2020年2月3日，美國新澤西州普林斯頓---美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時具有業(yè)界最低RDS_(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標準硅器件，使工程師可以采用比分立設計方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來構建開關電路。

新發(fā)布的產(chǎn)品應用范圍包括無線和電信系統(tǒng)中50～500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋(PSFB)功率轉換，以及功率因數(shù)校正(PFC)中的標準硬開關等領域。

新產(chǎn)品中的UF3SC065030D8S是650V SiC FET，RDS(on)為34mΩ。而UF3SC065040D8S也是650V SiC FET，但RDS_(on)為45mΩ。這些新產(chǎn)品在該電壓等級的DFN 8x8封裝開關器件中具有最低的RDS_(on)。兩款SiC FET的額定電流均為18A(受封裝中的引線數(shù)量限制)，最高工作溫度為150℃。

這些器件采用UnitedSiC獨特的堆疊式共源共柵(stack cascode)配置，將常開型(normally-on)SiC JFET與Si MOSFET共同封裝在一起，從而構建出常關型(normally-off)SiC FET器件。SiC FET可以采用0～10V或0～12V電壓驅動，其柵極驅動特性與標準Si FET、IGBT和SiC MOSFET的柵極驅動特性完全匹配。這些器件還具有開爾文柵極返回(Kelvin gate return)功能，以實現(xiàn)更完美的驅動特性。

SiC FET與其他DFN 8x8封裝開關器件引腳兼容，能夠通過“直接替換”而實現(xiàn)性能改進。由于其較低的功耗，能夠在較高頻率下進行開關，設計人員可以在空間有限的設計中實現(xiàn)更高的轉換效率和更高的功率密度。此外，扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝可支持低電感設計。通過使用燒結銀(sintered silver)芯片貼裝技術，可以實現(xiàn)非常低的結殼熱阻。

UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復特性，因而非常適合于在任何采用標準柵極驅動器的應用中開關電感負載。新產(chǎn)品在高達500KHz的開關頻率下驅動器損耗最小，還可用于高頻設計。由于這些器件堅固耐用，具有低反向恢復電荷(Qrr)，因此可輕松進行硬開關操作。

所有這些器件均具有內(nèi)置的ESD保護，DFN 8x8器件的防護等級為MSL3。售價方面，UF3SC065030D8S的參考單價為10.92美元，UF3SC065040D8S的參考單價為7.70美元。