女人被狂躁到高潮视频免费无遮挡,内射人妻骚骚骚,免费人成小说在线观看网站,九九影院午夜理论片少妇,免费av永久免费网址

當(dāng)前位置:首頁 > > 上海貝嶺
[導(dǎo)讀]智能電表為用戶與電力系統(tǒng)架起互動(dòng)的橋梁,主要由通信、電源及電源管理、計(jì)量及存儲(chǔ)等功能模塊組成。智能電表涉及數(shù)據(jù)記錄和存儲(chǔ),以實(shí)現(xiàn)客戶信息全時(shí)段全方位采集,需要使用安全可靠的存儲(chǔ)器。針對(duì)智能電表市場(chǎng)應(yīng)用特點(diǎn),上海貝嶺推出了以BL24C512B為代表的一系列高可靠性可擦除可編程非易失存儲(chǔ)器。

近年來,世界各國(guó)開始發(fā)展智能電網(wǎng),智能電表是由傳統(tǒng)電能表逐步發(fā)展起來的,它在智能電網(wǎng)中是重要的智能終端。

圖1 智能電表示例

智能電表為用戶與電力系統(tǒng)架起互動(dòng)的橋梁,主要由通信、電源及電源管理、計(jì)量及存儲(chǔ)等功能模塊組成。智能電表涉及數(shù)據(jù)記錄和存儲(chǔ),以實(shí)現(xiàn)客戶信息全時(shí)段全方位采集,需要使用安全可靠的存儲(chǔ)器。針對(duì)智能電表市場(chǎng)應(yīng)用特點(diǎn),上海貝嶺推出了以BL24C512B為代表的一系列高可靠性可擦除可編程非易失存儲(chǔ)器。

圖2 EEPROM在智能電表系統(tǒng)上的應(yīng)用

一、 BL24C512B技術(shù)特點(diǎn)

1. 高可靠性:數(shù)據(jù)擦寫次數(shù)大于400萬次,數(shù)據(jù)保持時(shí)間超過100年。

2. 寬電壓范圍:支持電壓范圍為1.7V~5.5V。

3. 高頻低壓:支持最高可達(dá)1MHz的高速IIC通信, 1MHz高頻率IIC通信的前提下最低工作電壓可達(dá)2.5V。

4. 超高擦寫效率:內(nèi)部寫周期(twr)典型值為1.9ms,可有效縮短編程時(shí)間,有利于提高數(shù)據(jù)擦寫效率。

5. 超低功耗:靜態(tài)功耗典型值為0.03μA (5.0V)、寫操作功耗典型值為0.28mA(5.0V、400kHz)、讀操作功耗典型值為0.14mA(5.0V、400kHz)。

6. 耐高溫、耐低溫:工作溫度范圍可達(dá)-40℃至125℃,存儲(chǔ)溫度范圍可達(dá)-65℃至150℃。

7. 抗靜電:ESD保護(hù)最大可達(dá)8000V(HBM)。

8. 支持字節(jié)寫、頁寫、部分頁寫、隨機(jī)讀、序列讀功能,內(nèi)部數(shù)據(jù)地址自動(dòng)遞增。

9. 支持硬件寫保護(hù)(WP管腳)。

二、 BL24C512B創(chuàng)新性

1. 芯片內(nèi)部設(shè)有與電壓大小相關(guān)電壓的檢測(cè)電路和控制高壓上升速率的檢測(cè)電路。芯片能夠進(jìn)行擦寫的理想電壓為15.5V,然而實(shí)際的升壓過程中電壓浮動(dòng)較大,由于內(nèi)置了電壓檢測(cè)電路可以將高壓精準(zhǔn)的控制在15.5V,保證數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的準(zhǔn)確性。同時(shí)為了提高芯片的可靠性,獲得更長(zhǎng)的工作壽命,芯片內(nèi)部增加了控制高壓上升速率的檢測(cè)電路,使高壓上升時(shí)間不小于100μs,減小了對(duì)電路內(nèi)部相關(guān)器件的損耗,使芯片能夠更長(zhǎng)久地為客戶服務(wù)。

2. 增加ECC(ECC:ECC校驗(yàn),Error Checking &Correcting)的功能,即存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)糾錯(cuò)功能,它是比較先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片錯(cuò)誤檢查和更正的手段,按照對(duì)信源的處理方式ECC可以分為線性分組碼和卷積碼,用于存儲(chǔ)芯片的是線性碼,如下表所示。

上海貝嶺的BL24C512B存儲(chǔ)芯片采用Hamming碼的編碼類型,它的“數(shù)據(jù)位的位數(shù)n”和“校驗(yàn)位的位數(shù)k”的取值需要滿足如下關(guān)系:

因?yàn)槊恳晃坏男r?yàn)碼都是通過對(duì)數(shù)據(jù)位進(jìn)行異或運(yùn)算產(chǎn)生,所以每一位的校驗(yàn)碼其實(shí)是反映了相對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)位上數(shù)據(jù)的奇偶個(gè)數(shù),一旦有某個(gè)數(shù)據(jù)位發(fā)生變化,奇偶個(gè)數(shù)將發(fā)生變化對(duì)應(yīng)的校驗(yàn)位將發(fā)生變化。最多支持檢驗(yàn)兩位的錯(cuò)誤,糾正一位錯(cuò)誤。

