1993年M.A.Khan等人制備了第一只氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)，隨后GaN HEMT在高頻微波大功率方面開展了廣泛的研究，經(jīng)過(guò)后續(xù)十幾年的研究發(fā)展，解決了諸多理論和工藝技術(shù)問(wèn)題，產(chǎn)品性能顯著提高。

作為新一代的固態(tài)微波功率器件，GaN HEMT微波功率器件自問(wèn)世以來(lái)就一直受到歐、美、日本等各國(guó)的特別關(guān)注并得到重點(diǎn)發(fā)展，特別是美國(guó)DARPA制定的寬禁帶推進(jìn)計(jì)劃(2002-2009)針對(duì)射頻應(yīng)用啟動(dòng)了寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展計(jì)劃(WBGS-RF)，其目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)具有標(biāo)志性的工作頻率8-12GHz輸出功率60W工作效率35%的T/R模塊、工作頻率大于40GHz輸出功率20W工作效率30%的Ka波段功放模塊以及工作頻率2-20GHz輸出功率100W工作效率20%的寬帶功放模塊3個(gè)典型產(chǎn)品。

GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機(jī)會(huì)以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計(jì)的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性，并嘗試強(qiáng)調(diào)每個(gè)方面的一些權(quán)衡。

用于電源應(yīng)用的兩種最廣泛使用的 GaN HEMT 方法是：

· e 模式：這里的器件可以用 p-GaN 肖特基柵極形成，導(dǎo)致 Vt 約為 1.7V。這種方法的例子是 GaN Systems、GaN Power International、Innoscience 等提供的設(shè)備。對(duì)于電子模式器件的 Vt 相對(duì)較低，一個(gè)值得注意的例外是 Cambridge GaN Devices 的產(chǎn)品，它通過(guò)一些創(chuàng)新的設(shè)計(jì)方法提供大于 2V 的電子模式器件。

· 一種級(jí)聯(lián)方法，其中 LV Si MOSFET 本質(zhì)上是串聯(lián)放置并創(chuàng)建柵極驅(qū)動(dòng)?？梢詫?shí)現(xiàn)更高的 Vt，Transphorm、Nexperia 和其他公司提供了一些例子。

E 模式器件具有利用GaN HEMT 的一些內(nèi)在優(yōu)勢(shì)的優(yōu)勢(shì)，例如由于漏極/源極中沒(méi)有 pn 結(jié)而沒(méi)有反向恢復(fù)損耗，以及由于沒(méi)有額外的器件而導(dǎo)致的更簡(jiǎn)單/更低的寄生效應(yīng)。系列。然而，一個(gè)很大的缺點(diǎn)是柵極驅(qū)動(dòng)的余量很差，并且容易受到來(lái)自低 Vth 的柵極噪聲的影響。

級(jí)聯(lián)方法解決了 e 模式較差的柵極裕度并提供了更強(qiáng)大的柵極。然而，這是以 Si FET 中的反向恢復(fù) (Qrr) 可能具有更高的開關(guān)損耗為代價(jià)的。為減輕這種情況而采取的方法將在后面討論。

下面列出了一些重要的應(yīng)用性能示例，并對(duì)上面列出的兩種設(shè)備方法進(jìn)行了比較

A. GaN HEMT 的硬/軟切換特性

硬開關(guān) (HS)：示例包括同步降壓/升壓轉(zhuǎn)換器和連續(xù)導(dǎo)通模式 Totempole PFC AC/DC 轉(zhuǎn)換器。傳導(dǎo)和開關(guān)損耗都會(huì)影響整體效率。在硬開關(guān)中，由于反向恢復(fù)和結(jié)電容電荷，導(dǎo)通損耗占主導(dǎo)地位。輸入柵極電容開關(guān)節(jié)點(diǎn)充電/放電的損耗在高頻下也有重要作用。來(lái)自高頻 HS 的高 dI/dt 和 dV/dt 也對(duì)器件提出了第三象限硬換向要求，這可能是另一個(gè)損耗組件。在這個(gè) HS 領(lǐng)域內(nèi)，由于缺少體二極管且沒(méi)有 Qrr，e 模式器件可能提供更低的損耗。但要考慮的因素是大多數(shù)電子模式設(shè)備的低 Vth，然后在高頻 HS 下容易產(chǎn)生振蕩響應(yīng)，并且可能需要負(fù)柵極偏置才能完全關(guān)閉器件。這會(huì)使柵極驅(qū)動(dòng)器電路顯著復(fù)雜化。

