國內發(fā)展半導體產業(yè)的決心已經無需多言，目前國內最薄弱的領域還是芯片制造，而在這方面我們又缺少尖端的半導體生產設備，尤其是光刻技術，這是半導體芯片生產中的核心工藝。

在2019中國集成電路設計大會上，中科院微電子所的院士劉明也談到了國內集成電路方面的一些技術基礎，尤其是光刻方面，指出了在光刻技術方面的進展與不足。

根據劉明院士所說，我國在EUV光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術等方面取得了一些研究進展，但是總體來說，國內的光刻技術與國外技術差距依然有15到20年，是整個集成電路中差距最大的環(huán)節(jié)。

此前我們報道過，目前荷蘭ASML公司的EUV光刻機已經可以制造7nm及以下工藝，但是國內的光刻機只能做到90nm工藝級別，多數是用在低端生產線上，或者是面板生產線上，28nm及以下的工藝依然需要進口ASML的光刻機才能解決。