duì)當(dāng)?shù)叵M(fèi)者的需求可以做到快速反應(yīng)、高效應(yīng)對(duì)”。

根據(jù)市研機(jī)構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù),中國(guó)市場(chǎng)去年所消費(fèi)的NAND內(nèi)存芯片,占全球市場(chǎng)一半,規(guī)模達(dá)290億美元,是全球最大的芯片消費(fèi)國(guó)。到2015年,中國(guó)市場(chǎng)份額將升至55%.

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