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[導(dǎo)讀]摘 要:FC(倒裝片)和WLP(圓片級(jí)封裝)均要在圓片上制作各類(lèi)凸點(diǎn),它們與基板焊接互連后,由于各材料間的熱失配可能造成凸點(diǎn)——基板間互連失效,從而影響了器件的可靠性和使用壽命。解決這一問(wèn)題的通常做法是對(duì)芯片凸

摘 要:FC(倒裝片)和WLP(圓片級(jí)封裝)均要在圓片上制作各類(lèi)凸點(diǎn),它們與基板焊接互連后,由于各材料間的熱失配可能造成凸點(diǎn)——基板間互連失效,從而影響了器件的可靠性和使用壽命。解決這一問(wèn)題的通常做法是對(duì)芯片凸點(diǎn)與基板間進(jìn)行下填充。本文介紹的柔性凸點(diǎn)技術(shù)是在焊球下面增加一層具有彈性的柔性材料,當(dāng)器件工作產(chǎn)生熱失配時(shí),由于柔性材料的自由伸縮,將大大減小以至消除各材料間的失配應(yīng)力,使芯片凸點(diǎn)與基板下即使不加下填充,也能達(dá)到器件穩(wěn)定、長(zhǎng)期、可靠地工作的目的。

關(guān)鍵詞:FC;FCB;WLP; 柔性凸點(diǎn)

中圖分類(lèi)號(hào):TN305.94 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼

1 引言

盡管各種電子產(chǎn)品中使用的封裝形式多種多樣,如DIP、PGA、SOP、QFP、BGA、CSP、FC、MCM和3D等,但作為芯片與外電路連接的方式,也僅有三種,即:絲焊(WB)、載帶自動(dòng)焊(TAB)和倒裝焊(FCB)技術(shù)。

WB的歷史最悠久,應(yīng)用最廣泛,技術(shù)也最成熟,至今仍是各種封裝互連的主流;TAB應(yīng)用與WB相比則較為有限,主要在薄膜晶體管顯示器(TFT文章編號(hào)LCD)電子產(chǎn)品中使用,其次也在計(jì)算機(jī)、汽車(chē)電子、打印頭、電子手表及醫(yī)療電子上應(yīng)用;FCB將成為未來(lái)封裝互連的主流,近幾年的發(fā)展尤其令人矚目,在各類(lèi)封裝領(lǐng)域中FCB取代WB成為封裝互連主流已是大勢(shì)所趨。根據(jù)調(diào)查機(jī)構(gòu)TechSearch所做的調(diào)查,全球采用FCB技術(shù)的FC 2001年僅為10億片,2003年增至20億片,2005年將突破35億片。屆時(shí),F(xiàn)CB可望超過(guò)WB封裝互連而成為市場(chǎng)主流。

BGA、CSP和FC都是FCB的封裝互連形式,BGA、CSP可視為包含了豐富內(nèi)容、“放大”了的FC;而WLP則是在各種CSP中最具發(fā)展前景的,這種WLP與FC相比較,除面陣焊球引腳節(jié)距比FC的凸點(diǎn)節(jié)距更大些,因而更適合當(dāng)前SMT的應(yīng)用之外,在制作方法上二者幾乎無(wú)差別。只有在應(yīng)用時(shí),往往FC與基板間要增加下填充工藝,以補(bǔ)償由于機(jī)械震動(dòng)沖擊、特別是由于電源或溫度的周期變化所引起的焊點(diǎn)與基板間熱失配應(yīng)力。對(duì)于WLP,由于下填充工藝與安裝WLP的SMT工藝不兼容,在滿(mǎn)足一定可靠性要求的情況下,可以不添加下填充工藝。

在今后大量使用FC和WLP時(shí),能否既不增加下填充工藝,又能與SMT工藝兼容,并共同提高FC和WLP的可靠性呢?這就是本文要回答的問(wèn)題——一種新型FC和WLP焊接可靠性的柔性凸點(diǎn)技術(shù)。

