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[導讀]現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心功率需求激增,48V母線架構逐漸取代傳統(tǒng)12V系統(tǒng),高功率密度、高效率和可靠保護成為行業(yè)核心挑戰(zhàn)。德州儀器全新電源管理芯片TPS1685和氮化鎵(GaN)器件LMG3650,為AI數(shù)據(jù)中心提供智能、可靠的電源管理方案,助力行業(yè)在高性能計算與能源效率之間找到完美平衡。

在人工智能(AI)、云計算和5G技術迅猛發(fā)展的推動下,現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心正迎來前所未有的變革。服務器機架的功率需求激增,48V母線架構逐漸取代傳統(tǒng)12V系統(tǒng),高功率密度、高效率和可靠保護成為行業(yè)核心挑戰(zhàn)。德州儀器(Texas Instruments, TI)以其在半導體領域的深厚積淀,于近日發(fā)布了全新電源管理芯片TPS1685和氮化鎵(GaN)器件LMG3650。這兩款產品通過高度集成化設計、優(yōu)化的性能和靈活的應用支持,為AI數(shù)據(jù)中心提供智能、可靠的電源管理方案,助力行業(yè)在高性能計算與能源效率之間找到完美平衡。本文將深入剖析這兩款產品的技術亮點、應用場景及對數(shù)據(jù)中心電源架構的深遠影響。


AI潮起,數(shù)據(jù)中心電源管理迎來時代命題

AI數(shù)據(jù)中心的崛起正在重塑全球科技格局。從生成式AI模型訓練到實時云端推理,GPU和TPU等高性能計算單元的廣泛應用使得服務器電源需求呈指數(shù)級增長。以往以CPU為主的12V電源架構因高電流帶來的銅損問題已難以滿足現(xiàn)代需求,而48V母線通過降低電流顯著提升效率,成為行業(yè)新標準。然而,48V架構的普及帶來了新的挑戰(zhàn):如何在更高電壓下實現(xiàn)精準的保護機制?如何在有限空間內提升功率密度?如何在高頻操作中平衡效率與電磁干擾(EMI)?這些問題無不指向一個核心——半導體技術的創(chuàng)新。

德州儀器系統(tǒng)經理游聲揚在發(fā)布會上指出:“GPU相對于CPU需要更大的功率、更大的功耗。對于半導體和電源設計來說,我們需要聚焦功率密度、效率,同時額外的保護和系統(tǒng)可靠性也是重點?!边@一洞察精準概括了AI數(shù)據(jù)中心電源管理的核心訴求。TI的TPS1685和LMG3650正是為此量身打造,通過集成化設計和先進材料技術,為數(shù)據(jù)中心提供高效、可靠的解決方案。


TPS1685:集成化重塑電源保護

TPS1685是一款專為48V服務器電源設計的集成式熱插拔電子保險絲,針對AI數(shù)據(jù)中心的高功率密度和動態(tài)負載需求進行了深度優(yōu)化。與傳統(tǒng)分立式熱插拔控制器相比,TPS1685通過高度集成化設計,將元件數(shù)量削減50%,采用緊湊的30平方毫米QFN(四方扁平無引腳)封裝,顯著降低PCB占用面積。這種小型化設計不僅提升了功率密度,還為服務器機架釋放更多空間,滿足高密度計算的需求。

TPS1685的核心優(yōu)勢在于其精準的電流管理和快速的故障響應能力。器件內置電流傳感器,通過IMON引腳實現(xiàn)并聯(lián)器件間的動態(tài)電流平衡,有效避免因阻抗不匹配導致的電流失衡。即使在多器件并聯(lián)的高電流場景(如5kW及以上),也能確保每個電子保險絲的負載均衡,提升系統(tǒng)整體穩(wěn)定性。游聲揚在發(fā)布會上強調:“TPS1685的集成式設計可以減少設計上所需要的時間,更有效地確保不同晶體管之間的電流做到均衡?!边@一特性在GPU負載劇烈波動的AI應用中尤為關鍵。

