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英特爾次世代處理器支持DDR4 DRAM 導入更強性能
在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相關模組廠，近期也相繼導入DDR4 DRAM試產行動，業(yè)者強調，DDR 4 DRAM因功耗低，運算速度更快，且支援矽鉆孔（TSV）3D IC設計，預料明
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Intel X99平臺首次亮相：DDR4+Hawell-E
IDF2013(這可不是國內那場)目前正在舊金山如火如荼的展開，Intel以及其合作伙伴都有不少新玩意兒展出，其中就包含有下一代DDR4內存。目前可以確定的是DDR4內存會搭配Haswell-E或者Haswell-EP處理器登場，而在IDF2013
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DDR4內存終于量產！三星、20nm制程、服務器
DDR4內存終于量產，三星半導體（Samsung Semiconductor）宣布量產4Gb（512MB）模塊、基于20nm制程技術。 據(jù)三星介紹，32GB版將面向高端服務器市場，最高速度可以達到2,667 Mb/s；比DDR3性能更強，且功耗
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三星開始量產20納米級DDR4超高速內存模塊
據(jù)韓聯(lián)社消息，三星電子表示已開始量產超高速內存——20納米級16GB DDR4模塊，并計劃加快進軍企業(yè)服務器市場的步伐。20納米級16GB DDR4 DRAM產品體積世界最小，最高處理速度可達2667Mb/s，和DDR3 DRAM相比，耗電量減
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三星宣布量產下代內存DDR4 年底出貨
三星電子在內存行業(yè)的地位實在不容小覷，已經在全球范圍內第一家開始了下代內存DDR4的批量生產。不過，當然現(xiàn)在還不是針對消費級市場的，得等待Intel Haswell-E、AMD Carrizo APU等下下代平臺(Broadwell還不確定但感
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9系列主板未來將兼容Broadwell
我們知道，Intel 14nm Broadwell平臺的發(fā)布策略有了很大變化，明年只會出現(xiàn)在低壓和超低壓版的筆記本上，桌面則得等到后年，在那之前還有一代Haswell Refresh。盡管是一次變化不大的過渡版，Intel明年仍將推出新的9系
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Intel至強線路圖曝光 Skylake將用14nm制程
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載
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Intel至強線路圖曝光 Skylake將用14nm制程
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載
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Intel Skylake平臺將采用14nm制程 并支持DDR4/PCIe 4
國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構的芯片產品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載
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DDR4內存樣品開始出貨
Innodisk(宜鼎國際)一家并不太大的DRAM、NAND獨立供應商，但他們卻宣布已經開始向服務器廠商出貨自己的DDR4 RDIMM內存條樣品。這是在沒有自主DRAM制造能力的廠商中，為數(shù)不多能做到這一點的。Innodisk并未透露自己出
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消費級DDR4內存條第一次露面，下邊竟是彎的！
海力士、三星等過去兩年曾經陸續(xù)展示過自己的DDR4內存樣品，但都是企業(yè)級的UDIMM、RDIMM?，F(xiàn)在，美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預告過的第一款消費級DDR4 DIMM內存條。 該內存條屬于Crucia
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第一款消費級DDR4內存條浮出水面 弧形設計
海力士、三星等過去兩年曾經陸續(xù)展示過自己的DDR4內存樣品，但都是企業(yè)級的UDIMM、RDIMM?，F(xiàn)在，美光旗下品牌Crucial終于拿出了去年五月份就預告過的第一款消費級DDR4 DIMM內存條。該內存條屬于Crucial Ballistix系列
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展望2013年存儲行業(yè)：創(chuàng)新不斷煥發(fā)正能量
DDR3內存給行業(yè)注入正能量 2012年是近年內存行業(yè)最為輝煌的一年，內存顆粒制造工藝全面推薦到30nm，DDR3內存提高頻率到1600MHz，同時8GB DDR3內存進入普及。不但廠家從里面獲利，廣大網(wǎng)友們也樂在其中，形成真正的雙
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ARM服務器炸彈：A15 16核心、支持DDR4
ARM距離服務器越來越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網(wǎng)絡“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務器系統(tǒng)IP號稱可以滿足未來10-15年的海量數(shù)據(jù)和高效網(wǎng)絡架構需求。 該網(wǎng)路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和C
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ARM服務器炸彈！A15 16核心、支持DDR4
ARM距離服務器越來越近了！今天，ARM宣布了新一代緩存一致性網(wǎng)絡“CoreLink CCN-504”，這套高性能的服務器系統(tǒng)IP號稱可以滿足未來10-15年的海量數(shù)據(jù)和高效網(wǎng)絡架構需求。該網(wǎng)路基于AMBA 4 ACE規(guī)范和Corte
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DDR4內存可以快速發(fā)展嗎？
我們知道現(xiàn)在DDR3內存逐步發(fā)展，已經成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內存將會出現(xiàn)，預計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內存已經很少
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Synopsys DesignWare DDR4存儲器接口IP實現(xiàn)擴充
新思科技公司（Synopsys, Inc.）日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產品組合已經實現(xiàn)擴充，以使其包括了對基于新興的DDR4標準的下一代SDRAM。通過在一個單內核中就實現(xiàn)對DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DD
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Synopsys發(fā)布DesignWare DDR4存儲器接口IP
21ic訊 新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP產品組合已經實現(xiàn)擴充，以使其包括了對基于新興的DDR4標準的下一代SDRAM。通過在一個單內核中就實現(xiàn)對DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWa
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Cadence世界上首款28nm工藝DDR4內存控制器試驗成功
Cadence Design Systems周一宣布，該公司自有知識產權的DDR4內存物理層及內存控制器電路已經在TSMC 28nm(28nm HPM及28nm HP)工藝下試驗成功，這將是世界上第一款28nm工藝的DDR4內存控制器。 Cadence公司產品部門、S
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首個DDR4 IP設計解決方案在28納米級芯片上獲驗證
全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產品在TSMC的28HPM和28HP技術工藝上通過硅驗證。為了擴大在動態(tài)隨機存取
