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[導(dǎo)讀]在電力電子系統(tǒng)中,特別是使用IGBT或MOSFET等功率元件時(shí),死區(qū)時(shí)間非常重要。它確保在一個(gè)功率元件關(guān)閉后,另一個(gè)元件才能開啟,從而避免同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)。?

?PWM死區(qū)是指在PWM信號(hào)中設(shè)置的一段特定時(shí)間間隔,目的是防止功率元件同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致的短路問題。?在電力電子系統(tǒng)中,特別是使用IGBTMOSFET等功率元件時(shí),死區(qū)時(shí)間非常重要。它確保在一個(gè)功率元件關(guān)閉后,另一個(gè)元件才能開啟,從而避免同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致的短路風(fēng)險(xiǎn)。?1死區(qū)的設(shè)置通常在PWM信號(hào)的互補(bǔ)輸出中實(shí)現(xiàn)。例如,在一個(gè)PWM輸出的關(guān)閉事件和另一個(gè)互補(bǔ)PWM輸出的開啟事件之間,設(shè)置一個(gè)死區(qū)時(shí)間段。這樣可以防止上下管直通電流,保護(hù)功率元件不受損壞。死區(qū)時(shí)間一般只占PWM周期的百分之幾,雖然會(huì)影響輸出的紋波,但通常不會(huì)起到?jīng)Q定性作用。?1在實(shí)際應(yīng)用中,死區(qū)時(shí)間的設(shè)置需要考慮功率元件的開關(guān)速度和電路的具體需求。通過調(diào)整死區(qū)時(shí)間,可以優(yōu)化電路的性能,防止因開關(guān)速度問題導(dǎo)致的功率元件燒毀。

PWM是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來說,就需要三個(gè)橋臂。

以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件,比如IGBT。這兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通,否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。

因此,設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說,當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉,再經(jīng)過一段死區(qū),這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通。

01什么是死區(qū)?

通常,大功率電機(jī)、變頻器等,末端都是由大功率管、IGBT等元件組成的H橋或3相橋。

每個(gè)橋的上半橋和下半橋是是絕對(duì)不能同時(shí)導(dǎo)通的,但高速的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)在達(dá)到功率元件的控制極時(shí),往往會(huì)由于各種各樣的原因產(chǎn)生延遲的效果,造成某個(gè)半橋元件在應(yīng)該關(guān)斷時(shí)沒有關(guān)斷,造成功率元件燒毀。

死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后,延遲一段時(shí)間再打開下半橋或在下半橋關(guān)斷后,延遲一段時(shí)間再打開上半橋,從而避免功率元件燒毀。這段延遲時(shí)間就是死區(qū)。(就是上、下半橋的元件都是關(guān)斷的)死區(qū)時(shí)間控制在通常的低端單片機(jī)所配備的PWM中是沒有的。

死區(qū)時(shí)間是PWM輸出時(shí),為了使H橋或半H橋的上下管不會(huì)因?yàn)殚_關(guān)速度問題發(fā)生同時(shí)導(dǎo)通而設(shè)置的一個(gè)保護(hù)時(shí)段,所以在這個(gè)時(shí)間,上下管都不會(huì)有輸出,當(dāng)然會(huì)使波形輸出中斷,死區(qū)時(shí)間一般只占百分之幾的周期。

但是PWM波本身占空比小時(shí),空出的部分要比死區(qū)還大,所以死區(qū)會(huì)影響輸出的紋波,但應(yīng)該不是起到?jīng)Q定性作用的。

02DSP里的PWM死區(qū)

在整流逆變的過程中,同一相的上下橋不能同時(shí)導(dǎo)通,否則電源會(huì)短路,理論上DSP產(chǎn)生的PWM是不會(huì)同時(shí)通,但器件的原因PWM不可能是瞬時(shí)電平跳變的,總是梯形下降的,這樣會(huì)可能使上下橋直通,為此,設(shè)一個(gè)極短的時(shí)間,上下橋都關(guān)閉,再選擇性開通,避免了上下橋直通,實(shí)際控制中死區(qū)會(huì)導(dǎo)致控制性能變差。

