汽車級圖像傳感器選型，CMOS與CCD在ADAS環(huán)視系統(tǒng)中的噪聲抑制對比

智能駕駛技術(shù)快速迭代，ADAS環(huán)視系統(tǒng)作為車輛周邊環(huán)境感知的核心模塊，對圖像傳感器的性能提出了嚴(yán)苛要求。其中，噪聲抑制能力直接影響系統(tǒng)在低光照、強干擾等極端場景下的可靠性。本文從技術(shù)原理、工程實踐及未來趨勢三個維度，對比分析CMOS與CCD傳感器在ADAS環(huán)視系統(tǒng)中的噪聲抑制特性。

相機清空 CMOS 中電荷的底層原理(下)

相機清空 CMOS 中電荷的底層原理(上)

ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運算放大器

中國上海，2025年7月29日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出工作時的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)動的便攜式測量儀、可穿戴設(shè)備和室內(nèi)探測器等小型應(yīng)用中的測量放大器。

太赫茲射頻前端集成：InP HEMT與CMOS的異質(zhì)封裝方案

太赫茲（THz）波段位于微波與紅外光之間，具有獨特的頻譜特性，在高速通信、高分辨率成像、安全檢測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，太赫茲射頻前端作為太赫茲系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，其集成面臨諸多挑戰(zhàn)。砷化銦高電子遷移率晶體管（InP HEMT）憑借其優(yōu)異的高頻性能，在太赫茲頻段具有出色的增益和噪聲特性；而互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)則以其高集成度、低成本和成熟的制造工藝著稱。將InP HEMT與CMOS進行異質(zhì)封裝，整合兩者的優(yōu)勢，成為實現(xiàn)高性能、低成本太赫茲射頻前端集成的有效途徑。

量子-經(jīng)典混合芯片的接口設(shè)計，超導(dǎo)量子比特到CMOS控制電路的協(xié)同

量子計算邁向?qū)嵱没倪M程，量子-經(jīng)典混合芯片架構(gòu)成為突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵路徑。超導(dǎo)量子比特雖具備高速門操作與可擴展性優(yōu)勢，但其運行需在毫開爾文級低溫環(huán)境中維持量子態(tài)相干性;而CMOS控制電路則依賴室溫環(huán)境下的成熟工藝與高集成度。這種物理條件的極端差異，催生了量子-經(jīng)典接口設(shè)計的核心挑戰(zhàn)：如何在超低溫與室溫之間實現(xiàn)高效、低噪聲的信號傳輸與協(xié)同控制。從超導(dǎo)諧振腔的量子態(tài)編碼到CMOS芯片的脈沖序列生成，接口設(shè)計正成為連接量子世界與經(jīng)典世界的橋梁。

什么是BiCMOS？BiCMOS的工藝流程是什么樣的？

為增進大家對BiCMOS技術(shù)的認(rèn)識，本文將對BiCMOS以及BiCMOS工藝流程予以介紹。

CMOS圖像傳感器工作過程: 復(fù)位、光電轉(zhuǎn)換、積分、讀出幾部分介紹

CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅(qū)動器、列驅(qū)動器、時序控制邏輯、AD轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)總線輸出接口、控制接口等幾部分組成,這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。

雙極結(jié)型晶體管展現(xiàn)實力

在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類型的電子設(shè)備中大量高效可靠地運行。事實上，在某些應(yīng)用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產(chǎn)品。 BJT 技術(shù)的最新改進將使它們成為半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。

高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第四部分

類似的原理也可以應(yīng)用于任何使用差動信號的高速接口技術(shù)。事實上,隨著數(shù)據(jù)傳輸速度的加快,需要增加對這些項目的關(guān)注。隨著數(shù)據(jù)速率進入Gbps范圍,過程和板幾何形狀變得更小,在短得多的傳輸距離時,串?dāng)_等不必要的影響會成為一個問題。

高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第三部分

在模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)空間,目前主要有三種類型的數(shù)字輸出使用的ADC制造商。如本文之前部分所述,這三種輸出是互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓差動信令(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。

高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第二部分

目前，已經(jīng)有兩個標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)編寫來定義LVDS接口。最常用的ANSI/TIA/EIA-644規(guī)范,題為"低壓差動信令(LVDS)接口電路的電氣特性。另一種是題為"用于可伸縮相干接口的低壓差動信號(LVDS)標(biāo)準(zhǔn)"的IEEE標(biāo)準(zhǔn)159.3。"

高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第一部分

由于設(shè)計者可以選擇許多類似數(shù)字轉(zhuǎn)換器,在選擇過程中需要考慮的一個重要參數(shù)是包括的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出類型。目前,高速轉(zhuǎn)換器使用的三種最常見的數(shù)字輸出類型是互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓微分信號(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。

ISP+可拓展算力組合，飛凌微實現(xiàn)圖像傳感器與SoC之間更好的融合

當(dāng)前端側(cè)AI正在快速落地推進，而智能車載領(lǐng)域尤為活躍，特別是在國內(nèi)市場，智能車載的快速發(fā)展引人注目。據(jù)Yole預(yù)測，2023年至2029年，全球車載攝像頭市場規(guī)模將從57億美元增至84億美元。但目前車載視覺系統(tǒng)方案尚未統(tǒng)一，既有大域控制架構(gòu)的探索，也有分布式架構(gòu)的應(yīng)用。而在分布式架構(gòu)的應(yīng)用場景中，面臨的主要挑戰(zhàn)在于如何更好地融合圖像傳感器與SoC，以實現(xiàn)性能與成本的最佳平衡。此外，在技術(shù)層面，需要通過更先進的平臺工具和AI加速技術(shù)，結(jié)合圖像性能優(yōu)化手段，推動技術(shù)的迭代與升級。

如何處理CMOS接口電路問題？CMOS電路SCR閂鎖介紹

一直以來，CMOS電路都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞢MOS電路的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。

最強梳理! 使用CMOS集成電路需注意的幾個問題

集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。

如何提高BJT開關(guān)速度？為什么BJT比CMOS速度要快？

在這篇文章中，小編將對BJT的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。

一種改進型的CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路

在現(xiàn)代通信及電子系統(tǒng)中，鎖相環(huán)(Phase-Locked Loop, PLL)是一種重要的頻率同步與控制技術(shù)。CMOS電荷泵鎖相環(huán)(Charge Pump Phase-Locked Loop, CPPLL)因其開環(huán)增益大、捕獲范圍寬、捕獲速度快、穩(wěn)定度高和相位誤差小等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于無線通信、時鐘恢復(fù)及頻率合成等領(lǐng)域。然而，傳統(tǒng)CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路存在電流失配、電荷共享和時鐘饋通等問題，這些問題限制了其性能和應(yīng)用范圍。本文設(shè)計了一種改進型的CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路，通過優(yōu)化電荷泵電路和增加開關(guān)噪聲抵消電路，有效解決了上述問題，并擴展了鎖相環(huán)的鎖頻范圍。

如何設(shè)計CMOS運放？超詳細設(shè)計過程，看完必會！

本文中，小編將對CMOS運放設(shè)計予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認(rèn)識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

1款模擬開關(guān)應(yīng)用電路的糾錯與改正！

在這篇文章中，小編將對一個模擬開關(guān)應(yīng)用電路進行糾錯，并對錯誤的模擬開關(guān)應(yīng)用電路進行改正。通過這篇文章，小編希望大家可以對模擬開關(guān)應(yīng)用電路有所認(rèn)識和了解，詳細內(nèi)容如下。