女人被狂躁到高潮视频免费无遮挡,内射人妻骚骚骚,免费人成小说在线观看网站,九九影院午夜理论片少妇,免费av永久免费网址

當(dāng)前位置:首頁(yè) > 測(cè)試測(cè)量 > 測(cè)試測(cè)量
[導(dǎo)讀] 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對(duì)被測(cè)對(duì)象進(jìn)行處理和分析,研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A/D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn),已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理,則

    在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對(duì)被測(cè)對(duì)象進(jìn)行處理和分析,研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上

       由于A/D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn),已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理,則進(jìn)行大批量高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)處理成為當(dāng)前要解決的主要問(wèn)題

        l 常用存儲(chǔ)器的比較

        現(xiàn)在用于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的存儲(chǔ)器常見(jiàn)的有先進(jìn)先出存儲(chǔ)器(FIFO)、靜態(tài)RAM和SDRAM等FIFO由于容量和速度的限制,不是實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)的首選目前,最為常見(jiàn)的存儲(chǔ)器就是靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM),靜態(tài)存儲(chǔ)器有控制簡(jiǎn)單、功耗低的優(yōu)點(diǎn)當(dāng)前大容量的SRAM可以達(dá)4 MB,存儲(chǔ)時(shí)鐘速率250 MHz

        如果要實(shí)現(xiàn)單通道32 M的存儲(chǔ)深度和200 M的數(shù)據(jù)傳輸速度,就要由8×1片SRAM拼合起來(lái)才能實(shí)現(xiàn)但由于每片SRAM都要有獨(dú)立的地址對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),這對(duì)設(shè)計(jì)者進(jìn)行制版和布線都是一個(gè)極大的挑戰(zhàn)與靜態(tài)存儲(chǔ)器相比,單數(shù)據(jù)率動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SDR SDRAM)具有存儲(chǔ)密度高、速度快等特點(diǎn),數(shù)據(jù)線位寬可最大可以達(dá)到64 b,很適合于高速采樣系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的SDR SDRAM可以達(dá)到的時(shí)鐘頻率達(dá)100 MHz以上,如果要滿足系統(tǒng)存儲(chǔ)速率的要求則至少需要有2×12 b的數(shù)據(jù)位寬,而目前并沒(méi)有64 b或32 b的SDRSDRAM,則需要使用多片拼合這樣,對(duì)應(yīng)于一個(gè)通道的存儲(chǔ)就至少需要有2片12 b的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器才能滿足存儲(chǔ)的需要,顯然成本比較高

       雙速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(DDR),是在SDRAM存儲(chǔ)技術(shù)上發(fā)展而來(lái)的一種新型存儲(chǔ)器件,在計(jì)算機(jī)行業(yè)得到了廣泛的應(yīng)用其特點(diǎn)是采用了雙倍速率結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高速操作,其在同一時(shí)間內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量是SDRSDRAM的2倍,最大傳送數(shù)據(jù)的時(shí)鐘速率可達(dá)400 MHz,而存儲(chǔ)一個(gè)通道的數(shù)據(jù)只需要1片16 b的DDR,并且單位存儲(chǔ)成本和SDR SDRAM相比并沒(méi)有提高因而,對(duì)于高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),無(wú)論從成本還是性能方面考慮,采用DDR作為系統(tǒng)的存儲(chǔ)器件是合適的但DDR卻帶來(lái)了相對(duì)復(fù)雜的控制工作,不僅需要與SDRSDRAM一樣進(jìn)行定時(shí)刷新,而且較SDRAM增加了新的控制信號(hào)和使用了新的電平標(biāo)準(zhǔn)

       2 DDR的基本工作原理

        所謂DDR的雙倍速率結(jié)構(gòu),即在數(shù)據(jù)隨路時(shí)鐘的上升沿和下升沿各發(fā)送一次數(shù)據(jù),這樣在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可完成雙倍速率的數(shù)據(jù)傳輸由于DDR的控制邏輯比較復(fù)雜,這里只對(duì)其"寫模式"下的工作原理進(jìn)行介紹,如圖1所示
 

        從圖中可知對(duì)DDR進(jìn)行寫操作時(shí),首先通過(guò)外部控制模塊(如FPGA)對(duì)DDR送寫命令和操作地址,然后第1個(gè)正確的數(shù)據(jù)將在隨路時(shí)鐘DQS的上升沿進(jìn)行存儲(chǔ),接下來(lái)的數(shù)據(jù)將在DQS的連續(xù)時(shí)鐘沿上進(jìn)行存儲(chǔ)其中根據(jù)DDR的時(shí)序要求在寫模式下,寫命令和隨路時(shí)鐘的第1個(gè)上升沿要有一個(gè)固定的時(shí)間間隔tDQSS為了在對(duì)DDR進(jìn)行讀寫時(shí)能夠正確地存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù),應(yīng)該嚴(yán)格地按照廠家提供的芯片手冊(cè)上的時(shí)序要求進(jìn)行邏輯控制設(shè)計(jì)下面對(duì)DDR的邏輯控制的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)流程進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹

