以下內(nèi)容中，小編將對(duì)NMOS負(fù)載開(kāi)關(guān)的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)NMOS負(fù)載開(kāi)關(guān)的了解，和小編一起來(lái)看看吧。

一、如何用單NMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開(kāi)關(guān)

1、N溝道高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)

N溝道MOSFET具有比相同尺寸的P溝道器件更低的導(dǎo)通電阻值。但為了獲得較低的電阻值，在使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)，需要高電壓（過(guò)驅(qū)動(dòng)）來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極，見(jiàn) 圖2-2 。必須提供高于輸入電壓Vin的電壓用于適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)（因?yàn)楫?dāng)NMOS導(dǎo)通時(shí)，忽略VDS壓降，S點(diǎn)的電位和D點(diǎn)電位相同，均為Vin，要維持NMOS開(kāi)啟，必須VG-Vin＞VGSTHmax），否則MOSFET將不會(huì)完全導(dǎo)通。

圖2-2：帶高電平控制線的N溝道MOSFET高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)

如果沒(méi)有足夠高的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，如圖2-3可以使用電荷泵電路來(lái)增加施加到MOSFET柵極的驅(qū)動(dòng)電壓。雖然這增加了電路的復(fù)雜性，但N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻較低。但是電荷泵電路將消耗一些功率，因此在系統(tǒng)可能大部分時(shí)間處于待機(jī)模式的關(guān)鍵應(yīng)用中，P通道拓?fù)淇梢愿行А?

圖2-3：帶充電泵控制線的N溝道MOSFET高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)

2、N溝道低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)

在沒(méi)有高壓或附加電路的情況下，N溝道MOSFET可以用于低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)。低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)的實(shí)現(xiàn)如圖2-4所示。低側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)的缺點(diǎn)是負(fù)載的接地電位略微升高（導(dǎo)通時(shí)MOS也會(huì)占據(jù)一些壓降，但很?。Ｌ貏e是當(dāng)負(fù)載與外部組件有通信線路時(shí)，需要考慮這一點(diǎn)。

圖2-4：N溝道MOSFET低邊負(fù)載開(kāi)關(guān)

二、NMOS負(fù)載開(kāi)關(guān)損耗來(lái)源

MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗受多種因素影響，主要包括以下幾個(gè)方面：

1、工作條件

電壓 ：開(kāi)關(guān)電壓越高，開(kāi)關(guān)損耗越大。

電流 ：開(kāi)關(guān)電流越大，開(kāi)關(guān)損耗也越大。

溫度 ：溫度升高可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET的導(dǎo)通電阻增加，從而影響開(kāi)關(guān)損耗。

2、外部電路

驅(qū)動(dòng)電路 ：驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)直接影響MOSFET的開(kāi)關(guān)速度。驅(qū)動(dòng)電壓越高、驅(qū)動(dòng)電流越大，通常能夠加快MOSFET的開(kāi)關(guān)速度，但也可能增加驅(qū)動(dòng)損耗。

負(fù)載電路 ：負(fù)載電路的特性（如電感、電容等）也會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。例如，負(fù)載電感在MOSFET關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，從而增加關(guān)斷損耗。

3、MOSFET本身特性

導(dǎo)通電阻（RDS(on)） ：導(dǎo)通電阻越小，導(dǎo)通損耗越小，但也可能影響開(kāi)關(guān)速度。

開(kāi)關(guān)速度 ：包括開(kāi)通速度和關(guān)斷速度。開(kāi)關(guān)速度越快，開(kāi)關(guān)損耗通常越小，但也可能增加電路中的電磁干擾（EMI）問(wèn)題。

柵極電荷（Qg） ：柵極電荷越大，驅(qū)動(dòng)MOSFET所需的能量就越大，從而增加驅(qū)動(dòng)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

4、軟開(kāi)關(guān)技術(shù)采用零電壓切換（ZVS）或零電流切換（ZCS）等軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可以有效地減小開(kāi)關(guān)損耗。這些技術(shù)通過(guò)調(diào)整電路參數(shù)和開(kāi)關(guān)時(shí)序，使得MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流不同時(shí)存在，從而避免了能量損耗。

以上便是小編此次帶來(lái)的有關(guān)NMOS負(fù)載開(kāi)關(guān)的全部?jī)?nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。