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[導(dǎo)讀]LPDDR4X 批量生產(chǎn)進入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點

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·16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶,它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

·基于UFS的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量,從而使手機設(shè)計更加輕巧。

愛達荷州博伊西,2019年8月15日——美光科技股份有限公司今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)率4X(LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X能夠在單個智能手機中提供高達16GB1的低功耗DRAM(LPDRAM),顯示了美光為當前和下一代移動設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。

美光 LPDDR4X基于UFS多芯片封裝(uMCP4),滿足了移動設(shè)備制造商對于低功耗以延長電池壽命,以及更小尺寸、纖薄設(shè)計、有吸引力的設(shè)備外形的需求。美光已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其LPDDR4X和uMCP4,引領(lǐng)行業(yè)向1z納米工藝節(jié)點過渡。

“數(shù)據(jù)密集型移動應(yīng)用程序不斷推動著消費者對于大容量內(nèi)存和存儲的需求,這種需求不僅出現(xiàn)在旗艦智能手機中,而且出現(xiàn)在中高端移動設(shè)備中,”美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Talluri博士表示,“新一代16Gb LPDDR4X旨在滿足當今數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的需求,同時確保滿足未來邊緣端高級人工智能處理和高帶寬5G應(yīng)用的需求?!?/span>

美光LPDDR4X在同等尺寸條件下為分立式設(shè)計和低功耗多芯片封裝提供了更高的密度,以滿足更廣泛的智能手機用戶群體的需求。新興的5G移動技術(shù)需要一個能夠提供更高數(shù)據(jù)率和實時數(shù)據(jù)處理的內(nèi)存子系統(tǒng),從而為移動設(shè)備用戶提供絕佳的體驗。

美光1z納米LPDDR4X產(chǎn)品具備業(yè)界最低的能耗,同時保持了LPDDR4最高的時鐘頻率,高達4,266兆位/秒(Mbps)。與上一代針對4K視頻播放等內(nèi)存密集型應(yīng)用的解決方案相比,美光1z納米LPDDR4X的能耗降低了10%。LPDDR4X作為目前業(yè)內(nèi)最高容量的單片式16Gb LPDDR4X裸晶(單個封裝中堆疊多達8個裸晶),與前幾代LPDDR4相比,可在不增加封裝尺寸的條件下,實現(xiàn)內(nèi)存容量的翻倍。

美光LPDDR4X內(nèi)存解決方案現(xiàn)已批量供貨,提供分立式解決方案和八種不同配置的基于UFS的多芯片封裝(uMCP4),可選擇范圍從64GB+3GB組合至256GB+8GB組合。uMCP4滿足了日益增長的中高端市場對于類似旗艦智能手機性能的內(nèi)存需求。


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