        3 DDR控制模塊的設(shè)計(jì)

        根據(jù)DDR芯片控制要求,在設(shè)計(jì)中將DDR主控制模塊分為5個(gè)子模塊,分別是初始化模塊、外部刷新模塊、主狀態(tài)機(jī)模塊、地址模塊和命令輸出模塊其具體組成如圖2所示
 

        由于DDR必須以一個(gè)預(yù)先定義好的模式進(jìn)行啟動(dòng)并初始化,如果操作過(guò)程不按照這個(gè)特定的模式進(jìn)行初始化,將導(dǎo)致錯(cuò)誤操作并且不能對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行正常的讀寫初始化模塊在系統(tǒng)啟動(dòng)之后馬上對(duì)DDR進(jìn)行配置,使其達(dá)到正確的時(shí)序和配置要求DDR初始化的流程圖如圖3所示

 

        (1)主狀態(tài)機(jī)模塊則是根據(jù)接收到的命令控制狀態(tài)

        機(jī)的動(dòng)作,通過(guò)翻譯控制信號(hào)控制內(nèi)部狀態(tài)機(jī)產(chǎn)生控制DDR的正確時(shí)序信號(hào),這一部分是主控制模塊的關(guān)鍵和難點(diǎn),能否正確控制DDR的操作完全集中在此模塊

        (2)外部刷新模塊是輔助主狀態(tài)機(jī)模塊控制DDR處于空閑狀態(tài)時(shí)的定時(shí)刷新

        (3)地址發(fā)生模塊的作用是根據(jù)所接收由主控狀態(tài)機(jī)發(fā)送來(lái)的內(nèi)部命令產(chǎn)生所對(duì)應(yīng)的地址,然后將命令和對(duì)應(yīng)的地址同步發(fā)送給命令發(fā)送模塊

        (4)命令發(fā)生模塊是與DDR芯片的接口部分,其將從地址模塊發(fā)送來(lái)的具體命令解釋成DDR所需的命令信號(hào)和控制信號(hào)以及所需的地址信號(hào)(AO~A12,BA0,BAl)

       4 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

       為了能更清楚地了解DDR在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用,這里將對(duì)基于CPCI總線的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)框圖如圖3所示
 

       外部信號(hào)首先經(jīng)過(guò)模擬通道的調(diào)理達(dá)到A/D芯片的輸入要求,再通過(guò)A/D芯片將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)送人FPGA處理當(dāng)處理器發(fā)出"寫命令"時(shí),把數(shù)字信號(hào)在FIFO內(nèi)部進(jìn)行緩存再送入DDR進(jìn)行存儲(chǔ).如果A/D的采樣速率為200 MSa/s,則可以使用133 MHz時(shí)鐘速率的DDR芯片即可達(dá)到要求但是在內(nèi)部進(jìn)行緩存時(shí)存在一個(gè)問(wèn)題,就是寫入F1F()的時(shí)鐘速率大于讀取FIFO的時(shí)鐘速率,這樣就會(huì)導(dǎo)致從A/D采樣過(guò)來(lái)的信號(hào)不能完整地存儲(chǔ)

       在這種情況下通常采用數(shù)據(jù)分流的方式進(jìn)行解決,即把采人FPGA的200 MHz的數(shù)據(jù)流分成2路100 M的數(shù)據(jù)流,分別存入相應(yīng)的FIFO內(nèi)再以133 MHz的時(shí)鐘速率讀出送DDR進(jìn)行存儲(chǔ),這樣就可以對(duì)信號(hào)進(jìn)行完整的存儲(chǔ)當(dāng)然存儲(chǔ)過(guò)程還要通過(guò)DDR的控制模塊和FPGA內(nèi)部自帶的1P核的配合才能夠完成同理,當(dāng)處理器發(fā)出"瀆命令"時(shí),在DDR控制模塊的控制下將DDR內(nèi)部數(shù)據(jù)讀回FPGA內(nèi)部,再次通過(guò)FIFO進(jìn)行緩存通常采用40 M的時(shí)鐘速率將數(shù)據(jù)送回處理器處理,從DDR寫回FPGA的數(shù)據(jù)流時(shí)鐘速率為133 M,而從FIFO讀}IJ數(shù)據(jù)的時(shí)鐘速率為40 M;同樣存在著寫入FIFO的時(shí)鐘速率大于讀取的時(shí)鐘速率的現(xiàn)象,但足這里不仔在數(shù)據(jù)丟火的問(wèn)題,岡為前端的分流處理已經(jīng)保證了數(shù)據(jù)的完整性這里只需對(duì)FIFO及DDR進(jìn)行控制,即對(duì)FIFO的使用率做一個(gè)控制,當(dāng)FIFO的使用率大于某一值時(shí),停止從DDR中讀取數(shù)據(jù);當(dāng)小于這個(gè)值時(shí),繼續(xù)從DDR中讀取數(shù)據(jù)這樣就有足夠的數(shù)據(jù)可進(jìn)行分析處理,從而重現(xiàn)信號(hào)特征

