碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應(yīng)用的開關(guān)性能，能夠在增強(qiáng)熱性能的同時(shí)提供較高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)及開關(guān)頻率。不過，SiC要求在更緊湊的設(shè)計(jì)中能夠獲得更快速的短路保護(hù)，這對(duì)門極驅(qū)動(dòng)器提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。

PI全新的SIC1182K SCALE-iDriver? IC 是一款市售可提供高效率的單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動(dòng)級(jí)。它經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓，來滿足市售SiC MOSFET的需求。

SIC1182K采用PI的FluxLink?通信技術(shù)，可顯著提高可靠性并提供1200V加強(qiáng)絕緣。 完善的保護(hù)特性包括：

?高級(jí)有源鉗位(AAC)

?超快速短路檢測(cè)

?過流故障關(guān)斷

?原方和副方欠壓保護(hù)(UVLO)

其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源。