概述

圖1所示為完整的輸出鎖定過流故障檢測器電路。上電后，比較器輸出COUT的電壓接近0V。由Q2和Q3組成的同相緩沖器確保Q1 (具有非常低的導(dǎo)通阻抗、低門限電壓的p溝道功率MOSFET)的柵極完全導(dǎo)通。通過高邊檢流放大器測量流入負(fù)載中的電流，將檢流電阻RSENSE兩端的小電壓信號按比例放大、轉(zhuǎn)換為以地為參考的電壓，從OUT 引腳輸出。該輸出電壓與負(fù)載電流成正比，最后經(jīng)過分壓后送入帶鎖存的同相比較器的輸入端。

當(dāng)負(fù)載電流超出R1和R2設(shè)置的門限電壓時，比較器翻轉(zhuǎn)，輸出電壓被R3拉高。由于柵-源電壓跌落至柵極門限以下，p溝道MOSFET關(guān)斷。同相緩沖器Q2-Q3確保Q1柵極具有足夠的充電電流和放電電流，實(shí)現(xiàn)快速切換。

圖1. 由集成的檢流放大器、鎖存比較器以及基準(zhǔn)構(gòu)成的快速響應(yīng)、低壓過流保護(hù)電路

元件選擇

控制器

MAX4373是一款采用+3.3V供電，具有快速響應(yīng)特性的電流鎖定限流檢測器。MAX4373內(nèi)部集成了實(shí)現(xiàn)這一功能的所有需要的模塊：包括高共模電壓差分電壓檢測器、基準(zhǔn)源以及帶低電平有效復(fù)位輸出的鎖存比較器。VCC上電后，典型啟動延遲為500µs，比較器傳輸延遲典型值為4µs。

檢流電阻

合理選擇的檢流電阻以保證獲得最佳的增益精度(典型值為1%至1.5%)，增益范圍為+20V/V和+50V/V (MAX4373的T和F版本)時，額定電流下的壓差應(yīng)在75mV至100mV范圍內(nèi)。按照下列公式計(jì)算檢流電阻值以及該電阻消耗的功率：

輸出動態(tài)范圍也是一個重要的考慮因素。應(yīng)將標(biāo)稱輸出電壓(相對于工作/檢測電流)設(shè)為電源電壓的一半。需要注意的是：VOUT的最大值應(yīng)比電源電壓VCC低250mV。因此，VCC = +3.3V時，VOUT的標(biāo)稱值應(yīng)約為1.4V。在本文給出的實(shí)例中，對于增益為+20V/V的MAX4373 (T版本)，理想的檢測電壓為70mV。

檢流電流為15A時，若RSENSE = 4.6m，VSENSE為70mV，可選擇的最接近的標(biāo)準(zhǔn)電阻為4.7m。Tyco-Meggitt RL73H的容差為±1% (尾綴F)。

電流門限

完成檢流放大器的設(shè)置后，接下來應(yīng)設(shè)置比較器，以產(chǎn)生適當(dāng)?shù)那袚Q輸出電壓用于斷開串聯(lián)功率開關(guān)。通過電阻分壓器將電流放大器輸出端連接至比較器的正向輸入端。比較器的正向輸入應(yīng)超過內(nèi)部設(shè)置的標(biāo)稱門限值600mV (580mV至618mV)，才能斷開功率開關(guān)。根據(jù)下列電壓門限公式計(jì)算R1和R2的阻值：

在檢流放大器的標(biāo)稱輸出電壓條件下，流經(jīng)R1和R2電流應(yīng)大于150nA，小于500µA。在600mV (最大值)的飽和電壓下，比較器輸出可吸入1mA的電流。柵極上拉電阻R3可由下列公式計(jì)算：

功率開關(guān)

選擇外部p溝道MOSFET時的關(guān)鍵參數(shù)是峰值電流、導(dǎo)通電阻以及柵極電壓，其次是其封裝。選擇合適的導(dǎo)通電阻，使其在額定電流下的壓降與電流檢測電壓相近。這樣可使檢測電阻和MOSFET上產(chǎn)生的功耗相近。

Si7485DP MOSFET (來自Siliconix)在VGS = -2.5V時的最大導(dǎo)通電阻為9m。這個20V的p溝道器件能夠工作在較低的輸入電壓下。最差情況下靜態(tài)功耗可按照下列公式計(jì)算：

在15A負(fù)載電流和9m導(dǎo)通電阻條件下，Si7485DP可工作在環(huán)境溫度的40°C至50°C以上，因此可根據(jù)具體應(yīng)用考慮增加散熱片。

在本例中，功率開關(guān)具有大約60nC的柵極電荷。如果需要快速響應(yīng)，則超出了R3和低功耗比較器輸出所能提供的驅(qū)動能力。這種情況下必須增加?xùn)艠O驅(qū)動緩沖器。如上所述，由Q2和Q3組成的互補(bǔ)型射極跟隨驅(qū)動器可以為Q1柵極提供優(yōu)異的雙極性電流增益。應(yīng)選擇在500mA到1A集電極電流下, 具有良好直流β值的晶體管，可選用SOT223封裝的Zetex FZT688B (npn)和FZT788B (pnp)。柵極響應(yīng)時間的計(jì)算公式如下：

工作狀態(tài)

固有誤差

實(shí)際檢測到的電流與以下元件的固有誤差有關(guān)：

檢測電阻 ±1% (TL3A)

檢測電壓限制 ±0.1

增益容限 ±5.5% (最大值，包括增益和失調(diào)誤差)

比較器電阻容限 ±1% (R1 & R2)

比較器門限容限 ±3.3%

如果忽略檢測電壓的誤差，總的電流檢測誤差接近±10.8%，可采用下列公式計(jì)算具體的誤差范圍：

如果R1和R2采用±0.1%容差的電阻，可稍稍降低總體誤差(約±1%)，但由此所增加的成本對于終端應(yīng)用來說是無法接受的。

關(guān)斷瞬態(tài)過程

對于故障和隨后的電流中斷做出快速響應(yīng)是對電路的關(guān)鍵要求。然而，電源引線分布電感的儲存能量將會產(chǎn)生有害的電壓尖峰，當(dāng)然，其中一些能量會被負(fù)載電源的分布電容所吸收，但是，為了保護(hù)MAX4373不被28V或更高的瞬態(tài)電壓損害，最好提供一個快速響應(yīng)的過壓箝位二極管。

測試結(jié)果

用電流探針監(jiān)測輸入端(圖1中的VIN)的負(fù)載電流。逐漸增大負(fù)載電流，直到達(dá)到門限并觸發(fā)電路，響應(yīng)時間約為2µs (圖2)。

圖2. 圖1電路的測試結(jié)果，響應(yīng)時間約為2µs.