Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司宣布其多種技術(shù)已經(jīng)納入TSMC參考流程9.0版本中。這些可靠的能力幫助設(shè)計(jì)師使其產(chǎn)品更快地投入量產(chǎn)，提供了自動(dòng)化的、前端到后端的流程，實(shí)現(xiàn)高良品率、省電型設(shè)計(jì)，面向晶圓廠的40納米生產(chǎn)工藝。

Cadence已經(jīng)在多代的工藝技術(shù)中與TSMC合作，開(kāi)發(fā)參考流程，提供低功耗設(shè)計(jì)能力和高級(jí)DFM方法學(xué)。通過(guò)參考流程9.0，Cadence將這些性能拓展到該晶圓廠的40納米工藝節(jié)點(diǎn)，使用光刻物理分析和強(qiáng)化的統(tǒng)計(jì)靜態(tài)時(shí)序分析能力，此外一直追隨TSMC參考流程的Cadence已經(jīng)支持Si2通用功率格式（CPF）有一年多的時(shí)間，而現(xiàn)在加入了新的功能，補(bǔ)充了全面綜合的Cadence低功耗解決方案，幫助提供快速而精確的低功耗設(shè)計(jì)。

這次Cadence對(duì)TSMC參考流程9.0版追加的新功能包括一種透明的中間工藝節(jié)點(diǎn)(half-node)設(shè)計(jì)流程，支持TSMC的40納米工藝技術(shù)。這包括支持40納米布局與繞線規(guī)則、一個(gè)全面的可測(cè)試型(design-for-test) 設(shè)計(jì)流程、結(jié)合成品率考量的漏電功耗和時(shí)序的計(jì)算、增強(qiáng)的基于統(tǒng)計(jì)學(xué)的SI時(shí)序分析、層次化的lithographic physical分析、時(shí)序與漏電分析、層次化和并行的臨界域分析和優(yōu)化、基于CMP考量的RC抽取、clock buffer placement的優(yōu)化、 multi-mode multi-corner分析、以及層次化的dummy metal fill。

Cadence對(duì)TSMC參考流程9.0版的支持為40納米工藝技術(shù)提供了高級(jí)DFM、功耗、布線與模擬功能。該硅相關(guān)型技術(shù)包括：

1 用于物理實(shí)現(xiàn)的時(shí)序、LEF、Cap libraries和綜合的臨界區(qū)域分析，使用Cadence SoC Encounter? RTL-to-GDSII 系統(tǒng)，包含RTL Compiler與Encounter Timing System。

2 TSMC 認(rèn)可的布線可印刷性檢查(layout printability checking)，包括使用Cadence Litho Physical Analyzer其進(jìn)行層次化的分析與熱點(diǎn)偵測(cè)，并使用Cadence Cadence Chip Optimizer自動(dòng)修復(fù)。

3 使用Cadence CMP Predictor用于電子熱點(diǎn)偵測(cè)，實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing)（厚度）預(yù)測(cè)。

4 層次化的CMP與層次化的dummy metal fill，使用SoC Encounter系統(tǒng)與DFM解決方案。

5 使用Cadence QRC Extraction進(jìn)行功能級(jí)有VCMP意識(shí)的區(qū)塊與芯片級(jí)RC提取。

6 使用對(duì)應(yīng)CPF的RTL-to-GDSII低功耗解決方案特別涵蓋macro modeling、I/O pad modeling, secondary power domains和層次化的流程進(jìn)行IP復(fù)用。

7 使用VoltageStorm? PE和DG Option進(jìn)行IR、EM和功率分析。

8 應(yīng)用dynamic IR drop reduction進(jìn)行高級(jí)multi-mode, multi-corner clock-tree synthesis。

9 使用統(tǒng)計(jì)靜態(tài)時(shí)序分析進(jìn)行thermal runaway分析與熱感知靜態(tài)時(shí)序分析。

10 使用Encounter Test進(jìn)行XOR壓縮與True Time At-Speed ATPG。