MOSFET
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英飛凌與科士達深入合作，全棧方案樹立UPS高效可靠新標(biāo)桿
【2025年4月10日, 中國上海訊】在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場需求持續(xù)攀升，對能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。 近日，英飛凌宣布與深圳科士達科技股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，助力科士達100kVA在線式UPS系統(tǒng)實現(xiàn)關(guān)鍵突破，滿足數(shù)據(jù)中心對高可靠、高能效電源的嚴(yán)苛需求。
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英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS? 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本
【2025年3月27日, 德國慕尼黑訊】Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡化了系統(tǒng)設(shè)計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統(tǒng)的 MOSFET 內(nèi)阻（RDS(on)），進而減少了導(dǎo)通損耗，提高了整體設(shè)備效率和電流密度，而且還節(jié)省了與MOSFET相關(guān)的成本。
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納祥科技NX7011，應(yīng)用于電機的雙N溝道MOSFET，替代AP20G02BDF
納祥科技NX7011采用先進的溝槽技術(shù)，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個獨立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。 在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。
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納祥科技30V 20A雙N溝道MOSFET NX7010，高性能PIN TO PIN AP20H03DF
納祥科技NX7010是一款30V 20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵源電壓的控制。當(dāng)柵源電壓大于導(dǎo)通電壓時，兩個MOS管都處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流從N1的源極流向N2的漏極，再從N2的源極回到N1的漏極；當(dāng)柵極電壓小于截止電壓時，兩個MOS管都處于截止?fàn)顟B(tài)，電路中的電流幾乎為零。 在性能上，NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應(yīng)用場景
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MOSFET和IGBT電源開關(guān)驅(qū)動的基本概念和作用?
它們的原理基于PN結(jié)及其組合、變形，同時還有結(jié)構(gòu)更為簡單的二極管、BJT、JFET等元件。本節(jié)將重點介紹電機控制器中常用的場效應(yīng)晶體管——Mosfet。
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英飛凌推出專為AI服務(wù)器優(yōu)化的新型48 V熱插拔控制器，擴展其XDP?數(shù)字保護產(chǎn)品系列
【2025年3月14日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY)擴展旗下XDP? 數(shù)字保護產(chǎn)品系列，推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數(shù)字熱插拔控制器，具備可編程安全操作區(qū)域(SOA)控制且專為高功率 AI 服務(wù)器設(shè)計。該控制器擁有出色的輸入及輸出電壓監(jiān)控與報告功能，精度達 ≤0.4%，還有系統(tǒng)輸入電流監(jiān)控與報告功能，在全 ADC 范圍內(nèi)精度達≤0.75% ，可提升系統(tǒng)的故障檢測和報告準(zhǔn)確性。
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浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動器
半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開關(guān)模式配置的核心是柵極驅(qū)動器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號向高端和低端MOSFET功率開關(guān)提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號。
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MOSFET開關(guān)管損失了解嗎？限制MOSFET開關(guān)速度的因素有哪些
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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如何計算MOSFET驅(qū)動電流？哪些因素影響MOSFET開關(guān)損耗
在下述的內(nèi)容中，小編將會對MOSFET的相關(guān)消息予以報道，如果MOSFET是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET和JFET在性能特點上有什么區(qū)別？MOSFET和晶體管有什么區(qū)別
以下內(nèi)容中，小編將對MOSFET的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對MOSFET的了解，和小編一起來看看吧。
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分階段解讀MOSFET工作原理！功率MOSFET等效電路分享
本文中，小編將對MOSFET予以介紹，如果你想對MOSFET的詳細情況有所認(rèn)識，或者想要增進對MOSFET的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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并聯(lián)MOSFET有何優(yōu)勢？MOSFET開關(guān)損耗是怎么回事
MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOSFET的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細內(nèi)容如下。
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ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET
實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，實現(xiàn)更高的功率密度
【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。
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DC-DC轉(zhuǎn)換器如何調(diào)整電流限制閾值
最近的進展已經(jīng)通過在低側(cè)MOSFET(同步整流器)上取代壓降來消除電流檢測電阻。這種拓?fù)涔?jié)省了感測電阻的成本和空間，并且還提供了效率的適度提高。
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設(shè)計同步整流電源：MOSFET選擇與驅(qū)動電路設(shè)計
在電力電子領(lǐng)域，同步整流技術(shù)以其高效率、低損耗的特點，成為現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的重要組成部分。特別是在直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器中，同步整流技術(shù)通過使用兩個MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）來控制電流的方向，從而實現(xiàn)了電能的有效傳輸。本文將深入探討在設(shè)計同步整流電源時，如何選擇合適的MOSFET以及設(shè)計其驅(qū)動電路，以確保電源的高效率和穩(wěn)定性。
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首先ALN MOSFET展示承諾和挑戰(zhàn)
超寬的帶隙(UWBG)材料可以擴大寬帶蓋(WBG)材料(例如碳化硅)(SIC)和氮化碳(GAN)在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供的改進范圍。在本文中，我們總結(jié)了基于UWBG鋁(ALN)的MOSFET設(shè)備的最初初始演示 。開創(chuàng)性的工作突出了在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用該材料的一些承諾和挑戰(zhàn)。
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e絡(luò)盟正式開售 Diotec Semiconductor 產(chǎn)品
面向工業(yè)、汽車、能源、照明和消費電子市場，產(chǎn)品價格富有競爭力，交貨期短
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如何為WLED構(gòu)建一個RGB PWM LED驅(qū)動程序
在這個項目中，我將為WLED構(gòu)建一個RGB PWM LED驅(qū)動程序。您可以使用此項目無線驅(qū)動12v RGB LED條。這個項目是WLED兼容，這使得控制容易得多。你可以用它驅(qū)動高達100w的RGB LED條。WLED運行在XIAO ESP32C3上，LED驅(qū)動器使用IRLFZ44N邏輯級MOSFET。讓我們開始建造吧。
