制裁中興、制裁華為，深深讓國人感受到了中國在半導體芯片領(lǐng)域的薄弱。美國對中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的精準打擊，更是讓國人認識到了中國在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域的薄弱。

而對于芯片制造來說，最為關(guān)鍵的設(shè)備當屬光刻機。

光刻機按照用途可以分為IC 前道光刻機、封裝光刻機、面板光刻機以及 LED/MEMS/功率器件光刻機。而我們經(jīng)常所說的芯片制造所使用的則是IC前道光刻機。

資料顯示，光刻工藝是芯片制造過程中占用時間比最大的步驟，約占芯片制造總時長的40%-50%。同時，光刻機也是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本最高的半導體設(shè)備，約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備總成本的27%。目前最先進的 EUV 設(shè)備在2018 年單臺平均售價高達 1.04 億歐元。

28nm光刻機，中國已拿到“入場券”！可制造7nm芯片！

(先看視頻)

近日，央視財經(jīng)專題節(jié)目《而立浦東》，報道了上海微電子的最新進展。一臺上海微自研的光刻機將發(fā)貨。

關(guān)于這臺光刻機的具體信息不多。結(jié)合上海微最新官宣信息，這臺光刻機基本確定是28nm工藝的。

什么是光刻機？它是制造集成電路，也就是芯片制造最關(guān)鍵的設(shè)備之一。每顆芯片誕生之始，都要經(jīng)過光刻機的鍛造。光刻機利用光刻工藝，將母版上復(fù)雜的電路設(shè)計圖形轉(zhuǎn)化為硅片上的電路。

可以說，如果沒有“中國光刻機”，那么制造“中國芯”也就無從談起。

中國早在18年前，02專項中就制定了光刻機突破的時間節(jié)點，2020年實現(xiàn)28nm光刻機的自主研發(fā)。

在02專項光刻機項目中，設(shè)定的時間為2020年驗收193nmArF浸沒式DUV光刻機， 對標產(chǎn)品為ASML現(xiàn)階段最強DUV光刻機: TWINSCAN NXT:2000i。

以NXT:2000i為例， 各子系統(tǒng)拆分如下：上海微電子負責光刻機設(shè)計和總體集成，北京科益虹源提供光源系統(tǒng)，北京國望光學提供物鏡系統(tǒng)，國科精密提供曝光光學系統(tǒng)，華卓精科提供雙工作臺，浙江啟爾機電提供浸沒系統(tǒng)。

這臺28nm光刻機，是集全中國最牛公司的智慧結(jié)晶，中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈成熟的真正家底。

193納米ArF浸沒式DUV光刻機，其制程工藝為28納米。

更重要的是這臺國產(chǎn)193納米ArF浸沒式DUV光刻機在經(jīng)過多重曝光下，最高可實現(xiàn)7nm芯片量產(chǎn)，雖然還無法媲美目前最頂尖的EUV光刻機設(shè)備，但這套國產(chǎn)光刻機設(shè)備誕生，絕對可以完成絕大部分芯片生產(chǎn)。

ASML同時表態(tài)：DUV可供應(yīng)中國！堅決不放棄中國市場！

美國以“國家安全”為由恐嚇、威脅、制裁中國集成電路技術(shù)自主；光刻機作為全球高科技智慧的結(jié)晶，一直受制于美國法律。ASML雖有心供應(yīng)中國，但受限于美國法律，最先進的EUV產(chǎn)品出口，ASML有心無力。

目前全球絕大多數(shù)半導體生產(chǎn)廠商，都向ASML采購TWINSCAN機型，比如英特爾（Intel）、三星（Samsung）、海力士（Hynix）、臺積電（TSMC）、中芯國際（SMIC）等。

雖受美國禁令影響，ASML在中國進博會宣布，可銷售DUV光刻機。這是在向中國、向全球表明態(tài)度，堅決不放棄中國市場

ASML的DUV光刻機不受美國法律影響，順利供應(yīng)中國，很能說明問題，中國上海微28nm光刻機已經(jīng)成熟，EUV技術(shù)再無提防中國的必要。

美國對我們的技術(shù)封鎖方式一直沒變過，只要我們研究出來自己的技術(shù)，就開始打開大門！

28nm作為當前關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點的性能和技術(shù)優(yōu)勢，光刻機國產(chǎn)替代將迎來新的曙光，打破美國壟斷制裁。

28nm光刻裝備的成熟，就是中國進入7nm高階芯片的臨門一腳。

集結(jié)優(yōu)勢力量，“自主7nm”3年可望成熟。

之前，全球前道光刻機被ASML、尼康、佳能壟斷，中國根本靠不上邊，上海微光刻機的突破，給中國自主7nm帶來機會。

我們認為光刻機國產(chǎn)替代將迎來新的曙光，尤其是IC前道制造領(lǐng)域，將初步打破國外巨頭完全壟斷的局面，實現(xiàn)從0到1的突破。

刻蝕機、光刻機、光刻膠，中國相繼單點突破，由點及面，中國7nm之路正在一步一步被打開。

7nm都以為中國被卡脖子，但很多人還沒意識到這一點，還沉醉在光刻機ASML獨一份的舊夢中。

中國28nm光刻機的突破，迫使美國同意ASML DUV光刻機可供應(yīng)中國。背后壓力有中芯國際7nm工藝的突破、上海微DUV光刻機的成熟、中國政策資本不計代價的投入。

中芯國際利用ASML DUV光刻機制造出7nm芯片的事情，已被大眾熟知。同時，上海微的28nm DUV光刻機制造成功，中芯國際用上國產(chǎn)光刻機的時間不會太久。

中芯國際利用ASML DUV光刻機研發(fā)7nm的技術(shù)積累，改換上上海微DUV光刻機，這個時間同樣不會太久。

2021年，我們就有望看到中芯國際用上國產(chǎn)光刻機研發(fā)7nm。保守點兒講，再加上一年的技術(shù)積累，小編相信，在政府不計成本的投入，2023年我們或可看到中國自主7nm芯片的下線。

芯片要擺脫壟斷，只有將技術(shù)牢牢地掌握在自己的手中，那么芯片局面才有可能扭轉(zhuǎn)。

集結(jié)資本技術(shù)優(yōu)勢力量，中國產(chǎn)業(yè)鏈自主，我相信3年即可成熟突破。