具有較高 Vth 的級(jí)聯(lián)器件提供更多的 Vgs 裕量，并且可能提供更簡(jiǎn)單的單極柵極驅(qū)動(dòng)，不需要負(fù)關(guān)斷電壓。潛在的缺點(diǎn)是 Si MOSFET 的存在會(huì)導(dǎo)致更高的 Qrr。德州儀器 (TI) LMG352xR030-Q1 器件已針對(duì)此問(wèn)題提出了解決方案，該器件具有帶 GaN HEMT 的 Si 集成柵極驅(qū)動(dòng)器，可驅(qū)動(dòng) GaN HEMT 的柵極電壓為負(fù)，以在關(guān)斷事件中將其關(guān)閉，同時(shí)保持級(jí)聯(lián) Si FET 導(dǎo)通，防止 Si 器件反向損耗。級(jí)聯(lián)器件還可以對(duì) HS 轉(zhuǎn)換器施加設(shè)計(jì)限制，以在關(guān)斷轉(zhuǎn)換時(shí)實(shí)現(xiàn)最大反向 dI/dt [1]. 這是因?yàn)?GaN HEMT 的柵極從級(jí)聯(lián) Si MOSFET 內(nèi)的體二極管的恢復(fù)中獲得高正電壓。這可以降低 GaN 器件的跨導(dǎo)，并在高于額定 dI/dt 的情況下運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生更多損耗。

當(dāng)在關(guān)閉狀態(tài)下需要負(fù) Vgs 時(shí)，轉(zhuǎn)換器中的死區(qū)時(shí)間損耗分量也可以發(fā)揮更大的作用，如下所述。由于 GaN HEMT 是沒(méi)有 p 體的橫向 n 溝道，因此反向第三象限操作本質(zhì)上是 HEMT 反向操作，即 Vdg > Vth 需要溝道轉(zhuǎn)彎。然而，這取決于在此期間柵極端子的狀態(tài)。

在需要負(fù) Vgs 以確保完全關(guān)斷的情況下，對(duì)于某些 e-mode 器件，這些增加的 Vgs 將增加有效 Vsd。相反，如果在第三象限操作期間可以應(yīng)用正 Vgs，則會(huì)降低有效 Vsd。轉(zhuǎn)換器中的死區(qū)時(shí)間損耗 Pdt ~ Vsd X Tdt，其中 Tdt 是死區(qū)時(shí)間。與 Vsd < 1V 的 Si MOSFET 相比，GaN Vsd 可能要高得多，尤其是對(duì)于 e-mode HEMT。在 TI 的 LMG352xR030-Q1 芯片中實(shí)施的稱為理想二極管模式的解決方案是在感應(yīng)到負(fù) Vds 時(shí)使用自適應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)來(lái)打開 GaN FET，從而將向右移動(dòng)并縮短死區(qū)時(shí)間失利。級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)中的 Si MOSFET 呈現(xiàn)出具有較低導(dǎo)通電壓的續(xù)流二極管，因此與 e 模式器件相比，呈現(xiàn)出較低的凈 Vsd，

軟開關(guān) (SS)：其中的示例包括零電壓開關(guān) (ZVS)，例如 LLC 輔助電路，它注入諧振脈沖，將必須打開的開關(guān)兩端的電壓降低到零。

因此最小化了導(dǎo)通損耗。由于開關(guān)損耗已降至最低，因此可以主導(dǎo) SS 拓?fù)涞氖莻鲗?dǎo)損耗。HEMT 器件 (Coss) 上的低輸出電荷也是關(guān)鍵，因?yàn)檫@會(huì)降低峰值磁化電流。Sojka 等人[2]進(jìn)行了一項(xiàng)分析，比較了 Transphorm TPH3205WSB 級(jí)聯(lián) HEMT 的 HS 和 SS，并得出結(jié)論，當(dāng)效率是主要目標(biāo)并且 SS 性能更好時(shí)，ZVS 是首選，尤其是在高開關(guān)頻率下。B?cker 等人還表明，動(dòng)態(tài) Rdson 退化可能在 HS 損失中發(fā)揮作用，而 SS 在這方面是一個(gè)優(yōu)勢(shì)。