PWM的上下橋臂的三極管是不能同時(shí)導(dǎo)通的。如果同時(shí)導(dǎo)通就會(huì)是電源兩端短路。所以,兩路觸發(fā)信號(hào)要在一段時(shí)間內(nèi)都是使三極管斷開的。這個(gè)區(qū)域就叫做“死區(qū)”。

PWM的占空比決定輸出到直流電機(jī)的平均電壓,PWM不是調(diào)節(jié)電流的。PWM的意思是脈寬調(diào)節(jié),也就是調(diào)節(jié)方波高電平和低電平的時(shí)間比,一個(gè)20%占空比波形,會(huì)有20%的高電平時(shí)間和80%的低電平時(shí)間,而一個(gè)60%占空比的波形則具有60%的高電平時(shí)間和40%的低電平時(shí)間,占空比越大,高電平時(shí)間越長,則輸出的脈沖幅度越高,即電壓越高。

如果占空比為0%,那么高電平時(shí)間為0,則沒有電壓輸出。

如果占空比為100%,那么輸出全部電壓。

所以通過調(diào)節(jié)占空比,可以實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)輸出電壓的目的,而且輸出電壓可以無級(jí)連續(xù)調(diào)節(jié)。

03PWM相關(guān)概念

1.占空比

就是輸出的PWM中,高電平保持的時(shí)間與該P(yáng)WM的時(shí)鐘周期的時(shí)間之比。

如:一個(gè)PWM的頻率是1000Hz,那么它的時(shí)鐘周期就是1ms,就是1000us,如果高電平出現(xiàn)的時(shí)間是200us,那么低電平的時(shí)間肯定是800us,那么占空比就是200:1000,也就是說PWM的占空比就是1:5。

2.分辨率

也就是占空比最小能達(dá)到多少,如8位的PWM,理論的分辨率就是1:255(單斜率),16位的的PWM理論就是1:65535(單斜率)。

頻率就是這樣的,如16位的PWM,它的分辨率達(dá)到了1:65535,要達(dá)到這個(gè)分辨率,T/C就必須從0計(jì)數(shù)到65535才能達(dá)到,如果計(jì)數(shù)從0計(jì)到80之后又從0開始計(jì)到80.......,那么它的分辨率最小就是1:80了,但是,它也快了,也就是說PWM的輸出頻率高了。

3.雙斜率 / 單斜率

假設(shè)一個(gè)PWM從0計(jì)數(shù)到80,之后又從0計(jì)數(shù)到80....... 這個(gè)就是單斜率

假設(shè)一個(gè)PWM從0計(jì)數(shù)到80,之后是從80計(jì)數(shù)到0....... 這個(gè)就是雙斜率

可見,雙斜率的計(jì)數(shù)時(shí)間多了一倍,所以輸出的PWM頻率就慢了一半,但是分辨率卻是1:(80+80)=1:160,就是提高了一倍。

假設(shè)PWM是單斜率,設(shè)定最高計(jì)數(shù)是80,我們?cè)僭O(shè)定一個(gè)比較值是10,那么T/C從0計(jì)數(shù)到10時(shí)(這時(shí)計(jì)數(shù)器還是一直往上計(jì)數(shù),直到計(jì)數(shù)到設(shè)定值80),單片機(jī)就會(huì)根據(jù)你的設(shè)定,控制某個(gè)IO口在這個(gè)時(shí)候是輸出1還是輸出0還是端口取反,這樣,就是PWM的最基本的原理了。

在PWM三相逆變器中,由于開關(guān)管存在一定的開通和關(guān)斷時(shí)間,為防止同一橋臂上兩個(gè)開關(guān)器件的直通現(xiàn)象,控制信號(hào)中必須設(shè)定幾個(gè)微秒的死區(qū)時(shí)間。盡管死區(qū)時(shí)間非常短暫,引起的輸出電壓誤差較小,但由于開關(guān)頻率較高,死區(qū)引起誤差的疊加值將會(huì)引起電機(jī)負(fù)載電流的波形畸變,使電磁力矩產(chǎn)生較大的脈動(dòng)現(xiàn)象,從而使動(dòng)靜態(tài)性能下降,降低了開關(guān)器件的實(shí)際應(yīng)用效果。

本文從分析死區(qū)效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理入手,尋求死區(qū)效應(yīng)的補(bǔ)償方法。

2死區(qū)效應(yīng)的產(chǎn)生

利用逆變器中的一個(gè)橋臂(如圖1)來討論。它包括上下開關(guān)器件V1和V2,續(xù)流二極管D1和D2,連接兩只功率器件的控制信號(hào)來自PWM發(fā)生器,產(chǎn)生兩個(gè)基本的驅(qū)動(dòng)信號(hào)ub1和ub2。輸出電壓接電機(jī)負(fù)載,設(shè)電流i流向負(fù)載的方向?yàn)檎?