2 FCB技術(shù)概覽

2.1 FCB技術(shù)的起源

FCB技術(shù)源自20世紀(jì)60年代初美國(guó)IBM公司研制開(kāi)發(fā)出的在芯片—卜制作凸點(diǎn)的FCB技術(shù),1964年首先制成混合集成電路(HIC)組件并用于電子計(jì)算機(jī)上。這種技術(shù)最先使用電鍍Ni-Au的Cu球,再用Pb-Sn焊料包裹,但Cu球不能太小,否則凸點(diǎn)難以向更小方向發(fā)展。由此,IBM公司又研制開(kāi)發(fā)了不用Cu球,完全用Pb-Sn形成凸點(diǎn)的方法,即可控塌陷芯片連接,如圖1所示。

C4技術(shù)的開(kāi)發(fā)成功,使IC芯片的FCB實(shí)現(xiàn)了多點(diǎn)一次性焊接互連(WB為逐點(diǎn)焊接互連);Pb-Sn易于熔化再流,并可彌補(bǔ)因凸點(diǎn)高度不一致或基板不平而引起的高度差。FCB時(shí)由于Pb-Sn處于熔化狀態(tài),所加的焊接壓力小,從而不易損傷芯片和焊點(diǎn);特別是Pb-Sn熔化時(shí)具有較大的表面張力,使焊接具有“自對(duì)準(zhǔn)”效果,即使FCB時(shí)芯片與基板焊區(qū)對(duì)位偏移,也會(huì)在Pb-Sn再流時(shí)回到對(duì)中位置。

2.2 FCB的優(yōu)越性

20世紀(jì)80年代以來(lái),隨著IC向LSI、VLSI的發(fā)展,其I/O數(shù)不斷增加,使?jié)M足各類(lèi)電子整機(jī)和系統(tǒng)要求的電子封裝產(chǎn)品不斷提升并具有高性能、多功能、高頻高速、小型化、薄型化、輕型化、便攜化、智能化及低成本等特點(diǎn),這些封裝形式從插裝型的DIP,到SMD型的SOP、QFP,再到先進(jìn)封裝BGA、CSP、FC等。QFP之前的I/O引腳為周邊型排列,只能達(dá)到數(shù)百個(gè)引腳;而B(niǎo)GA以后的I/O引腳則為面陣型排列,引腳即是焊球,可從數(shù)百直至數(shù)千個(gè)。特別是CSP的出現(xiàn),使一直困擾著封裝界并往往成為封裝“瓶頸”的“芯片小而封裝大”的矛盾終于得到解
決,而今日WLP更成為各類(lèi)CSP的發(fā)展主流,這就很自然地進(jìn)入更高一級(jí)的FC和FCB封裝互連階段。

在當(dāng)今飛速發(fā)展的信息化時(shí)代,WLP和FCB技術(shù)之所以受到人們的青睞,是由于與其他封裝及WB、TAB封裝互連相比,這兩種技術(shù)有其顯著的優(yōu)越性:

①能減小信號(hào)引腳電感,提高信號(hào)傳輸能力;
②可減小電源引腳電感;
③能提高信號(hào)抗干擾能力,減小信號(hào)的失真度;
④能獲得卓越的熱、電性能及可靠性;
⑤能減小電子封裝部件的尺寸;
⑥I/O引腳可全面陣排列(包括有源區(qū)),且隨著引腳節(jié)距的縮小,I/O引腳大量增加,目前已超過(guò)2500個(gè);
⑦由于C4焊球的自對(duì)準(zhǔn)效果,對(duì)SMT安裝再流工藝更加寬松,成品率及可靠性會(huì)更高。

FC的成本問(wèn)題仍是當(dāng)前使用中的關(guān)鍵因素之一,但人們相信,這種無(wú)封裝的“封裝”(裸芯片)產(chǎn)品成本,最終應(yīng)是最低的,這取決于制作FC的工藝成熟程度及產(chǎn)品的量產(chǎn)情況。

