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[導(dǎo)讀]在現(xiàn)代電子設(shè)備中,開(kāi)關(guān)電源因其高效、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用。然而,開(kāi)關(guān)電源在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生電磁干擾(EMI),影響自身及周邊電子設(shè)備的正常運(yùn)行。EMI 干擾按頻段可分為不同類型,每種頻段的干擾有著獨(dú)特的產(chǎn)生原因,也需要針對(duì)性的抑制辦法。

在現(xiàn)代電子設(shè)備中,開(kāi)關(guān)電源因其高效、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用。然而,開(kāi)關(guān)電源在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生電磁干擾(EMI),影響自身及周邊電子設(shè)備的正常運(yùn)行。EMI 干擾按頻段可分為不同類型,每種頻段的干擾有著獨(dú)特的產(chǎn)生原因,也需要針對(duì)性的抑制辦法。

低頻段(150kHz - 500kHz)干擾原因及抑制

干擾原因

開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷:在低頻段,開(kāi)關(guān)管的周期性導(dǎo)通和關(guān)斷是主要干擾源。當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),電流迅速上升,產(chǎn)生較大的 di/dt(電流變化率),根據(jù)電磁感應(yīng)定律,會(huì)在周圍空間產(chǎn)生較強(qiáng)的磁場(chǎng),進(jìn)而引發(fā)電磁干擾。開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),電壓迅速變化產(chǎn)生較大的 dv/dt(電壓變化率),同樣會(huì)產(chǎn)生干擾。在反激式開(kāi)關(guān)電源中,開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),變壓器初級(jí)繞組電流快速上升,產(chǎn)生的磁場(chǎng)干擾會(huì)影響周邊電路。

變壓器的磁滯與渦流:低頻段下,變壓器的磁滯現(xiàn)象和繞組中的渦流也會(huì)導(dǎo)致干擾。變壓器鐵芯在交變磁場(chǎng)作用下,磁滯損耗會(huì)產(chǎn)生熱量,同時(shí)也會(huì)輻射出低頻電磁干擾。繞組中的渦流會(huì)使導(dǎo)線發(fā)熱,并且產(chǎn)生額外的磁場(chǎng),與開(kāi)關(guān)管產(chǎn)生的干擾相互疊加,加劇低頻段的 EMI 問(wèn)題。

抑制辦法

優(yōu)化開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路:通過(guò)調(diào)整開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)電阻,控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷速度,減小 di/dt 和 dv/dt。采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),如零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS),使開(kāi)關(guān)管在電壓或電流為零的時(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)斷,降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗和電磁干擾。在一些高端開(kāi)關(guān)電源中,采用 ZVS 技術(shù),有效降低了低頻段的 EMI 干擾,提高了電源效率。

變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì):選擇高磁導(dǎo)率、低磁滯損耗的鐵芯材料,如鐵氧體磁芯,可減少磁滯損耗帶來(lái)的干擾。優(yōu)化變壓器的繞組設(shè)計(jì),采用多股絞合線或利茲線,降低渦流損耗。合理設(shè)計(jì)變壓器的匝數(shù)比和繞組布局,減少漏感,降低磁場(chǎng)輻射。對(duì)變壓器進(jìn)行良好的屏蔽,使用金屬屏蔽罩將變壓器包裹,屏蔽罩接地,可有效抑制變壓器產(chǎn)生的低頻磁場(chǎng)干擾。

中頻段(500kHz - 5MHz)干擾原因及抑制

干擾原因

寄生參數(shù)影響:在中頻段,開(kāi)關(guān)電源中的寄生電容和寄生電感對(duì) EMI 干擾影響顯著。開(kāi)關(guān)管與散熱片之間、變壓器繞組之間以及電路板上的走線之間都存在寄生電容。當(dāng)開(kāi)關(guān)管工作時(shí),寄生電容會(huì)產(chǎn)生充放電電流,形成高頻干擾信號(hào)。寄生電感則會(huì)在電流變化時(shí)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),進(jìn)一步加劇干擾。在一些多層電路板設(shè)計(jì)中,不同層之間的走線寄生電容可能導(dǎo)致中頻段的串?dāng)_問(wèn)題。

二極管的反向恢復(fù):開(kāi)關(guān)電源中的整流二極管在反向恢復(fù)過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生較大的反向恢復(fù)電流,其電流變化率大,會(huì)在中頻段產(chǎn)生電磁干擾。快速恢復(fù)二極管雖然反向恢復(fù)時(shí)間較短,但在高頻應(yīng)用中,其反向恢復(fù)特性仍會(huì)對(duì) EMI 產(chǎn)生影響。

