9月19日，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國(guó)和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì)，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國(guó)際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體開辟一片新天地。

深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長(zhǎng)黃鳴出席論壇并致辭。深圳第三代半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)張國(guó)旗、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)于洪宇、國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人文宇、英國(guó)劍橋大學(xué)工程系教授Patrick Palmer、深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理和巍巍等嘉賓圍繞第三代半導(dǎo)體材料器件的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品應(yīng)用和機(jī)遇挑戰(zhàn)，開展前沿技術(shù)分享及精彩主題演講。

深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)黨組書記林祥致辭

深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長(zhǎng)黃鳴致辭

深圳第三代半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)張國(guó)旗發(fā)表主題演講

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)于洪宇發(fā)表主題演講

國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人文宇

發(fā)表主題演講

英國(guó)劍橋大學(xué)工程系教授Patrick Palmer發(fā)表主題演講

深圳基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍在論壇上表示，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅發(fā)展一直緊跟世界前沿，但在汽車設(shè)計(jì)和制造方面，和國(guó)際的先進(jìn)水平還有一定的差距。目前，國(guó)內(nèi)有幾所大學(xué)可以制造器件樣品，有部分公司可以量產(chǎn)二極管，但僅有基本半導(dǎo)體可量產(chǎn)碳化硅MOSFET，基本半導(dǎo)體未來(lái)將繼續(xù)加大研發(fā)投入，加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新，致力于鑄造第三代半導(dǎo)體碳化硅的中國(guó)“芯”。

基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍發(fā)表主題演講

在隨后舉行的“中國(guó)第三代半導(dǎo)體的突破之路”高端圓桌對(duì)話上，力合科創(chuàng)集團(tuán)副總裁馮杰、國(guó)創(chuàng)中心車規(guī)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人文宇、深圳基本半導(dǎo)體首席技術(shù)官?gòu)堈裰?、北京億華通科技研發(fā)總監(jiān)周鵬飛、深圳禾望電氣研發(fā)中心副經(jīng)理謝峰、深圳欣銳科技研發(fā)總監(jiān)張輝等產(chǎn)學(xué)研投界代表暢所欲言，為“中國(guó)第三代半導(dǎo)體的突破之路”建言獻(xiàn)策。

高端圓桌對(duì)話

為增進(jìn)中國(guó)與歐洲知名院校、科研機(jī)構(gòu)、創(chuàng)新企業(yè)的國(guó)際交流，進(jìn)一步推動(dòng)雙方開展學(xué)術(shù)交流和科研合作，促進(jìn)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，青銅劍科技、基本半導(dǎo)體以及中歐創(chuàng)新中心從2017年開始，每年定期舉辦中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇。本屆高峰論壇立足于國(guó)際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家學(xué)者，從全球視角探討第三代半導(dǎo)體行業(yè)所面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來(lái)的戰(zhàn)略與思考。

第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱點(diǎn)，擁有最大的發(fā)展空間和良好的市場(chǎng)前景，為信息、能源、交通模塊等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了重要支撐，催生了上萬(wàn)億元的潛在市場(chǎng)。近年來(lái)，隨著材料、器件、工藝和應(yīng)用方面的一系列技術(shù)創(chuàng)新和突破，第三代半導(dǎo)體走到了從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)的拐點(diǎn)，政府、科技界和產(chǎn)業(yè)界對(duì)其未來(lái)發(fā)展給予了很高的期望，國(guó)產(chǎn)化需求迫切。

基本半導(dǎo)體由清華大學(xué)、浙江大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院等國(guó)內(nèi)外知名高校博士團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立，專注于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，旗下碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋了外延制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)。基本半導(dǎo)體已先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET，以及車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

基本半導(dǎo)體正不斷提速車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件的研發(fā)。最近，一輛搭載了基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車，至今已累計(jì)無(wú)故障行駛120天、運(yùn)行里程超過(guò)1萬(wàn)公里，是企業(yè)乃至行業(yè)在堅(jiān)持自主創(chuàng)新、芯片國(guó)產(chǎn)化道路上一座重要的里程碑。