今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。

一、MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路?是一種專門用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路，它能夠接受控制器的控制信號(hào)，并且具有足夠的功率來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載。這種電路設(shè)計(jì)的目的在于解決控制芯片發(fā)出的控制信號(hào)輸出功率有限的問(wèn)題，使其只能驅(qū)動(dòng)極小功率的負(fù)載。為了能讓控制芯片控制大功率負(fù)載（比如電機(jī)、電磁鐵等），我們需要設(shè)計(jì)一個(gè)轉(zhuǎn)換電路，由這個(gè)電路驅(qū)動(dòng)負(fù)載，而控制芯片則負(fù)責(zé)指揮這個(gè)電路。這種電路就是驅(qū)動(dòng)電路，它可以接受控制器的控制信號(hào)，并且具有足夠的功率來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載。

在MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)中，使用三極管只能設(shè)計(jì)出較小輸出功率（能承受的電流較小，這里是物理限制，承載大電流容易燒毀）的驅(qū)動(dòng)電路，還有三極管的開(kāi)關(guān)速度有限，所以開(kāi)關(guān)損耗較高。相比之下，使用MOSFET設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路是更完美的選擇，因?yàn)樗梢猿休d更大的電流和更快的開(kāi)關(guān)速度，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。MOSFET的工作原理基于場(chǎng)效應(yīng)，通過(guò)改變MOSFET的柵源電壓和源漏電壓來(lái)控制其導(dǎo)通或截止，從而實(shí)現(xiàn)電流的控制。

二、2款常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

1、驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間

關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。

在第二點(diǎn)介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當(dāng)電源IC的驅(qū)動(dòng)能力足夠時(shí)，可以加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間，得到如上圖所示電路。用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的。如果Q1的發(fā)射極沒(méi)有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí)，柵源極間電容短接，達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。上圖拓?fù)湓O(shè)計(jì)，還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC，提高了可靠性。

2、驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間

為了滿足如上圖所示高端MOS管的驅(qū)動(dòng)，經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)，有時(shí)為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開(kāi)直流，通過(guò)交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。

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