智能診斷與動態(tài)保護

AI數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)常常面臨瞬時過載的挑戰(zhàn),例如GPU在高算力任務下的動態(tài)電流 spikes。TPS1685通過過流消隱計時器(overcurrent blanking timer)有效避免誤觸發(fā),確保系統(tǒng)在短時過流情況下無需中斷運行。此外,器件集成了“黑匣子”功能,可記錄過流、過壓、過溫等故障事件的數(shù)據(jù),供工程師分析問題根因。這種智能診斷能力不僅提升了系統(tǒng)可靠性,還縮短了故障排查時間。

在安全性方面,TPS1685通過主動RDS(導通電阻)調節(jié)機制優(yōu)化并聯(lián)晶體管的電流分配,并針對晶體管的安全工作區(qū)(SOA)進行了精細設計,確保器件在高負載下的長期穩(wěn)定運行。支持6kW及以上功率等級的并聯(lián)擴展能力,進一步使其成為高功率服務器電源的理想選擇。

應用場景與評估支持

TPS1685的目標應用包括云端服務器、AI訓練集群和電信電源系統(tǒng)。TI推出了兩款評估模塊(EVM):一款支持54V/40A的雙并聯(lián)方案,另一款為5kW三并聯(lián)方案。與傳統(tǒng)分立式設計相比,TPS1685將評估板尺寸從380平方厘米縮減至更緊湊的布局,功率密度提升顯著。


LMG3650:集成GaN的效率革命

在數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)中,AC/DC整流和DC/DC轉換階段的效率直接影響整體能耗。傳統(tǒng)硅基MOSFET受限于開關損耗和高頻操作能力,難以滿足現(xiàn)代高功率密度需求。氮化鎵(GaN)憑借低開關損耗和快速開關特性,成為電源設計的新寵。TI推出的LMG3650是一款650V GaN FET,采用TOLL(Thin Outline Leadless)封裝,提供25mΩ、35mΩ和70mΩ三種導通電阻選項,覆蓋1.8kW至12kW的功率等級,廣泛適用于無橋PFC(功率因數(shù)校正)整流器和隔離式DC/DC轉換器。

LMG3650的最大亮點在于其高度集成化設計。器件內置驅動器,顯著降低驅動環(huán)路電感,支持MHz級高頻操作。游聲揚指出:“我們把驅動器集成在氮化鎵里面,就可以容許更高頻的操作,從而充分發(fā)揮氮化鎵低開關損耗的優(yōu)勢?!边@一設計不僅縮小了磁性元件的尺寸,還提升了電源系統(tǒng)的整體效率,特別適合LLC串聯(lián)諧振等軟開關拓撲。

靈活的EMI優(yōu)化與多功率選擇

氮化鎵的高速開關(最高可達150V/ns)在提升效率的同時,可能引入EMI干擾。LMG3650通過可調驅動強度和壓擺率功能,允許工程師根據(jù)PCB布局優(yōu)化開關速度。例如,在EMI敏感場景下,可將壓擺率降至50V/ns以下,兼容現(xiàn)有碳化硅設計,降低開發(fā)成本。這種靈活性對于通信電源和高頻整流器尤為重要。

LMG3650提供三種導通電阻版本,滿足不同應用需求。25mΩ版本適合高功率場景,優(yōu)化傳導損耗;70mΩ版本因較低的COSS(輸出電容)而更適合高頻設計,減少開關損耗。TOLL封裝的標準化設計進一步提升了供應鏈靈活性,便于多源采購,同時保持優(yōu)異的散熱性能,適合高功率密度應用。

保護機制與熱管理

在高負載長時間運行的AI數(shù)據(jù)中心場景中,過壓、過流及過熱保護至關重要。LMG3650集成了過流和過溫保護機制,通過專用引腳輸出溫度相關的PWM信號,配合MCU實現(xiàn)精準熱管理。當器件接近過溫閾值時,可自動關斷,確保安全運行。這種智能保護機制在高功率等級(如8kW至12kW)的無橋PFC整流器和LLC轉換器中尤為關鍵。

應用場景與評估支持

LMG3650的目標應用包括服務器電源的AC/DC整流(如1.8kW至12kW無橋PFC)和隔離式DC/DC轉換(400V/450V至48V)。TI提供了三種EVM評估模塊,支持不同功率等級的測試驗證。