在上下兩只功率管轉(zhuǎn)換時(shí),分為V1由通到斷與V2由斷到通或V2由通到斷與V1由斷到通兩種情況,必須注入死區(qū)時(shí)間使上下兩個(gè)開關(guān)管均不導(dǎo)通,此時(shí)輸出電流將由D1或D2續(xù)流,這取決于電流i的方向,而輸出電壓將會(huì)因死區(qū)時(shí)間而被延遲,如圖2所示。

由圖2可見,輸出理想波與實(shí)際波之間將會(huì)引起誤差波。若忽略開關(guān)器件的存儲(chǔ)時(shí)間及脈沖上升與下降時(shí)間,誤差波可認(rèn)為是矩形波。


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圖1逆變器的一個(gè)橋臂


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圖2死區(qū)誤差及矯正波形圖

3死區(qū)效應(yīng)的補(bǔ)償

31調(diào)整參考波形的補(bǔ)償方法

假定開關(guān)頻率遠(yuǎn)大于基波頻率,輸出電流為正弦波,每一死區(qū)引起的電壓誤差近似相等,則死區(qū)時(shí)間對(duì)基波電壓的影響可用電流正負(fù)半周的平均電壓誤差來表示。

每個(gè)死區(qū)的誤差波面積為:Δe=tdUd(1)

式中:td——死區(qū)時(shí)間(μs)

Ud——直流電源電壓(V)

則在每一個(gè)基波周期內(nèi)的誤差平均值為:

在電力電子系統(tǒng)中,IGBT或MOSFET的死區(qū)介紹ΔU=sign(i)Ud(2)

式中:M——每一個(gè)周期內(nèi)開關(guān)的次數(shù)

T——基波周期(μs)

可見,電壓損失與電流幅度無關(guān),與電流方向有關(guān)。平均誤差電壓對(duì)逆變器影響的波形如圖3所示。其中ur為理想基波。若負(fù)載為感性,則電流滯后ur的角度為φ′。平均誤差電壓ΔU為矩形波,與電流i成反向關(guān)系,分解后基波為Δu1。則實(shí)際基波電壓u1為理想基波ur與誤差基波Δu1的疊加。

在正弦調(diào)制PWM逆變器中,控制脈寬波形的實(shí)現(xiàn)是由參考波與調(diào)制波比較后獲得。因此,死區(qū)效應(yīng)的補(bǔ)償可以根據(jù)負(fù)載電流的方向調(diào)整參考波而實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)以上分析,可以構(gòu)造出死區(qū)補(bǔ)償電路如圖4所示。

器件A1檢測(cè)負(fù)載電流i的方向,A2的輸出為一矩形波,該矩形波加到參考波中,產(chǎn)生一個(gè)調(diào)整后的參考波。當(dāng)i>0時(shí),使參考波變得更正;當(dāng)i0時(shí),使參考波變得更負(fù)。根據(jù)這樣適當(dāng)?shù)恼{(diào)整,死區(qū)時(shí)間引起的誤差可以消除,輸出基波電壓將與原參考波相同。在圖4中,R2為增益調(diào)整,使方波幅值與誤差平均波幅值ΔU相等。R2與死區(qū)時(shí)間和開關(guān)頻率成正比。R3為偏置調(diào)整,是考慮各功率開關(guān)管的時(shí)間延遲不相等引起的正負(fù)電壓不平衡而設(shè)置的。

該電路適用于正弦調(diào)整PWM逆變器,脈寬必須由參考波與調(diào)制波直接比較獲得,該補(bǔ)償方式需要一個(gè)電流傳感器反饋電流的方向。其特點(diǎn)是硬件電路簡單,易于實(shí)現(xiàn)。

