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[導(dǎo)讀]9月19日,在青銅劍科技十周年慶典活動上,青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案,采用自主研發(fā)的1200V碳化硅MOSFET芯片及車規(guī)級功率模塊封裝,配合穩(wěn)定可靠的碳化硅門極驅(qū)動器,將有效提升新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵部件性能。

9月19日,在青銅劍科技十周年慶典活動上,青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車電機(jī)控制器的全碳化硅器件解決方案,采用自主研發(fā)的1200V碳化硅MOSFET芯片及車規(guī)級功率模塊封裝,配合穩(wěn)定可靠的碳化硅門極驅(qū)動器,將有效提升新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵部件性能。

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(發(fā)布會現(xiàn)場)

根據(jù)《節(jié)能與新能源汽車技術(shù)路線圖》要求,“到2020年,提升電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵部件性能,滿足純電動和插電式混合動力汽車動力性能要求……逆變器性能和可靠性達(dá)到國際先進(jìn)水平……電機(jī)控制器實(shí)現(xiàn)比功率不低于30kW/L(SiC)……”。

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(解決方案介紹)

碳化硅功率器件具有低損耗、高頻率等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、新能源汽車、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,發(fā)展?jié)摿O大、市場空間廣闊?;景雽?dǎo)體充分發(fā)揮企業(yè)在碳化硅器件材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈布局的獨(dú)特優(yōu)勢,自主研發(fā)的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET、車規(guī)級全碳化硅功率模塊等產(chǎn)品已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

一輛搭載了基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車,至今已累計(jì)無故障行駛150天、運(yùn)行里程超過1萬公里,是企業(yè)乃至行業(yè)在堅(jiān)持自主創(chuàng)新、芯片國產(chǎn)化道路上一座重要的里程碑。3.png

基本半導(dǎo)體推出的車規(guī)級全碳化硅功率模塊,內(nèi)部集成兩單元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅續(xù)流二極管,通過單面水冷散熱形式為高效電機(jī)控制器設(shè)計(jì)提供便利。產(chǎn)品充分發(fā)揮碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢,采用最新的碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝,柵極電輸入電容、內(nèi)部寄生電感、熱阻等多項(xiàng)參數(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。

根據(jù)不同應(yīng)用需求,青銅劍科技針對不同廠家的碳化硅器件配套推出了碳化硅MOSFET驅(qū)動方案,具有60kHz至100kHz高工作頻率、100kV/μs高抗干擾能力、快速短路保護(hù)響應(yīng)等特點(diǎn)。青銅劍科技碳化硅MOSFET驅(qū)動方案有助于充分發(fā)揮碳化硅功率器件高溫、高頻、高壓的優(yōu)勢,可廣泛應(yīng)用于汽車的傳動系統(tǒng)、電池充電器、直流變換器,以及工業(yè)的光伏逆變器、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域。

新能源汽車電驅(qū)控制器廠商采用車規(guī)級全碳化硅功率模塊及碳化硅門極驅(qū)動器,可研制新一代新能源汽車驅(qū)動逆變器,實(shí)現(xiàn)最大功率150kW@800Vdc,最大工作開關(guān)頻率100kHz,輸入電壓范圍300~800Vdc,三相輸出電流240A,功率密度達(dá)30kW/L。

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(全碳化硅器件解決方案)

1200V碳化硅MOSFET芯片

主要特點(diǎn)

■電流等級50A,導(dǎo)通電阻:Rds(on)@25℃ =32m?

■閾值電壓高:Vgs(th)@25℃ =3 V

■擊穿電壓裕量大:1590V@100uA

■短時耐受時間長:Vdd=800V下,短路時間大于5us

■通過1000hr HTRB, P-HTGB, N-HTGB,HSTRB等可靠性測試

■AEC-Q101認(rèn)證進(jìn)行中

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車規(guī)級碳化硅MOSFET模塊

主要特點(diǎn)

■電壓等級1200V,電流等級200A,內(nèi)置半橋電路,易于并聯(lián)應(yīng)用

■單面水冷設(shè)計(jì),采用高耐熱樹脂和無銅板結(jié)構(gòu),低熱阻工作

■模塊回路有效面積小,內(nèi)部寄生電感低

■采用Lead Frame結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),低雜散電感,高功率密度

■內(nèi)部集成溫度傳感器(NTC),末來擴(kuò)展集成電流傳感器

碳化硅MOSFET柵極驅(qū)動板

主要特點(diǎn)

■六通道驅(qū)動

■支持高達(dá)100kHz開關(guān)頻率

■2us超快短路檢測時間

■原副邊欠壓保護(hù)功能

■有源鉗位功能

■高級軟關(guān)斷(ASSD)

■母線電壓采樣功能

■最高工作環(huán)境溫度105℃

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