深度解析:TPS1685與LMG3650協(xié)同賦能48V架構

AI數(shù)據(jù)中心的電源架構正從12V向48V快速轉型。12V系統(tǒng)在高功率場景下因大電流導致的銅損問題顯著,而48V母線通過降低電流有效減少損耗,同時支持更高功率密度。然而,48V架構對保護機制和轉換效率提出了更高要求。例如,GPU的動態(tài)負載可能引發(fā)瞬時過流,傳統(tǒng)保護器件響應速度不足;而高頻轉換器則需平衡效率與EMI干擾。


TPS1685和LMG3650通過協(xié)同工作,完美應對這些挑戰(zhàn):

·前端保護(TPS1685):在48V母線前端,TPS1685作為熱插拔電子保險絲,提供精準的電流管理和快速故障響應。其3.65mΩ的低導通電阻確保低功耗運行,同時支持多器件并聯(lián),覆蓋6kW及以上功率等級。過流消隱計時器和黑匣子功能進一步提升了動態(tài)負載下的可靠性。

·后端轉換(LMG3650):在AC/DC整流和DC/DC轉換階段,LMG3650的高頻操作能力顯著降低磁性元件尺寸,優(yōu)化功率密度。其低COSS特性在LLC諧振拓撲中減少環(huán)流損耗,提升效率。可調壓擺率設計則有效控制EMI干擾,確保高頻運行的穩(wěn)定性。

多級轉換架構的支持

以服務器電源供應器(PSU)為例,典型多級轉換架構包括:AC至400V/450V DC的無橋PFC整流、400V/450V至48V的隔離式DC/DC轉換。LMG3650在無橋PFC階段支持1.8kW至12kW的多相交錯設計,提升效率;在DC/DC階段,其高頻特性配合LLC拓撲可將開關頻率從傳統(tǒng)100kHz提升至更高水平,縮小變壓器尺寸。TPS1685則在48V母線端提供保護,確保從前端到后端的無縫集成。

EMI與PCB布局的優(yōu)化

氮化鎵的高DVDT(電壓變化率)可能引發(fā)EMI干擾,尤其在高頻大功率場景下。LMG3650通過集成驅動器降低環(huán)路電感,同時提供壓擺率調節(jié)功能,允許工程師優(yōu)化開關速度。例如,在實際測試中,當PCB布局較差時,將壓擺率從100V/ns降至50V/ns可顯著降低近場干擾。TI建議在高功率器件附近采用四層PCB設計,將敏感信號置于中間層,上下層作為屏蔽,進一步減少干擾。

TPS1685的集成化設計同樣簡化了PCB布局。其小型QFN封裝和內置電流傳感器減少了布線復雜度,避免了分立式方案中常見的阻抗匹配問題。這兩款器件的協(xié)同優(yōu)化,使工程師能夠在高密度服務器設計中實現(xiàn)更高效的布局。

TPS1685和LMG3650的發(fā)布,不僅是TI產品線的一次重要擴展,更是對AI數(shù)據(jù)中心電源管理范式的深刻重塑:

·功率密度的飛躍:TPS1685通過集成化設計將保護電路尺寸減半,LMG3650的高頻操作縮小磁性元件體積,二者共同推動服務器機架功率密度提升,為高算力AI集群提供更大空間。

·效率與可靠性的雙贏:LMG3650在無橋PFCLLC拓撲中的高效率表現(xiàn),結合TPS1685的精準保護,顯著降低數(shù)據(jù)中心能耗,同時確保長期運行的穩(wěn)定性。

·設計簡化的賦能:兩款器件的高度集成化降低了開發(fā)復雜度和成本。TPS1685的并聯(lián)擴展能力和LMG3650的多功率選項,為工程師提供了靈活的設計選擇,加速產品上市進程。

·未來兼容性:針對48V母線架構的優(yōu)化設計,使這兩款產品能夠無縫集成到現(xiàn)有和未來的數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)中,為行業(yè)向更高電壓、更高效的方向演進奠定基礎。

德州儀器通過TPS1685和LMG3650的發(fā)布,展現(xiàn)了其在電源管理領域的深厚技術實力和前瞻視野。這兩款產品以集成化設計和優(yōu)異性能,完美應對AI數(shù)據(jù)中心對高功率密度、高效率和可靠保護的迫切需求。從48V母線的精準保護到高頻轉換的效率突破,TI正在為數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)的未來樹立新標桿。

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