32基于脈沖調(diào)整的死區(qū)效應(yīng)補(bǔ)償


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圖3死區(qū)時(shí)間對(duì)基波的影響

(a)感性負(fù)載時(shí)的波形(b)分解后的基波Δu1


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圖4死區(qū)補(bǔ)償電路

根據(jù)圖2的死區(qū)效應(yīng)分析,還可以利用軟件編程方法通過改變開關(guān)時(shí)間來補(bǔ)償死區(qū)效應(yīng)。只需檢測(cè)負(fù)載電流的極性,無需檢測(cè)電流的相位,將電流極性傳遞到微處理器的數(shù)據(jù)線即可,具體方法如下:

當(dāng)i>0時(shí),圖2(a)為理想波,圖2(b)給出死區(qū)時(shí)間引起的實(shí)際波與無死區(qū)時(shí)間理想波之間的誤差。為消除該誤差,可以利用軟件改變脈沖時(shí)間,如圖2(c)。在死區(qū)時(shí)間發(fā)生器產(chǎn)生一個(gè)不對(duì)稱脈沖之前另加一個(gè)正脈沖,這個(gè)正脈沖與死區(qū)時(shí)間合成后,產(chǎn)生的實(shí)際波與理想波在寬度和位置上均相同,如圖2(d);當(dāng)i0時(shí),圖2(e),在有死區(qū)時(shí)間的情況下產(chǎn)生的實(shí)際波與理想波相比,增加了一段正脈沖,若在死區(qū)時(shí)間發(fā)生器產(chǎn)生一個(gè)不對(duì)稱的死區(qū)脈沖之前加一段負(fù)脈沖,則合成后的實(shí)際波與理想波在寬度和位置上均一致。

圖5基于脈沖調(diào)整的死區(qū)效應(yīng)補(bǔ)償流程圖

本方法可以利用80C196MC電機(jī)控制專用芯片實(shí)現(xiàn),該芯片內(nèi)含一個(gè)PWM波形發(fā)生器,在死區(qū)時(shí)間計(jì)數(shù)器之前調(diào)整波形發(fā)生器的脈沖時(shí)間對(duì)死區(qū)效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。該方法與載波頻率無關(guān),只與負(fù)載電流極性相關(guān)。以U相開關(guān)管信號(hào)發(fā)生器為例,用負(fù)載電流的極性和一個(gè)表示down/up的計(jì)算狀態(tài)變量CNT為依據(jù)編程,down表示開關(guān)管打開,up表示開關(guān)管關(guān)閉。由此來決定校正時(shí)是否需要加或減脈沖的時(shí)間。利用軟件產(chǎn)生理想運(yùn)行的開關(guān)時(shí)間ton和toff。死區(qū)td預(yù)先存儲(chǔ)于波形發(fā)生器的控制寄存器中,由電流檢測(cè)器不停地由數(shù)據(jù)總線更新電流極性,由來自波形發(fā)生器的中斷信號(hào)更新變量CNT的狀態(tài)。

當(dāng)i>0時(shí),CNT為down狀態(tài)時(shí),軟件需在ton上加一個(gè)td脈沖,并存于ton中,再送到波形發(fā)生器中,經(jīng)死區(qū)時(shí)間計(jì)數(shù)器處理后,應(yīng)用到負(fù)載中去。死區(qū)計(jì)數(shù)器提供兩個(gè)互補(bǔ)的PWM控制信號(hào)去控制上下兩個(gè)功率開關(guān)管。當(dāng)i>0且CNT為up時(shí),toff不需校正,toff直接送到波形發(fā)生器中,經(jīng)死時(shí)計(jì)數(shù)器處理后,應(yīng)用到負(fù)載中。

當(dāng)i0且CNT為up時(shí),ton不需校正,直接送到波形發(fā)生器中,經(jīng)死時(shí)計(jì)數(shù)器處理后,應(yīng)用到負(fù)載中。當(dāng)i0且CNT為up時(shí),toff需減去一個(gè)脈寬td,存儲(chǔ)于toff中,再送到波形發(fā)生器中,經(jīng)死區(qū)時(shí)間計(jì)數(shù)器處理后,應(yīng)用到負(fù)載中。流程圖如圖5所示。


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圖5 基于肪沖調(diào)整的死區(qū)效應(yīng)補(bǔ)償流程圖

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