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封裝與引腳定義

以最常用的 TO-92 封裝為例,DS18B20 3 個引腳功能如下:

VDD(引腳 1):電源端,可接 3.0~5.5V 電壓,在寄生模式下需接地。

DQ(引腳 2):數(shù)據(jù)輸入 / 輸出端,通過單總線與 MCU 通信,需外接 4.7kΩ 上拉電阻至 VDD,確??偩€空閑時為高電平。

GND(引腳 3):接地端,為芯片提供參考地電位。

SOP-8 封裝則增加了 NC(空腳)和其他輔助引腳,但核心功能引腳(VDD、DQGND)定義一致,適用于表面貼裝工藝的批量生產(chǎn)。

工作原理:從溫度測量到數(shù)字輸出

DS18B20 的測溫流程可分為溫度采集、A/D 轉(zhuǎn)換、數(shù)據(jù)存儲三個階段,每個階段由內(nèi)部控制器按指令協(xié)調(diào)工作,最終通過單總線將數(shù)字溫度值傳輸給 MCU。

溫度測量與轉(zhuǎn)換機(jī)制

當(dāng)接收到 “溫度轉(zhuǎn)換” 指令(0x44)后,DS18B20 啟動測溫流程:

傳感單元輸出模擬信號:溫度變化導(dǎo)致 PN 結(jié)正向壓降改變,通過運算放大器放大為 0~1.2V 的模擬電壓(對應(yīng) - 55~125℃)。

A/D 轉(zhuǎn)換:16 ADC 對模擬電壓進(jìn)行量化,轉(zhuǎn)換結(jié)果為 16 位二進(jìn)制補(bǔ)碼(符號位 + 7 位整數(shù)位 + 8 位小數(shù)位,12 位分辨率時小數(shù)位取高 4 位)。例如:

溫度為 + 25.0℃時,轉(zhuǎn)換結(jié)果為 0x00FA(二進(jìn)制 0000 0000 1111 1010),計算為 25.0℃;

溫度為 - 10.125℃時,轉(zhuǎn)換結(jié)果為 0xFFF1(二進(jìn)制 1111 1111 1111 0001),通過補(bǔ)碼運算得 - 10.125℃。

數(shù)據(jù)存儲:轉(zhuǎn)換完成后,16 位結(jié)果存入 RAM 的溫度寄存器(第 23 字節(jié)),同時置位內(nèi)部 “轉(zhuǎn)換完成” 標(biāo)志,等待 MCU 讀取。

值得注意的是,A/D 轉(zhuǎn)換的分辨率可通過 “配置寄存器”(RAM 4 字節(jié))調(diào)整。配置寄存器的高 2 位(R1、R0)決定分辨率:

R1=0、R0=0 9 位分辨率(溫度增量 0.5℃)

R1=0、R0=1 10 位分辨率(溫度增量 0.25℃)

R1=1、R0=0 11 位分辨率(溫度增量 0.125℃)

R1=1、R0=1 12 位分辨率(溫度增量 0.0625℃,默認(rèn)值)

寄生電源模式的工作原理

在寄生電源模式下,DS18B20 無需外部供電,而是通過 DQ 線獲取能量:

空閑狀態(tài):DQ 線通過上拉電阻保持高電平(3~5V),芯片內(nèi)部電容(約 800pF)充電儲能。

通信 / 轉(zhuǎn)換階段:當(dāng) DQ 線拉低時,電容放電為芯片供電;轉(zhuǎn)換期間(尤其是 12 位模式需 750ms),MCU 需將 DQ 線強(qiáng)制拉高,確保電容持續(xù)充電,避免因供電不足導(dǎo)致轉(zhuǎn)換失敗。

該模式的優(yōu)勢是減少一根電源線,適合長線測溫(如地下管道測溫),但需注意總線長度不宜超過 50 米,且總線上傳感器數(shù)量不宜過多(通?!?/span>8 個),否則會因負(fù)載過大導(dǎo)致電壓跌落。

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