抑制辦法

寄生參數(shù)優(yōu)化:通過(guò)優(yōu)化電路板布局,減少寄生電容和寄生電感。增大開(kāi)關(guān)管與散熱片之間的距離,減小寄生電容。采用合理的布線方式,如縮短走線長(zhǎng)度、避免平行走線等,降低寄生電感。在關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)添加去耦電容,吸收寄生電容產(chǎn)生的高頻干擾信號(hào)。在電路板的電源層和地層之間,合理分布去耦電容,可有效抑制中頻段的干擾。

二極管選型與緩沖電路:選擇反向恢復(fù)特性好的二極管,如肖特基二極管,其反向恢復(fù)時(shí)間極短,可減少反向恢復(fù)電流產(chǎn)生的干擾。在二極管兩端并聯(lián)緩沖電路,如 RC 吸收電路,利用電容的儲(chǔ)能特性和電阻的耗能特性,抑制二極管反向恢復(fù)電流的突變,降低中頻段的 EMI 干擾。在一些功率較小的開(kāi)關(guān)電源中,采用肖特基二極管和 RC 吸收電路,有效改善了中頻段的電磁干擾問(wèn)題。

高頻段(5MHz - 30MHz 及以上)干擾原因及抑制

干擾原因

開(kāi)關(guān)電源的高頻諧波:開(kāi)關(guān)電源工作時(shí),其開(kāi)關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生豐富的高頻諧波,這些諧波頻率可達(dá)幾十 MHz 甚至更高。高頻諧波通過(guò)電源線、空間輻射等途徑傳播,對(duì)周邊電子設(shè)備造成干擾。在一些高頻開(kāi)關(guān)電源中,開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)幾十 MHz,其產(chǎn)生的高頻諧波會(huì)影響附近的無(wú)線通信設(shè)備。

PCB 板的輻射:在高頻段,印刷電路板(PCB)本身成為一個(gè)輻射源。PCB 上的走線、過(guò)孔等在高頻信號(hào)作用下,會(huì)像天線一樣向外輻射電磁波。尤其是當(dāng)走線長(zhǎng)度接近高頻信號(hào)波長(zhǎng)的四分之一時(shí),會(huì)形成諧振,加劇輻射強(qiáng)度。在一些緊湊型開(kāi)關(guān)電源中,由于 PCB 布局緊湊,走線較短,更容易在高頻段產(chǎn)生輻射干擾。

抑制辦法

濾波電路設(shè)計(jì):在電源輸入和輸出端添加合適的濾波器,如 π 型濾波器、LC 濾波器等,可有效濾除高頻諧波。濾波器的電感和電容參數(shù)要根據(jù)開(kāi)關(guān)電源的工作頻率和干擾頻率進(jìn)行合理選擇。在一些對(duì) EMI 要求嚴(yán)格的應(yīng)用中,采用多級(jí)濾波電路,進(jìn)一步提高濾波效果,降低高頻段的干擾。

PCB 布局優(yōu)化與屏蔽:優(yōu)化 PCB 布局,減少高頻走線的長(zhǎng)度,避免出現(xiàn)過(guò)長(zhǎng)的平行走線和直角走線。合理規(guī)劃電源層和地層,增加地層的面積,提高電路板的屏蔽效果。對(duì)整個(gè)開(kāi)關(guān)電源模塊進(jìn)行金屬屏蔽,屏蔽罩良好接地,防止高頻輻射干擾向外傳播。在一些通信設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,通過(guò)優(yōu)化 PCB 布局和添加屏蔽措施,有效抑制了高頻段的輻射干擾,保障了通信設(shè)備的正常運(yùn)行。

開(kāi)關(guān)電源在不同頻段產(chǎn)生的 EMI 干擾有著不同的原因,需要針對(duì)性地采取抑制辦法。通過(guò)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、合理選擇元件、改進(jìn) PCB 布局以及采用有效的屏蔽和濾波措施,能夠有效降低開(kāi)關(guān)電源的 EMI 干擾,提高電子設(shè)備的電磁兼容性,確保其穩(wěn)定可靠運(yùn)行。在未來(lái)的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì) EMI 抑制技術(shù)的研究也將不斷深入,以滿足日益嚴(yán)格的電磁環(huán)境要求。

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