在存儲(chǔ)芯片當(dāng)中,最小的數(shù)據(jù)單位就是“比特(bit)”,也叫數(shù)據(jù)“位”,8個(gè)連續(xù)的比特是一個(gè)字節(jié)(Byte),不帶ECC功能的存儲(chǔ)芯片每個(gè)字節(jié)只有8位,若它的某一位存儲(chǔ)出了錯(cuò)誤,就會(huì)使其中存儲(chǔ)的相應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)生改變而導(dǎo)致應(yīng)用程序發(fā)生錯(cuò)誤。而帶有ECC功能的存儲(chǔ)芯片,當(dāng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)發(fā)生讀寫錯(cuò)誤時(shí),ECC功能可以檢查錯(cuò)誤并進(jìn)行糾正,以提高數(shù)據(jù)的完整性和芯片的可靠性,保證系統(tǒng)能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。智能電表涉及數(shù)據(jù)記錄和存儲(chǔ),對(duì)客戶信息全時(shí)段全方位采集,故確保數(shù)據(jù)信息免受各種干擾以及系統(tǒng)的可靠運(yùn)行顯得十分重要。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

June 24, 2025 ---- 近期市場(chǎng)對(duì)于NVIDIA RTX PRO 6000系列產(chǎn)品的討論聲量高,預(yù)期在需求支撐下,整體出貨將有不俗表現(xiàn)。然而,TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷認(rèn)為,該系列產(chǎn)品受...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 供應(yīng)鏈 邊緣AI

在人工智能訓(xùn)練、實(shí)時(shí)圖形渲染與科學(xué)計(jì)算領(lǐng)域,存儲(chǔ)器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當(dāng)前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作,分別通過三維堆疊與信號(hào)調(diào)制技術(shù)的突破,為不同應(yīng)用場(chǎng)景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 HBM3

傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)逼近物理極限,鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FeFET)憑借其獨(dú)特的極化翻轉(zhuǎn)機(jī)制與非易失性邏輯特性,成為突破馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。FeFET通過將鐵電材料集成至晶體管柵極,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)與邏輯功能的深度融合,其物理...

關(guān)鍵字: FeFET 存儲(chǔ)器

數(shù)字化轉(zhuǎn)型與人工智能技術(shù)驅(qū)動(dòng),數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)磁盤陣列向全閃存與新型內(nèi)存技術(shù)的深度變革。全閃存陣列(AFA)憑借亞毫秒級(jí)延遲與高IOPS性能重塑存儲(chǔ)性能基準(zhǔn),而持久化內(nèi)存(PMEM)則通過填補(bǔ)DRAM與SSD...

關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)中心 存儲(chǔ)器

AI算力與數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張,存儲(chǔ)器糾錯(cuò)碼(ECC)技術(shù)已成為保障數(shù)據(jù)完整性的核心防線。從硬件加速架構(gòu)到算法優(yōu)化,ECC技術(shù)正通過多維度創(chuàng)新,將內(nèi)存錯(cuò)誤率降低至每萬億小時(shí)1次以下,為關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)提供接近零故障的可靠性保...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 ECC

存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈安全已成為國(guó)家戰(zhàn)略的核心命題,從晶圓代工到封裝測(cè)試,中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正通過關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)突破與生態(tài)重構(gòu),走出一條從“受制于人”到“自主可控”的替代之路。這條路徑不僅關(guān)乎產(chǎn)業(yè)安全,更承載著數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的技術(shù)主權(quán)。

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 國(guó)產(chǎn)化替

AI算力需求爆炸式增長(zhǎng),存儲(chǔ)器封裝技術(shù)正經(jīng)歷從2.5D到3D異構(gòu)集成的范式變革。這種變革不僅重構(gòu)了芯片間的物理連接方式,更對(duì)散熱設(shè)計(jì)與信號(hào)完整性提出了全新挑戰(zhàn)。本文從封裝架構(gòu)演進(jìn)、散熱機(jī)制創(chuàng)新與信號(hào)完整性保障三個(gè)維度,解...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 散熱

數(shù)據(jù)成為核心生產(chǎn)要素的時(shí)代,存儲(chǔ)器安全技術(shù)已成為保障數(shù)字資產(chǎn)隱私與完整性的關(guān)鍵防線。從早期基于硬件的加密引擎到現(xiàn)代可信執(zhí)行環(huán)境(TEE)的生態(tài)構(gòu)建,存儲(chǔ)器安全技術(shù)經(jīng)歷了從單一防護(hù)到體系化協(xié)同的演進(jìn)。本文從硬件加密引擎、存...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 TEE

May 13, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新半導(dǎo)體封測(cè)研究報(bào)告,2024年全球封測(cè)(OSAT)市場(chǎng)面臨技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)重組的雙重挑戰(zhàn)。從營(yíng)收分析,日月光控股、Amkor(安靠)維持領(lǐng)先地位,值得...

關(guān)鍵字: 自制化 AI 汽車電子 存儲(chǔ)器

像任何行業(yè)幫助開發(fā)可編程邏輯應(yīng)用程序一樣,我們使用標(biāo)準(zhǔn)接口來實(shí)現(xiàn)重用和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在FPGA開發(fā)中最流行的接口是Arm可擴(kuò)展接口(AXI),它為開發(fā)人員提供了一個(gè)完整的高性能,如果需要的話,還可以緩存相干存儲(chǔ)器映射總線。

關(guān)鍵字: FPGA ARM 存儲(chǔ)器
關(guān)閉