      5 結(jié) 語(yǔ)

      DDR在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用有很大的實(shí)際意義,他提高了系統(tǒng)的可靠性和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)深度,在一定程度上有效地減小了電路設(shè)計(jì)的尺寸DDR已經(jīng)被應(yīng)用于視頻采集、內(nèi)存設(shè)計(jì)等多個(gè)領(lǐng)域其關(guān)鍵技術(shù)是DDR時(shí)序控制模塊的設(shè)計(jì)

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電源

在工業(yè)自動(dòng)化蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,工業(yè)電機(jī)作為核心動(dòng)力設(shè)備,其驅(qū)動(dòng)電源的性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。其中,反電動(dòng)勢(shì)抑制與過(guò)流保護(hù)是驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的兩個(gè)環(huán)節(jié),集成化方案的設(shè)計(jì)成為提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能的關(guān)鍵。

關(guān)鍵字: 工業(yè)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)電源

LED 驅(qū)動(dòng)電源作為 LED 照明系統(tǒng)的 “心臟”,其穩(wěn)定性直接決定了整個(gè)照明設(shè)備的使用壽命。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,LED 驅(qū)動(dòng)電源易損壞的問(wèn)題卻十分常見(jiàn),不僅增加了維護(hù)成本,還影響了用戶體驗(yàn)。要解決這一問(wèn)題,需從設(shè)計(jì)、生...

關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電源 照明系統(tǒng) 散熱

根據(jù)LED驅(qū)動(dòng)電源的公式,電感內(nèi)電流波動(dòng)大小和電感值成反比,輸出紋波和輸出電容值成反比。所以加大電感值和輸出電容值可以減小紋波。

關(guān)鍵字: LED 設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電源

電動(dòng)汽車(EV)作為新能源汽車的重要代表,正逐漸成為全球汽車產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。電動(dòng)汽車的核心技術(shù)之一是電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng),而絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,其性能直接影響到電動(dòng)汽車的動(dòng)力性能和...

關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車 新能源 驅(qū)動(dòng)電源

在現(xiàn)代城市建設(shè)中,街道及停車場(chǎng)照明作為基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分,其質(zhì)量和效率直接關(guān)系到城市的公共安全、居民生活質(zhì)量和能源利用效率。隨著科技的進(jìn)步,高亮度白光發(fā)光二極管(LED)因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸取代傳統(tǒng)光源,成為大功率區(qū)域...

關(guān)鍵字: 發(fā)光二極管 驅(qū)動(dòng)電源 LED

LED通用照明設(shè)計(jì)工程師會(huì)遇到許多挑戰(zhàn),如功率密度、功率因數(shù)校正(PFC)、空間受限和可靠性等。

關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 功率因數(shù)校正

在LED照明技術(shù)日益普及的今天,LED驅(qū)動(dòng)電源的電磁干擾(EMI)問(wèn)題成為了一個(gè)不可忽視的挑戰(zhàn)。電磁干擾不僅會(huì)影響LED燈具的正常工作,還可能對(duì)周圍電子設(shè)備造成不利影響,甚至引發(fā)系統(tǒng)故障。因此,采取有效的硬件措施來(lái)解決L...

關(guān)鍵字: LED照明技術(shù) 電磁干擾 驅(qū)動(dòng)電源

開關(guān)電源具有效率高的特性,而且開關(guān)電源的變壓器體積比串聯(lián)穩(wěn)壓型電源的要小得多,電源電路比較整潔,整機(jī)重量也有所下降,所以,現(xiàn)在的LED驅(qū)動(dòng)電源

關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 開關(guān)電源

LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

關(guān)鍵字: LED 隧道燈 驅(qū)動(dòng)電源
關(guān)閉