女人被狂躁到高潮视频免费无遮挡,内射人妻骚骚骚,免费人成小说在线观看网站,九九影院午夜理论片少妇,免费av永久免费网址

當前位置:首頁 > 廠商動態(tài) > TOSHIBA東芝半導體
[導讀]新產品采用高速二極管,旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反向恢復特性。

2024年2月22日,中國上海——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調節(jié)器等應用的開關電源。首批采用TO-247封裝的兩款650V N溝道功率MOSFET產品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”,于今日開始支持批量出貨。

新產品采用高速二極管,旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反向恢復[2]特性。與標準型DTMOSVI相比,新產品將反向恢復時間(trr)縮短了65%,并將反向恢復電荷(Qrr)減少88%(測試條件:-dIDR/dt=100 A/μs)。

新產品采用的DTMOSVI(HSD)工藝改善了東芝DTMOSIV系列(DTMOSIV(HSD))的反向恢復特性,并在高溫下具有更低的漏極截止電流。此外,新產品的品質因數(shù)“漏極-源極導通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較于東芝現(xiàn)有的TK62N60W5[4] [5]器件,TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90%[3],漏極-源極導通電阻×柵極-源極電荷降低了72%。這將一進步將降低功率損耗,有助于提高產品效率。在1.5kW LLC電路[6]測試中,與使用TK62N60W5相比,使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4%。

即日起,客戶可在東芝網站上獲取使用TK095N65Z5的參考設計“1.6”。此外,東芝還提供支持開關電源電路設計的相關工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外,現(xiàn)在還提供能夠準確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝計劃在未來擴展DTMOSVI(HSD)的產品線。新器件將采用TO-220和TO-220SIS通孔型封裝,以及TOLL和DFN88表貼型封裝。

此外,在已推出的650V和600V產品以及新的高速二極管型產品基礎上,東芝還將繼續(xù)擴展DTMOSVI系列的產品線,以提高開關電源的效率,為設備節(jié)能做出貢獻。

標準型和高速二極管型650V功率MOSFET的Qrr比較

TK095N65Z5與TK35N65W5的IDSS@150°C×trr比較

TK042N65Z5和TK62N60W5的RDS(ON)×Qgd比較

TK042N65Z5和TK62N60W5的效率比較

使用新產品的參考設計“1.6kW服務器電源(升級版)”:

電路板外觀

簡易方框圖

應用:

工業(yè)設備

- 開關電源(數(shù)據(jù)中心服務器、通信設備等)

- 電動汽車充電站

- 光伏發(fā)電機組的功率調節(jié)器

- 不間斷電源系統(tǒng)

特點:

- 新一代DTMOSVI系列高速二極管型產品

- 高速二極管型產品的反向恢復時間:

TK042N65Z5 trr=160ns(典型值)

TK095N65Z5 trr=115ns(典型值)

- 通過低柵漏電荷實現(xiàn)高速開關時間:

TK042N65Z5 Qgd=35nC(典型值)

TK095N65Z5 Qgd=17nC(典型值)

主要規(guī)格:

(除非另有說明,Ta=25 °C)

東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET,助力提高電源效率

注:

[1] 截至2024年2月22日的東芝調查。

[2] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關動作

[3] 數(shù)值由東芝測量得出:

-新產品TK042N65Z5為0.2mA(測試條件:VDS=650V、VGS=0V、Ta=150°C)

-現(xiàn)有產品TK62N60W5為1.9mA(測試條件:VDS=600V、VGS=0V、Ta=150°C)

[4] 600V DTMOSIV(HSD)系列

[5] 數(shù)值由東芝測量得出。

測試條件:

-TK62N60W5

RDS(ON):ID=30.9A、VGS=10V、Ta=25°C

Qgd:VDD=400V、VGS=10V、ID=61.8A、Ta=25°C

-TK042N65Z5

RDS(ON):ID=27.5A、VGS=10V、Ta=25°C

Qgd:VDD=400V、VGS=10V、ID=55A、Ta=25°C

[6] 數(shù)值由東芝測量得出。

測試條件:Vin=380V、Vout=54V、Ta=25°C

[7] VDSS=600V

如需了解有關新產品的更多信息,請訪問以下網址:

TK042N65Z5:

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK042N65Z5.html

TK095N65Z5:

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK095N65Z5.html

如需了解東芝MOSFET產品的更多信息,請訪問以下網址:

MOSFET:

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產品價格和規(guī)格、服務內容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。

關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領先供應商,公司累積了半個多世紀的經驗和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統(tǒng)LSI和HDD領域的杰出解決方案。

公司22,200名員工遍布世界各地,致力于實現(xiàn)產品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進價值共創(chuàng),共同開拓新市場,公司現(xiàn)已擁有超過8,598億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。

如需了解有關東芝電子元件及存儲裝置株式會社的更多信息,請訪問以下網址:https://toshiba-semicon-storage.com

本站聲明: 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內容真實性等。需要轉載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內容侵犯您的權益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產,首款產品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。

關鍵字: MOSFET 功率器件 IGBT

在全球倡導綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下,電動汽車(EV)產業(yè)蓬勃發(fā)展,成為汽車行業(yè)轉型升級的重要方向。隨著電動汽車市場的迅速擴張,消費者對其性能的要求也日益提高,其中充電速度和續(xù)航里程成為關注焦點。為了滿足這些需求,汽...

關鍵字: 功率器件 碳化硅 充電技術

在新能源汽車產業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,功率器件作為核心 “大腦”,其重要性不言而喻?;仡欉^往,IGBT 主導了新能源汽車的上半場,而如今,SiC 正加速上車,開啟新的發(fā)展周期。

關鍵字: IGBT 功率器件 SiC

【2025年6月20日, 德國慕尼黑訊】來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的半導體功率器件,用于其下一代無人機(UAV)電機控制解...

關鍵字: 無人機 電機控制 功率器件

在當今的電子設備領域,電源管理設計至關重要,其性能直接影響著設備的整體表現(xiàn)。隨著科技的不斷進步,氮化鎵(GaN)功率器件應運而生,為電源管理設計帶來了新的突破和提升。

關鍵字: 電源管理 氮化鎵 功率器件

在超寬禁帶半導體領域,氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授,圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。

關鍵字: 功率器件 測試測量

2025年4月17日,中國 – 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計劃細節(jié),進一步更新了公司此...

關鍵字: 功率器件 寬帶隙半導體 傳感器

在半導體領域,氮化鎵(GaN)器件以其卓越的性能優(yōu)勢,如高電子遷移率、高擊穿電場、低導通電阻等,被視為極具潛力的下一代功率器件,有望在眾多領域掀起變革。然而,盡管前景誘人,氮化鎵器件的發(fā)展之路并非一帆風順,諸多不利因素成...

關鍵字: 半導體 氮化鎵 功率器件

在全球汽車產業(yè)向電動化、智能化加速轉型的浪潮中,汽車級大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心功率器件,正處于聚光燈下。它的性能優(yōu)劣、市場供應情況以及技術發(fā)展走向,深刻影響著新能源汽車的能效、動力表現(xiàn)和整體競爭力,成...

關鍵字: 汽車 功率器件 新能源

隨著全球對環(huán)境保護和可持續(xù)發(fā)展的日益重視,新能源汽車產業(yè)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展。作為新能源汽車的核心技術之一,功率電子器件在電源系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。本文將深入探討功率電子器件在新能源汽車電源系統(tǒng)中的應用,并分...

關鍵字: 功率器件 新能源汽車
關閉