以下內(nèi)容中，小編將對(duì)固態(tài)繼電器的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)固態(tài)繼電器的了解，和小編一起來看看吧。

一、如何測量固態(tài)繼電器的好壞

固態(tài)繼電器是一種全部由固態(tài)電子元件組成的新型無觸點(diǎn)開關(guān)器件,它利用電子元件(如開關(guān)三極管、雙向可控硅等半導(dǎo)體器件)的開關(guān)特性,可達(dá)到無觸點(diǎn)無火花地接通和斷開電路的目的,因此又被稱為“無觸點(diǎn)開關(guān)”。固態(tài)繼電器是一種四端有源器件,其中兩個(gè)端子為輸入控制端,另外兩端為輸出受控端.它既有放大驅(qū)動(dòng)作用,又有隔離作用,很適合驅(qū)動(dòng)大功率開關(guān)式執(zhí)行機(jī)構(gòu),較之電磁繼電器可靠性更高,且無觸點(diǎn)、壽命長、速度快,對(duì)外界的干擾也小,已被得到廣泛應(yīng)用 。

固態(tài)繼電器廣泛用于現(xiàn)代工業(yè)設(shè)備中，固態(tài)繼電器的功能關(guān)系到設(shè)備的安全與質(zhì)量。如何判斷固態(tài)繼電器的好壞顯得尤為重要。

1、好的固態(tài)繼電器，有信號(hào)輸入時(shí)，紅色LED指示燈點(diǎn)亮，主電路導(dǎo)通。控制信號(hào)正常時(shí)，觀察指示燈是一個(gè)很好的辦法。

2、用萬用表測量在固態(tài)繼電器指示燈亮?xí)r，主電路電壓是否在正常范圍。當(dāng)指示燈滅時(shí)，主電路電壓是否為零。

3、斷開固態(tài)繼電器的電源，將萬用表撥到歐姆自動(dòng)檔位，測量固態(tài)繼電器主電路正向?qū)ǖ淖柚担５淖柚到咏鼰o窮大。

4、觀察固態(tài)繼電器的外觀有無破損，周圍環(huán)境是否良好。接線端子是否牢固，表面有無氧化。用萬用表測量固態(tài)繼電器的對(duì)地阻值是否接近無窮大。

5、必要的時(shí)候測量固態(tài)繼電器的輸入信號(hào)，一般工業(yè)設(shè)備使用電流信號(hào)(4-20mA)。使用萬用表或電流表測量電流的安數(shù)是否正常。

6、若發(fā)現(xiàn)固態(tài)繼電器無論信號(hào)有無，主電路總是處于關(guān)斷或打開的狀態(tài)，建議更換新件。更換繼電器時(shí)，注意使用散熱膏和靜電紙。

二、固態(tài)繼電器電磁兼容性測試

電磁兼容包含電磁輻射(Emission)和電磁抗干擾(Immunity)。對(duì)器件來說，歐洲客戶不要求做電磁測試(個(gè)別有特殊要求的客戶除外) ，通常只要求按EN50082-2 標(biāo)準(zhǔn)即1995V EN61000-6-2 進(jìn)行測試。但最主要是測試ESD(EN61000-4-2);EFT/B(EN61000-4-4)和SURGE(EN61000-4-5)。在此要說明的是，如果客戶要求測試電磁輻射時(shí)，應(yīng)按EN50081-2 標(biāo)準(zhǔn)即2001V EN61000-6-4 進(jìn)行測試。我們?cè)诙嗄昱c歐洲客戶交流中，他們提出最多的有如下要求：

(1) 要求EMC 做通用標(biāo)準(zhǔn)的電磁抗干擾能力的測試，即上述的ESD、EFT/B 和 Surge。其電壓等級(jí)分別為4kV的接觸放電和8kV 的空氣放電、1kV/5kHz 快速群脈沖擾動(dòng)和2 k V 浪涌沖擊，其它不做要求;

(2) 要求EMC 做通用標(biāo)準(zhǔn)的電磁抗干擾能力達(dá)到等級(jí)3 的測試，即ESD 和Surge 同上，而EFT/B 要求達(dá)到3kV/5kHz;

(3) 特殊要求：ESD 要求6kV/10kV 和EFT/B 為4kV

(4) 其他要求：除電磁抗干擾(Immunity)外，還要求電磁輻射(Emission)測試。

通過測試，可以得到以下結(jié)論：

(1) 產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化直接影響到EMC 性能。如：PCB 或DCB 的排版設(shè)計(jì)，通常需要通過幾次調(diào)整，如改變輸入輸出之間的走線位置、元件的擺放位置等，才能達(dá)到最佳狀態(tài);

(2) 所有測試的光耦中，VISHAY 光耦的性能比較突出，其多數(shù)光耦的Burst 測試可以達(dá)到4kV。其它廠家的光耦較少能達(dá)到4kV(關(guān)于這一點(diǎn)，主要取決于光耦內(nèi)部的結(jié)構(gòu));

(3) 壓敏電阻RV 對(duì)Burst 性能影響不明顯，而對(duì)Surge 性能影響極大;因此在有較大浪涌電壓沖擊的場合，應(yīng)加上R V 。R V 的大小要視可控硅的阻斷電壓高低來決定;

(4) 從試驗(yàn)數(shù)據(jù)可以看出，在耐電脈沖群沖擊方面，光耦對(duì)繼電器的影響較大(見結(jié)論的第2 點(diǎn))，不同的光耦其耐沖擊性能不一樣;而在耐Surge 時(shí)，可控硅對(duì)繼電器的影響最大(較差的可控硅如dv/dt 太低等，將被擊穿)。

以上便是小編此次帶來的有關(guān)固態(tài)繼電器的全部內(nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。