2.3 FC和WLP面臨的可靠性問(wèn)題

FC和WLP在具有如上所述優(yōu)越性的同時(shí),當(dāng)安裝到基板上,特別是PCB上時(shí),由于當(dāng)前各類(lèi)凸點(diǎn)制作工藝的某些缺陷,使面陣焊點(diǎn)的柔性較差,易受焊接疲勞失效的影響。這是各種材料的CTE(熱膨脹系數(shù))不同所致。例如Si的CTE約為3.3×10-6℃-1,而FR-4PCB其CTE約為15×10-6℃-1—-18×10-6℃-1,這樣在熱循環(huán)過(guò)程中,就會(huì)給芯片上的焊點(diǎn)造成較大的機(jī)械應(yīng)力,若不采取相應(yīng)措施,就會(huì)產(chǎn)生焊接疲勞和器件失效。尤其是對(duì)于大尺寸的芯片,遠(yuǎn)離芯片中心的凸點(diǎn)焊球(特別是芯片四角處)所受的熱應(yīng)力更大,往往容易失效。為了解決這一問(wèn)題,通常采用芯片與基板問(wèn)下填充環(huán)氧樹(shù)脂的辦法,但這又與SMT千藝不兼容。因?yàn)楫?dāng)FC和WLP與PCB上的其他元器件一同安裝并再流后,必須“下線(xiàn)”進(jìn)行下填充,并使材料固化后才能繼續(xù)完成后續(xù)工藝,哪怕只安裝一個(gè)FC,也要增添同樣的工藝過(guò)程。這無(wú)疑增加了’廠藝制作成本并延長(zhǎng)了制作周期。如何既不增加下填充工藝,又能使器件受到的熱失配應(yīng)力得以緩解或消除,從而提高可靠性,就成為FC和WLP面臨的實(shí)際問(wèn)題。

3 解決FC和WLP焊接可靠性的柔性凸點(diǎn)技術(shù)

近幾年,國(guó)際上為解決FC和WLP焊接可靠性問(wèn)題做了大量的研究開(kāi)發(fā);廠作,其中最具代表性和實(shí)用性的當(dāng)屬美國(guó)GE公司研發(fā)的柔性凸點(diǎn)技術(shù),圖2所示為這種柔性凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

3.1 柔性凸點(diǎn)技術(shù)

為了展示柔性凸點(diǎn)的優(yōu)越性的WLP凸點(diǎn)進(jìn)行比較。

3.1.1 典型的WLP凸點(diǎn)技術(shù)

典型的WLP工藝流程如圖3所示。

3.1.2 新型的FC和WLP柔性凸點(diǎn)技術(shù)

與上述典型的FC和WLP凸點(diǎn)技術(shù)相比,柔性凸點(diǎn)技術(shù)的關(guān)鍵是在新焊區(qū)下面增加了一層具有彈性的柔性材料,光刻后形成兩邊具有斜坡的柔性凸點(diǎn),其余的工藝兩者均基本相同。其工藝流程如圖4所示。

需要指出的是,這里的工藝流程是從重布線(xiàn)后的圓片開(kāi)始的。如果原先已鈍化圓片的焊區(qū)為周邊引出時(shí),要變成面陣排列的I/O焊區(qū),則須進(jìn)行重布線(xiàn)工藝。

另外,這里幾層材料是使用涂覆、光刻膜的制作方法,而從成本考慮,也可使用模板印制方法;制作UBM(凸點(diǎn)下金屬)既可以采用濺射、光刻法完成,也可以用化學(xué)鍍方法完成,而后者成本更低。

3.2 柔性凸點(diǎn)受力后的適應(yīng)性

FC/WLP的面陣排列I/O引腳的焊接疲勞是由各材料間的CTE差別較大引起的,加之使用中溫度變化范圍寬,其焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)又缺乏緩解應(yīng)力的柔性,若不采取相應(yīng)措施(如增加下填充),器件就可能由焊接疲勞走向疲勞失效之路。

這里制作的柔性凸點(diǎn)處于焊球的下面,柔性凸點(diǎn)具有一定的彈性,當(dāng)受到來(lái)自各方向的應(yīng)力時(shí)(主要是由熱失配引起的平面剪應(yīng)力),柔性凸點(diǎn)就能產(chǎn)生相應(yīng)的一定形變,從而可緩解以至達(dá)到消除應(yīng)力的目的。圖5給出了柔性凸點(diǎn)在各種受力情況下的形變適應(yīng)性。

4 結(jié)束語(yǔ)

本文論述了FC和FCB的優(yōu)越性及其將成為封裝互連主流后面臨的問(wèn)題和挑戰(zhàn)。當(dāng)前FC/WLP的面陣焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)缺乏緩解各材料間因CTE差別較大而引起失配應(yīng)力的能力,而柔性凸點(diǎn)技術(shù)則可望能較好地解決失配應(yīng)力問(wèn)題,從而使FC/WLP即使不加下填充,也能達(dá)到器件穩(wěn)定、長(zhǎng)期可靠地工作的目的。



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