海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi的Z-RAM存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)

美國(guó)加州圣克拉拉市和韓國(guó)利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存儲(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)開(kāi)發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士(Hynix)半導(dǎo)體有限公司（韓國(guó)證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)

SEMI預(yù)測(cè)：08年底300mm晶圓生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍

SEMI發(fā)布預(yù)測(cè)認(rèn)為，盡管內(nèi)存價(jià)格急劇下跌，但今后對(duì)300mm晶圓生產(chǎn)設(shè)施的投資仍將持續(xù)。08年底，全球300mm晶圓的生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍。SEMI認(rèn)為，產(chǎn)能擴(kuò)大的原因是增加了25家新開(kāi)工的300mm晶圓半導(dǎo)體工廠。

新興存儲(chǔ)技術(shù)突破多 大規(guī)模商用待考

歐洲半導(dǎo)體市場(chǎng)六月份銷售情況喜憂參半

主要DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商Q2收入大幅下降

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iSuppli：金士頓居全球DRAM供應(yīng)商排行之首

蘋(píng)果占NAND閃存市場(chǎng)1/4 供應(yīng)短缺刺激價(jià)格上漲

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng) 亞洲產(chǎn)業(yè)角色吃重

芯片市場(chǎng)低迷造成07半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)難有起色

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全球內(nèi)存芯片廠商第二季度財(cái)報(bào)慘淡

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DRAM與NAND閃存芯片市場(chǎng)比例報(bào)告

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli根據(jù)當(dāng)前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格動(dòng)蕩局面，以及最新的市場(chǎng)需求分析給出最新報(bào)告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)已經(jīng)相對(duì)前期從低谷呈現(xiàn)復(fù)蘇狀況，而NAND閃存芯片市場(chǎng)也在此期間通過(guò)價(jià)格和市場(chǎng)需求作出重新調(diào)整

iSuppli提升近期內(nèi)存市場(chǎng)條件評(píng)測(cè)等級(jí)